山东理工大学模电第2章4

模拟电子技术试题（A ）参考答案与评分标准考试时间:100分钟 考试方式:闭卷 考试日期: 年 月 日一、 是非题（32分）（各小题分数见卷面，与标准答案不同者为错）（1）V （2 ） X （3）V （4） X （5） V （6） X （7） X （8）X （9）X （10） X （11）X （12）X （13）V （14）X （15）X （16）X 二、解3分3分三、计算题（12分）5分4分3分四、计算题 （10分）解。

（1） 根据RC 串并联选频网络的参数，分318.3101010502121633ZKHRCf =⨯⨯⨯⨯==--ππ（2） 当振荡频率变为10K Z ，R=100K ，相应的电容变为：PFRf C 159101010100212133=⨯⨯⨯⨯==ππ 3分（3）、R 2>=200K 4分（4）. 微变等效电路: 3分 （2）.动态参数： 3分1 r i = R B 1 //R B2[ r be1 +（β +1)R E1 ]= 40 // 50 ≈22.2K 2r o = R C = 2K3 us i ius A R r r A ∙∙⋅+=968.0151629.0150)1(//1-≈⨯+⨯-=++-=∙E be C L u R r R R A ββ947.0)968.0(5.02.222.22-=-⨯+=∙us A 21i o u u -=)(1211o Fi F o u R R u R R u +-=s U ∙i 1122i Fi F o u R R u R R u -=五、计算题（12分）（1）U 2=0.9U 1=9V 4分 U DRM =1.414U=14.1V 2分 （2）U 2=1.2U 1=12V 4分 二极管所承受的最高反向电压U DRM =1.414U=14.1V 2分 六、简述题（10分）（1）D 1、D 2 消除交越失真 5分 （2）R 1、R 2 在电路中稳定静态工作点的作用 4分七、计算题（12分）BBEQCC BQ R U U I -=,BQCQI Iβ=,C CQ CC CEQR I U U-= 3分分)mA (mV)(26)1(300EQ be I r β++=21,//C o be B i R r r R r == 3分))1((//22222121121E be c be c u u u R r R r r R A A A βββ++-⨯-=⨯= 3分i o ∙。

模电基础教程01单元半导体器件基础半导体的导电特性导体、绝缘体和半导体本征半导体的导电特性杂质半导体的导电特性PN结晶体二极管二极管的结构与伏安特性半导体二极管的主要参数半导体二极管的等效电路与开关特性稳压二极管晶体三极管三极管的结构与分类三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用三极管的特性曲线三极管的主要参数三极管的开关特性场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管特殊半导体器件发光二极管光敏二极管和光敏三极管02单元基本放大电路基本放大电路的工作原理基本放大电路的组成直流通路与静态工作点交流通路与放大原理放大电路的性能指标放大电路的图解分析法放大电路的静态图解分析放大电路的动态图解分析输出电压的最大幅度与非线性失真分析微变等效电路分析法晶体管的h参数晶体管的微变等效电路用微变等效电路法分析放大电路静态工作点的稳定温度变化对静态工作点的影响工作点稳定的电路场效应管放大电路场效应管放大电路的静态分析多级放大电路多级放大电路的级间耦合方式多级放大电路的分析方法放大电路的频率特性单级阻容耦合放大电路的频率特性多级阻容耦合放大电路的频率特性03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类反馈的基本概念和一般表达式反馈放大电路的类型与判断负反馈放大电路基本类型举例电压串联负反馈放大电路电流并联负反馈放大电路电流串联负反馈放大电路电压并联负反馈放大电路负反馈对放大电路性能的影响降低放大倍数提高放大倍数的稳定性展宽通频带减小非线性失真改变输入电阻和输出电阻负反馈放大电路的分析方法深度负反馈放大电路的近似计算*方框图法分析负反馈放大电路04单元功率放大器功率放大电路的基本知识概述甲类单管功率放大电路互补对称功率放大电路OCL类互补放大电路OTL甲乙类互补对称电路复合互补对称电路变压器耦合推挽功率放大电路05单元直接耦合放大电路概述直接耦合放大电路中的零点漂移基本差动放大电路的分析基本差动放大电路基本差动放大电路抑制零点漂移的原理基本差动放大电路的静态分析基本差动放大电路的动态分析差动放大电路的改进06单元集成运算放大器集成电路基础知识集成电路的特点集成电路恒流源有源负载的基本概念集成运放的典型电路及参数典型集成运放F007电路简介集成运放的主要技术参数集成运放的应用概述运放的基本连接方式集成运放在信号运算方面的应用集成运放在使用中应注意的问题07单元直流电源整流电路半波整流电路全波整流电路桥式整流电路倍压整流电路滤波电路电容滤波电路电感滤波电路复式滤波电路有源滤波电路稳压电路并联型硅稳压管稳压电路串联型稳压电路的稳压原理带有放大环节的串联型稳压电路稳压电源的质量指标提高稳压电源性能的措施08单元正弦波振荡电路自激振荡原理自激振荡的条件自激振荡的建立和振幅的稳定正弦波振荡电路的组成LC正弦波振荡电路变压器反馈式振荡电路三点式LC振荡电路三点式LC振荡电路的构成原则电感三点式振荡电路电容三点式振荡电路克拉泼与席勒振荡电路（改进型电容三点式振荡电路）石英晶体振荡器石英晶体的基本特性和等效电路石英晶振：并联型晶体振荡电路石英晶振：串联型晶体振荡电路RC振荡电路RC相移振荡电路文氏电桥振荡电路09单元调制、解调和变频调制方式调幅调幅原理调幅波的频谱调幅波的功率调幅电路检波小信号平方律检波大信号直线性检波调频调频的特点调频波的表达式调频电路：变容二极管调频电路调频与调幅的比较鉴频对称式比例鉴频电路不对称式比例鉴频电路变频变频原理变频电路10单元无线广播与接受无线电广播与接收无线电波的传播超外差收音机超外差收音机方框图超外差收音机性能指标LC谐振回路LC串联谐振回路LC并联谐振回路输入回路统调中频放大电路自动增益电路整机电路分析半导体导电特性导体、绝缘体和半导体自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。

