智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案

第三局部 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度那么与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

〔 × 〕2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

〔 √ 〕3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

〔× 〕4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

〔 × 〕5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

〔 √ 〕6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

〔 × 〕7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

〔× 〕三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量〔其单位与V 的单位一致〕，其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，那么)V (2.11594TV T =，在常温〔T=300K 〕下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上根本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

2020智慧树，知到模拟电子技术基础章节测试[完整答案]绪论单元测试1、判断题：线性元器件，指的就是元件的参数与通过它的电压和电流是无关的。

选项：A:错B:对答案: 【对】2、判断题：非线性元件，指的就是元件的参数会随着它两端的电压电流而变化。

选项：A:对B:错答案: 【对】3、判断题：这门课强调的是定性分析，手动的定量分析为估算。

选项：A:对B:错答案: 【对】4、判断题：在模拟电子系统里，一般而言，传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号，传输给后面电子系统进行处理。

选项：A:错B:对答案: 【对】5、判断题：一般而言，放大器的质量和价格与它的衡量参数和主要指标紧密相关。

选项：A:对B:错答案: 【对】第一章单元测试1、单选题：某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3K&Omega;的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为()选项：A:2K&Omega;B:5K&Omega;C:4K&Omega;D:3K&Omega;答案: 【2K&Omega;】2、单选题：某放大电路在接有2K&Omega;负载电阻时，测得输出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻为()选项：A:6K&Omega;B:12K&Omega;C:9K&Omega;D:3K&Omega;答案: 【3K&Omega;】3、单选题：已知某放大电路的输出电阻为3K&Omega;，在接有4K&Omega;负载电阻时，测得输出电压为2V。

在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到()选项：A:3.5VB:2.5VC:4.5VD:1V答案: 【3.5V】4、单选题：放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为()选项：A:频率响应B:放大倍数C:相移答案: 【频率响应】5、单选题：由于放大电路对含有多种频率信号的()不同而产生的波形失真，称为幅度失真选项：A:频率响应B:放大倍数C:相移答案: 【放大倍数】6、单选题：由于放大电路对信号中不同频率产生的()不同而产生的波形失真，称为相位失真选项：B:放大倍数C:频率响应答案: 【相移】7、单选题：测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为10mV和10&mu;A，在负载电阻为2K&Omega;时，测得输出正弦电压信号的峰值为2V。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。

电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。

《模拟电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准一、选择题(12分)1 B C 2. D B 3 B A 4. D C B A 5. B C二．是非题(8分)1.( 1分) √2. (1分) √3. (1分) √4.( 1分) × 5．( 1分) ×6．( 1分) × 7.( 1分) √ 8. ( 1分) √三. (10分)11O1250100i i u u u -=-= (5分) 2121O 5.1)100501(10050i i i o u u u u u +=++-= (5分)四．(10分)1.ri= R b1‖[rbe1+(1+β)Re1]‖ri2ri2= R b1‖R b1‖[rbe2] （2分）ro= Rc2=2k （2分）2.电压放大倍数Au1=1 （2分）Au2=-β(R c2‖R L )/ [rbe2] （2分）Au= Au1 Au2 （2分）五．(10分)be r =b b 'r +(1+β)EQT I U =2.8k Ω (2分) （a ）i R =be r =2.8k Ω (2分)（b ）i R =be r +b R =3.8k Ω (2分)（c ）i R =be r +(1+β)e R ≈104k Ω (2分)（d ）i R =be r =2.8k Ω (2分)六．（10分）图（a ）：112i o f -=-==R R u u A uu (5分) 图（b ）：11165i o f =+==R R u u A uu (5分) 七（10分）1. (1)示波器荧光屏上出现一条水平线（无正弦波输出），因为在R p ＝0时，321e1f1<=+≈R R A u ，不满足起振条件，电路不振荡。