第二章第二章二极管及基本电路模拟电子技术基础第二章二极管及基本电路一、半导体的基本知识二、PN结的形成及特性三、二极管及伏安特性三、二极管的等效模型五、二极管基本电路及分析方法六、特殊二极管一、本征半导体1、半导体、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。

导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。

绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。

半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。

无杂质稳定的结构2、本征半导体的结构共价键：两个原子外层电子的共有轨道由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留下一个空位置，称为空穴2、本征半导体的结构自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。

温度一定时，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴的浓度加大。

本征半导体中自由电子与空穴的浓度相同。

3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。

外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。

由于载流子数目很少，导电性很差。

温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。

热力学温度0K时不导电。

载流子二、杂质半导体5 +杂质半导体主要靠多数载流子导电。

掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。

多数载流子1、N型半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。

掺入的杂质主要是三价或五价元素。

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

磷（P）N型半导体主要靠自由电子导电，掺入杂质越多，自由电子浓度越高，导电性越强，3 +多数载流子2、P型半导体硼（B）P型半导体中主要由空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，杂质半导体中，温度变化时载流子的数目同时变化；少子与多子变化的数目相同，少子与多子浓度的变化不相同。

《模拟电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准一、选择题(12分)1 B C 2. D B 3 B A 4. D C B A 5. B C二．是非题(8分)1.( 1分) √2. (1分) √3. (1分) √4.( 1分) × 5．( 1分) ×6．( 1分) × 7.( 1分) √ 8. ( 1分) √三. (10分)11O1250100i i u u u -=-= (5分) 2121O 5.1)100501(10050i i i o u u u u u +=++-= (5分)四．(10分)1.ri= R b1‖[rbe1+(1+β)Re1]‖ri2ri2= R b1‖R b1‖[rbe2] （2分）ro= Rc2=2k （2分）2.电压放大倍数Au1=1 （2分）Au2=-β(R c2‖R L )/ [rbe2] （2分）Au= Au1 Au2 （2分）五．(10分)be r =b b 'r +(1+β)EQT I U =2.8k Ω (2分) （a ）i R =be r =2.8k Ω (2分)（b ）i R =be r +b R =3.8k Ω (2分)（c ）i R =be r +(1+β)e R ≈104k Ω (2分)（d ）i R =be r =2.8k Ω (2分)六．（10分）图（a ）：112i o f -=-==R R u u A uu (5分) 图（b ）：11165i o f =+==R R u u A uu (5分) 七（10分）1. (1)示波器荧光屏上出现一条水平线（无正弦波输出），因为在R p ＝0时，321e1f1<=+≈R R A u ，不满足起振条件，电路不振荡。

（3分） (2)R p ＝10k Ω时，312111.>>=++=e pf u R R R A ，振荡波形将有严重失真，正弦波的上、下两边均被削平。

模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。

（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。

A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。

A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。

A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。

（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。

A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。

A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。

A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。

（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。