（3分） (2)R p ＝10k Ω时，312111.>>=++=e pf u R R R A ，振荡波形将有严重失真，正弦波的上、下两边均被削平。

智慧树知到模拟电子技术基础章测试第十章单元测试参考答案•总题数: 101【单选题】 (10分)在单相桥式整流、电容滤波电路中，变压器二次侧电压的有效值U2 = 10V，且满足，则输出电压的平均值为A.14VB.9VC.12VD.4.5V正确本题总得分10分2【单选题】 (10分)在单相桥式整流、电容滤波电路中，变压器二次侧电压的有效值U2 = 10V，且满足，若电容虚焊，则输出电压的平均值为A.9VB.4.5VC.12VD.10V正确本题总得分10分3【单选题】 (10分)在单相桥式整流电路中，负载上的平均电流值为10A，则二极管的平均电流值为A.5AB.10AC.20AD.9A正确本题总得分10分4【单选题】 (10分)串联型稳压电路如图所示，已知稳压管VDZ的稳压值UZ＝6V，R1＝200Ω，Rp=100Ω，R2＝200Ω，负载RL=20Ω，则输出电压Uo的调整范围是A.10 ～15VB.－10 ～－15VC.－15 ～－20VD.15 ～20V正确本题总得分10分5【单选题】 (10分)已知R1 = R2 = R3 = 200Ω，并且R2的抽头处于中点，则Uo =A.-20VB.20VC.-10VD.10V正确本题总得分10分6【判断题】 (10分)稳压电路如题图所示，稳压管VD Z的稳压值U Z=6V。

该电路能稳压。

A.错B.对正确本题总得分10分7【单选题】 (10分)在如图所示串联型稳压电源中，已知稳压管VD Z的稳定电压U Z＝5.3V，晶体管的U BE= 0.7V。

当R p的滑动端在最下端时U O＝15V，求解R p为（）欧姆；A.56B.100C.102D.80正确本题总得分10分8【单选题】 (10分)在如图所示串联型稳压电源中，已知稳压管VD Z的稳定电压U Z＝5.3V，晶体管的U BE=0.7 V。

当R p的滑动端在最上端时求解U O等于（）V。

A.10B.20C.5D.15正确本题总得分10分9【判断题】 (10分)串联型稳压电路如图所示,已知稳压管VD Z的稳压值U Z＝6V，R1＝200Ω，R p=100Ω，R2＝2 00Ω，负载R L=20Ω标出运算放大器A的同相输入端和反相输入端，运算放大器A的上端为反相输入端。

第一章测试1【判断题】(10分)电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。

A.对B.错2【判断题】(10分)电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A.错B.对3【判断题】(10分)第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。

A.错B.对4【判断题】(10分)电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。

A.对B.错5【判断题】(10分)电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A.错B.对6【判断题】(10分)模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。

A.对B.错7【判断题】(10分)计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A.错B.对8【判断题】(10分)数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A.错B.对9【判断题】(10分)含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A.错B.对10【单选题】(10分)下列信号不属于模拟信号的是()A.4~20mA的电流信号B.20Hz~20kHz的音频信号C.灯的亮灭状态D.0~5V的电压信号第二章测试1【判断题】(10分)在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A.对B.错2【判断题】(10分)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A.错B.对3【判断题】(10分)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A.错B.对4【单选题】(10分)理想运算放大器的两个重要结论是A.虚短与虚地B.虚地与反相C.短路和断路D.虚短与虚断5【单选题】(10分)集成运放的线性和非线性应用电路都存在A.虚短与虚断B.虚短C.虚断D.虚地6【多选题】(10分)如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A.B.＋UOMC.无穷大D.-UOM7【单选题】(10分)反相输入积分电路中的电容接在电路的A.同相输入端B.同相端与输出端之间C.反相输入端D.反相端与输出端之间8【单选题】(10分)电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，则V O=A.-1VB.-2VC.1VD.2V9【单选题】(10分)集成运放能处理A.正弦信号B.交流和直流信号C.直流信号D.交流信号10【单选题】(10分)理想运算放大器的输出电阻Ro为A.零B.有限值C.无穷大D.不确定第三章测试1【单选题】(10分)设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A.3VB.6.7VC.15VD.9.7V2【单选题】(10分)用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A.正向电阻反向电阻都小B.正向电阻反向电阻都大C.正向电阻大反向电阻小D.正向电阻小反向电阻大3【单选题】(10分)如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A.击穿B.电流过大而使管子烧坏C.电流为0D.正常导通4【判断题】(10分)二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

第一章测试1【判断题】(8分)信号的三要素是幅值、周期和初相位。

A.对B.错2【多选题】(10分)以下仪器设备中，可用于提供输入信号的是A.函数信号发生器B.DC信号源C.示波器D.交流毫伏表3【多选题】(8分)总体来说，函数信号发生器的功能有A.波形设置B.频率设置C.幅值设置D.自检设置4【单选题】(8分)以下是交流有效值的单位是A.mVppB.VrmsC.dBmD.Vpp5【单选题】(10分)通常，示波器在使用前都需要进行自检。

示波器GDS820C的自检信号波形是A.1kHz2Vpp的正弦波信号B.1kHz2Vpp的方波信号C.1kHz1Vpp的正弦波信号D.1kHz1Vpp的方波信号6【判断题】(8分)调整示波器垂直系统的POSITION旋钮时，改变的是坐标轴横轴的位置，观测的信号也会随之变化。

A.对B.错7【单选题】(10分)若要使示波器观测的波形在垂直方向上压缩显示，则需要将VOLTS/DIVA.右旋至底B.左旋至底C.调大D.调小8【单选题】(10分)调整示波器水平系统的POSITION旋钮时，可以A.改变水平方向每格所代表的时间B.改变坐标轴横轴的位置C.改变波形的完整性D.改变坐标轴纵轴的位置9【单选题】(10分)若要使示波器观测的波形稳定显示，触发电平A.位于最大值上面B.位于最大值和最小值之间C.位于最大值上面位于最小值下面10【单选题】(10分)通常，示波器屏幕上显示波形周期数A.越多越好B.2-3个C.1个D.5个11【判断题】(8分)直流稳压电源GPS-3303A的CH3为5V3A的固定输出端。

A.错B.对第二章测试1【判断题】(6分)信号放大的前提是不失真，不失真的放大，在实验中是通过调试合适的静态工作点来保证的。

A.错B.对2【单选题】(8分)基本放大电路实验中给放大电路提供输入信号的设备是A.DC信号源B.函数信号发生器C.直流稳压电源D.交流毫伏表3【判断题】(8分)在测量放大电路的输入电阻时，需要在信号源和放大电路之间串联一个电阻Rs,其数量级应与放大电路的输入电阻在同一个数量级上。

智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案第一章1、电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。

A:对B:错答案: 对2、电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A:对B:错答案: 错3、第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。

A:对B:错答案: 错4、电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。

A:对B:错答案: 对5、电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A:对B:错答案: 对6、模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。

A:对B:错答案: 错7、计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A:对B:错答案: 错8、数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A:对B:错答案: 错9、含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A:对B:错答案: 对10、下列信号不属于模拟信号的是( )A:0~5V的电压信号B:20Hz~20kHz的音频信号C:4~20mA的电流信号D:灯的亮灭状态答案: 灯的亮灭状态第二章1、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A:对B:错答案: 错2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A:对B:错答案: 对3、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A:对B:错答案: 对4、理想运算放大器的两个重要结论是A:虚地与反相B:虚短与虚地C:虚短与虚断D:短路和断路答案: 虚短与虚断5、集成运放的线性和非线性应用电路都存在A:虚短B:虚地C:虚短与虚断D:虚断答案: 虚断6、如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A:＋UOMB:-UOMC:无穷大D:0答案:＋UOM,-UOM7、反相输入积分电路中的电容接在电路的A:反相输入端B:同相输入端C:反相端与输出端之间D:同相端与输出端之间答案: 反相端与输出端之间8、电路如图所示，若R1=5K&Omega;,R2=R3=10K&Omega;，Vi=1V，则VO=A:-1VB:1VC:-2VD:2V答案:2V9、集成运放能处理A:交流信号B:直流信号C:交流和直流信号D:正弦信号答案: 交流和直流信号10、理想运算放大器的输出电阻Ro为A:零B:有限值C:无穷大D:不确定答案: 零第三章1、设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V答案:B2、用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A:正向电阻小反向电阻大B:正向电阻大反向电阻小C:正向电阻反向电阻都小D:正向电阻反向电阻都大答案:A3、如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A:击穿B:电流为0C:电流过大而使管子烧坏D:正常导通答案:C4、二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

2023年智慧树知道网课《模拟电子技术基础（山东理工大学）》课后期末测试满分答案第一题：什么是电子技术？电子技术（Electronics）是指利用电子器件（如电子管、晶体管、集成电路等）来控制电流和电压的流动以及处理电信号的技术。

它是现代科学和技术的重要基础，广泛应用于通信、计算机、家电、工业控制等领域。

第二题：模拟电子技术与数字电子技术有什么区别？模拟电子技术和数字电子技术是电子技术中两个重要的分支。

它们有以下区别：1.分析对象不同：模拟电子技术主要处理连续变化的物理量信号，如模拟音频、电压等；而数字电子技术主要处理离散变化的状态，如二进制数字信号。

2.处理方式不同：模拟电子技术通过电路中的模拟信号直接处理和变换，比较接近真实物理量的变化；而数字电子技术通过数字电路将连续变化的物理量信号经过采样、量化转换成离散的数字信号进行处理。

3.精度要求不同：模拟电子技术的精度要求较高，通常以信噪比、失真率等参数来衡量；而数字电子技术的精度由数字电路的位数来确定，可以通过增加位数来提高精度。

第三题：放大器的作用是什么？常见的放大器有哪些？放大器是一种用来增大电压、电流或功率的电子器件。

其作用主要是将输入信号放大到所需的幅度，以便能够进行有效的信号处理。

常见的放大器有以下几种：1.差动放大器（Differential Amplifier）：差动放大器是一种基本的放大器电路，具有较好的抗干扰能力和增益稳定性。

2.运放（Operational Amplifier）：运放是一种高增益、直流耦合的电子放大器，常用于模拟电路中的放大、滤波、积分等应用。

3.电子管放大器（Vacuum Tube Amplifier）：电子管放大器是早期使用的一种放大器，通过电子管的电子流控制电流和电压的放大。

4.晶体管放大器（Transistor Amplifier）：晶体管放大器是现代电子设备中常用的放大器，通过晶体管的电流和电压控制实现放大作用。

2020年智慧树知道网课《电子技术基础》课后章节测试满分答案1.引言单元测试是软件开发中的重要环节，通过对代码的小规模测试，可以及早发现和解决问题，提高软件质量和开发效率。

在单元测试中，测试用例的编写和执行是至关重要的步骤。

本文将介绍单元测试的基本概念和测试用例的编写方法。

2.半导体物理2.1 N型半导体和P型半导体的区别在半导体中掺入三价元素可以将其改型为P型半导体，而N型半导体的多子是自由电子，因此它带负电。

2.2 PN结的特性PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

当PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。

当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。

因此，其扩散电流为微安数量级。

2.3 晶体管的工作原理处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

PNP管工作于放大区的偏置条件是发射结正偏导通，集电结反偏。

晶体管工作于放大区时，流过发射结的电流主要是扩散电流。

当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏、后者反偏。

3.放大电路3.1 放大电路的基本概念只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

3.2 直接耦合放大电路的问题直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是晶体管参数受温度影响。

集成放大电路采用直接耦合方式的原因是放大交流信号。

4.结论本文介绍了单元测试、半导体物理和放大电路的基本概念和相关知识点。

对于软件开发人员和电子工程师来说，掌握这些知识是非常重要的。

在实践中，我们需要不断地研究和总结，提高自己的技能水平。

S=0,R=1D.S=R=0答案：D。

输入S和R都为0时，锁存器保持原态不变。

2判断题】(10分)D触发器的输入端只有一个数据输入端，没有时钟输入端。

A.错B.对答案：A。

D触发器有一个数据输入端和一个时钟输入端。

3单选题】(10分)在计算机中，常用的存储器有（）A.RAM和ROMB.EPROM和EEPROMC.SRAM和DRAMD.以上都是答案：D。

可编辑修改精选全文完整版第一章测试1【判断题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3VA.对B.错2【判断题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0VA.对B.错3【单选题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）VA.3B.C.1D.24【单选题】(10分)电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）VA.2.4B.2.3C.2.2D.2.15【判断题】(10分)稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好•A.对B.错6【判断题】(10分)稳压管的正常工作区是反向区A.错B.对7【判断题】(10分)二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化A.对B.错8【判断题】(10分)扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的A.对B.错9【判断题】(10分)当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置A.对B.错10【判断题】(10分)在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A.错B.对第二章测试1【单选题】(10分)共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）A.3B.4C.2D.12【判断题】(10分)共集电极放大电路的输入电阻比较高A.对B.错3【判断题】(10分)共集电极放大电路的输出电阻比较低A.错B.对4【判断题】(10分)共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路A.对B.错5【判断题】(10分)直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化A.对B.错6【判断题】(10分)不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗A.错B.对7【判断题】(10分)若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管A.对B.错8【判断题】(10分)由于I CBO对温度非常敏感，当温度升高时，I CBO增高很快，所以I CEO增加得也很快，I C也就相应增加••A.对B.错9【判断题】(10分)Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。

绗?绔?鍗曞厓娴嬭瘯1銆丳N缁撶殑鍙嶅悜鍑荤┛涓紝锛?锛夋槸鍙€嗙殑銆?绛旀锛氱儹鍑荤┛2銆佸湪鍏卞皠鏀惧ぇ鐢佃矾涓紝褰擄紙锛夋椂锛岀О鏀惧ぇ鐢佃矾澶勪簬闈欐€併€?绛旀锛?22daa28ba6107448716d5865cc99d4a3銆佹櫤鎱ц亴鏁?,鎵€浠ュ湪鍐呮湁鏍广€?绛旀锛?4銆佹櫠浣撶閫氳繃鏀瑰彉锛? 锛夋潵鎺у埗闆嗙數鏋佺數娴併€?绛旀锛氬熀鏋佺數娴?5銆佸浜庢斁澶х姸鎬佺殑鏅朵綋绠★紝闆嗙數鏋佺數娴佹槸澶氬瓙婕傜Щ杩愬姩褰㈡垚鐨勩€傦紙锛?绛旀锛氶敊绗?绔?鍗曞厓娴嬭瘯1銆佺數璺腑鍚勭數娴佺殑浜ゆ祦鎴愬垎鏄氦娴佷俊鍙锋簮鎻愪緵鐨勩€傦紙锛?绛旀锛氶敊2銆佸湪鐢靛瓙绾胯矾涓紝涓€鑸敤杈撳嚭鐢甸樆RO鏉ヨ閲忔斁澶у櫒鐨勫甫璐熻浇鑳藉姏锛孯O瓒婂皬锛屽甫璐熻浇鑳藉姏瓒婂急銆?绛旀锛氶敊3銆佸凡鐭ユ煇鍩烘湰鏀惧ぇ鐢佃矾鍘熸潵涓嶅瓨鍦ㄩ潪绾挎€уけ鐪燂紝浣嗗湪澧炲ぇ闆嗙數鏋佺數闃籖c鍚庡嚭鐜颁簡澶辩湡锛岃繖涓け鐪熷繀瀹氭槸锛? 锛夈€?绛旀锛氶ケ鍜?4銆佽绠楁斁澶х數璺殑闈欐€佸伐浣滅偣鏃讹紝蹇呴』鎸夛紙锛夋潵鑰冭檻锛岃绠楃數鍘嬫斁澶у€嶆暟鍒欏簲鎸夛紙锛夋潵鑰冭檻銆?绛旀锛氱洿娴侀€氳矾浜ゆ祦閫氳矾5銆佸浘瑙ｆ硶涓嶉€備簬鍒嗘瀽鍗曠骇鏀惧ぇ鍣ㄧ殑鍝竴椤规寚鏍囷紵绛旀锛氳緭鍏ョ數闃诲強杈撳嚭鐢甸樆绗?绔? 鍗曞厓娴嬭瘯1銆佸绾ф斁澶х數璺殑鏀惧ぇ鍊嶆暟鏄紵绛旀锛氬悇绾х數鍘嬫斁澶у€嶆暟鐨勪箻绉?2銆佷负瀹炵幇闃绘姉鍖归厤锛屽绾ф斁澶х數璺疁閲囩敤鍏夌數鑰﹀悎鏂瑰紡銆?绛旀锛氶敊3銆侀樆瀹硅€﹀悎鐢佃矾鍚勭骇闈欐€佸伐浣滅偣鐩镐簰鐙珛锛岃绠楁柟娉曞悓鍗曠鏀惧ぇ鐢佃矾銆?绛旀锛氬4銆佸湪瀵瑰绾ф斁澶х數璺繘琛屽姩鎬佸垎鏋愭椂锛屽悗涓€绾т綔涓哄墠涓€绾х殑锛? 锛夛紝鍓嶄竴绾т綔涓哄悗绾х殑锛?锛夈€?绛旀锛氳礋杞? 淇″彿婧?绗竴绔?1銆丳N缁撶殑鍙嶅悜鍑荤┛涓紝锛? 锛夋槸鍙€嗙殑銆?A:鐑嚮绌?B:鐢靛嚮绌?姝ｇ‘绛旀锛氱儹鍑荤┛2銆佸湪鍏卞皠鏀惧ぇ鐢佃矾涓紝褰擄紙锛夋椂锛岀О鏀惧ぇ鐢佃矾澶勪簬闈欐€併€?A:B:姝ｇ‘绛旀锛欳3銆佸綋鏅朵綋绠″伐浣滃湪鏀惧ぇ鍖烘椂锛孭NP绠″悇鏋佺數浣嶅叧绯讳负锛歶C锛? 锛塽BuE锛汚.锛?B.锛?C.锛?A:B:C:姝ｇ‘绛旀锛欱4銆佹櫠浣撶閫氳繃鏀瑰彉锛? 锛夋潵鎺у埗闆嗙數鏋佺數娴併€?A:鍩烘瀬鐢垫祦B:鍩烘瀬鐢靛帇C:鍙戝皠鏋佺數娴?姝ｇ‘绛旀锛氬熀鏋佺數娴?5銆佸浜庢斁澶х姸鎬佺殑鏅朵綋绠★紝闆嗙數鏋佺數娴佹槸澶氬瓙婕傜Щ杩愬姩褰㈡垚鐨勩€傦紙锛?A:瀵?B:閿?姝ｇ‘绛旀锛氶敊绗簩绔?1銆佺數璺腑鍚勭數娴佺殑浜ゆ祦鎴愬垎鏄氦娴佷俊鍙锋簮鎻愪緵鐨勩€傦紙锛?A:瀵?B:閿?姝ｇ‘绛旀锛氶敊2銆佸湪鐢靛瓙绾胯矾涓紝涓€鑸敤杈撳嚭鐢甸樆RO鏉ヨ閲忔斁澶у櫒鐨勫甫璐熻浇鑳藉姏锛孯O瓒婂皬锛屽甫璐熻浇鑳藉姏瓒婂急銆?A:瀵?B:閿?姝ｇ‘绛旀锛氶敊3銆佸凡鐭ユ煇鍩烘湰鏀惧ぇ鐢佃矾鍘熸潵涓嶅瓨鍦ㄩ潪绾挎€уけ鐪燂紝浣嗗湪澧炲ぇ闆嗙數鏋佺數闃籖c鍚庡嚭鐜颁簡澶辩湡锛岃繖涓け鐪熷繀瀹氭槸锛? 锛夈€?A:鎴B:楗卞拰C:浜よ秺D:棰戠巼姝ｇ‘绛旀锛氶ケ鍜?4銆佽绠楁斁澶х數璺殑闈欐€佸伐浣滅偣鏃讹紝蹇呴』鎸夛紙锛夋潵鑰冭檻锛岃绠楃數鍘嬫斁澶у€嶆暟鍒欏簲鎸夛紙锛夋潵鑰冭檻銆?A:鐩存祦閫氳矾鐩存祦閫氳矾B:浜ゆ祦閫氳矾鐩存祦閫氳矾C:鐩存祦閫氳矾浜ゆ祦閫氳矾D:浜ゆ祦閫氳矾浜ゆ祦閫氳矾姝ｇ‘绛旀锛氱洿娴侀€氳矾浜ゆ祦閫氳矾5銆佸浘瑙ｆ硶涓嶉€備簬鍒嗘瀽鍗曠骇鏀惧ぇ鍣ㄧ殑鍝竴椤规寚鏍囷紵A:闈欐€佸伐浣滅偣B:闈炵嚎鎬уけ鐪?C:鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟D:杈撳叆鐢甸樆鍙婅緭鍑虹數闃?姝ｇ‘绛旀锛氳緭鍏ョ數闃诲強杈撳嚭鐢甸樆绗笁绔?1銆佸绾ф斁澶х數璺殑鏀惧ぇ鍊嶆暟鏄紵A:鍚勭骇鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟鐨勫彔鍔?B:鍚勭骇鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟鐨勪箻绉?C:鍚勭骇鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟鐨勫樊D:鍚勭骇鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟鐨勫晢姝ｇ‘绛旀锛?2銆佷负瀹炵幇闃绘姉鍖归厤锛屽绾ф斁澶х數璺疁閲囩敤鍏夌數鑰﹀悎鏂瑰紡銆?A:瀵?B:閿?姝ｇ‘绛旀锛?3銆侀樆瀹硅€﹀悎鐢佃矾鍚勭骇闈欐€佸伐浣滅偣鐩镐簰鐙珛锛岃绠楁柟娉曞悓鍗曠鏀惧ぇ鐢佃矾銆?A:瀵?B:閿?姝ｇ‘绛旀锛?4銆佸湪瀵瑰绾ф斁澶х數璺繘琛屽姩鎬佸垎鏋愭椂锛屽悗涓€绾т綔涓哄墠涓€绾х殑锛? 锛夛紝鍓嶄竴绾т綔涓哄悗绾х殑锛?锛夈€?A:淇″彿婧?淇″彿婧?B:淇″彿婧?璐熻浇C:璐熻浇璐熻浇D:璐熻浇淇″彿婧?姝ｇ‘绛旀锛?5銆佸绾ф斁澶х數璺殑鑰﹀悎鏂瑰紡鏈夌洿鎺ヨ€﹀悎銆侀樆瀹硅€﹀悎銆佸彉鍘嬪櫒鑰﹀悎鍜屽厜鐢佃€﹀悎绛夈€?A:瀵?B:閿?。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案第⼀章1、6.N型半导体中的多数载流⼦是（）。

A:⾃由电⼦B:空⽳C:正离⼦D:负离⼦答案: ⾃由电⼦2、4.场效应管的控制⽅式为（）。

A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电压控制输出电流C:输⼊电流控制输出电流D:输⼊电压控制输出电压答案: 输⼊电压控制输出电流3、3.在放⼤电路中，若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。

A:NPN硅管B:PNP锗管C:NPN锗管D:PNP硅管PNP硅管PNP硅管PNPPNP硅管PNP硅管答案: NPN锗管4、2.测得某⼯作在放⼤区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流放⼤系数β=( )。

A:60B:75C:80D:100答案: 605、1.稳压⼆极管稳压时，其⼯作在( ) 。

A:正向导通区B:反向截⽌区答案: 反向击穿区第⼆章1、82.晶体管的控制⽅式为。

A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电流控制输出电流C:输⼊电压控制输出电压D:输⼊电压控制输出电流答案: 输⼊电流控制输出电流2、13.在共射、共集、共基三种放⼤电路中，（）。

A:都有电压放⼤作⽤B:都有功率放⼤作⽤C:都有电流放⼤作⽤D:只有共射电路有功率放⼤作⽤答案: 都有功率放⼤作⽤3、12.共发射极放⼤电路中,输出电压uo与输⼊电压ui之间的关系是（）。

A: 两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压B:两者相位差90，且⼤⼩相等C:两者同相，输出电压近似等于输⼊电压D:两者反相，且⼤⼩相等答案:两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压4、11.晶体管⼯作在放⼤状态的条件是（）。

A:发射结正偏、集电结反偏B:发射结正偏、集电结正偏C:发射结反偏、集电结反偏D:发射结反偏、集电结正偏答案: 发射结正偏、集电结反偏5、10.放⼤电路“放⼤”的本质是（）。

A: ⽤输⼊信号控制电源的能量和转换B:iB对iC或uGS对iD的控制C:将较⼩能量转换为较⼤能量D:三极管的电流分配作⽤答案:⽤输⼊信号控制电源的能量和转换6、要求电压放⼤倍数的数值⼤于10，输⼊电阻⼤于10MΩ，输出电阻⼩于100Ω，第⼀级应采⽤A:共射电路D:共源电路E:共漏电路答案: 共集电路第三章1、101.差动放⼤电路中，所谓差摸信号是指两个输⼊信号（）。

模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。

（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。

A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。

A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。

A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。

（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。

A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。

A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。

A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。

（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。