山东理工大学模拟电子技术A答案

第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。

题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解：波形如题8解图所示。

题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

模拟电子技术试题（A ）参考答案与评分标准考试时间:100分钟 考试方式:闭卷 考试日期: 年 月 日一、 是非题（32分）（各小题分数见卷面，与标准答案不同者为错）（1）V （2 ） X （3）V （4） X （5） V （6） X （7） X （8）X （9）X （10） X （11）X （12）X （13）V （14）X （15）X （16）X 二、解3分3分三、计算题（12分）5分4分3分四、计算题 （10分）解。

（1） 根据RC 串并联选频网络的参数，分318.3101010502121633ZKHRCf =⨯⨯⨯⨯==--ππ（2） 当振荡频率变为10K Z ，R=100K ，相应的电容变为：PFRf C 159101010100212133=⨯⨯⨯⨯==ππ 3分（3）、R 2>=200K 4分（4）. 微变等效电路: 3分 （2）.动态参数： 3分1 r i = R B 1 //R B2[ r be1 +（β +1)R E1 ]= 40 // 50 ≈22.2K 2r o = R C = 2K3 us i ius A R r r A ∙∙⋅+=968.0151629.0150)1(//1-≈⨯+⨯-=++-=∙E be C L u R r R R A ββ947.0)968.0(5.02.222.22-=-⨯+=∙us A 21i o u u -=)(1211o Fi F o u R R u R R u +-=s U ∙i 1122i Fi F o u R R u R R u -=五、计算题（12分）（1）U 2=0.9U 1=9V 4分 U DRM =1.414U=14.1V 2分 （2）U 2=1.2U 1=12V 4分 二极管所承受的最高反向电压U DRM =1.414U=14.1V 2分 六、简述题（10分）（1）D 1、D 2 消除交越失真 5分 （2）R 1、R 2 在电路中稳定静态工作点的作用 4分七、计算题（12分）BBEQCC BQ R U U I -=,BQCQI Iβ=,C CQ CC CEQR I U U-= 3分分)mA (mV)(26)1(300EQ be I r β++=21,//C o be B i R r r R r == 3分))1((//22222121121E be c be c u u u R r R r r R A A A βββ++-⨯-=⨯= 3分i o ∙。

《模拟电子技术》试题（A 卷）答案（20××级电气工程及其自动化专科）一、填空题（每空1分，共20分）1.点接触，面接触；2.反向，反向；3.小越好；4.正向，死区（门坎），甲乙类；5.不同，轮流，相同；6. 0， ∞；7.越强，最强；8.∣1+AF ∣>>1，∣1+AF ∣；9.放大，选频，正反馈二、判断题（每小题1分，共10分）1~10. √ × √ × × √ √ × × √三、选择题（每小题1分，共10分）1~10. a c b a c c a b c a四、计算题（60分）1.(15分) 解：小信号等效电路如图3.4.4(b)所示：Q 点：I B =A =⨯+=-μ4010300123b CC R V I C =440100=A ⨯=μβb I mA—V CE =V CC —I C C RV V CE 42412-=⨯+-=∴mA)(mV )(26)1(E bb'be I r r β++=≈200+101Ω=⨯5.856426 增益：A V = —be L C r R R )//(β= —10067.1555.856104//23-=⨯⨯ 输入电阻：R Ω=≈=5.856//be be b i r r R输出电阻：R Ω==k R C o 22.（10分）解：92.0129.01129.01m m V =⨯+⨯=+=R g R g AΩ=+=+=k R R R R g g g i 2075100//3002000//213 Ω===k g R R m O 02.19.01//121// 3.（15分）解：双入—双出时33.131020102010102)//(3321-=⨯+⨯⨯⨯-=-=-=-DS d m id O O VD r R g A υυυ双入—单出时 67.6211-==VD VD A A 共模输入电压 S gS m gS iC R g 2.υυυ+= 共模输出电压 d gS m OC R g .υυ-= ∴共模增益 49.0102211022.11-=⨯⨯+⨯-=+-==S m d m iC OC VC R g R g A υυ 共模抑制比 7.1349.067.6||11===VC VD CMR A A K 4.（10分）解：V P N O 3111-===υυυV P N O 4222+===υυυ 由虚断 V V R R R p 2330153035453=⨯+=+=υ 而 33232131R R R O N N O N O υυυυυυ-=-+-])111[(221132133R R R R R R O O N O υυυυ--++=∴ V P N 233==υυ V O 5]3043032)301301301[(30=---⨯++⨯=∴υ 5.（10分）解：O fN R R R υυ+=33 21211222121222)(R R R R R R R s s s s s S R P ++=+-+=+=υυυυυυυυ 由虚短，有 P N υυ=2121123)1(R R R R R R s s f O +++=∴υυυ 当f R R R R ===321时， 21s s O υυυ+=。

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

,考试作弊将带来严重后果！理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类06级，2008.07.11）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答，其它题直接答在试卷纸上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共 四 大题，满分100分，考试时间120分钟。

选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分，共20分）1．在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。

A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2．增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路，要求则其栅源间电压GS u （ ） A ．GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3． 在共射基本放大电路中，适当增大集电极负载电阻R C ，电压放大倍数和输出电阻将( )A ．放大倍数变大，输出电阻变大B ．放大倍数变大，输出电阻不变C ．放大倍数变小，输出电阻变大D ．放大倍数变小，输出电阻变小4． 如右图所示电路中，晶体管≈100，估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为（ ）A ．011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5．NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。

A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7． 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，便可以得到幅频特性和相频特性，条件是（ ）。

《模拟电子技术》考试试卷答案使用班级： 命题教师：考核方式：闭卷考试 考试时间：100分钟1. N 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，P 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，PN 结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。

2. 发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，则三极管处于饱和状态。

3. 当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。

4. 两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB ，第二级电压增益为26dB ，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB 。

5. 差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V ，Ui2=1.98V ，则该电路的差模输入电压Uid 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V ，共模输入电压Uic 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V 。

6. 集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区，在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。

7. 在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈，为了降2分，共40分）1、一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ ）。

A 、有微弱电流B 、无电流C 、有瞬间微弱电流 2、晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ ）。

A 、增加 B 、下降 C 、不变 3、三极管的反向电流I CBO 是由（ ）组成的。

A 、多数载流子B 、少数载流子C 、多数载流子和少数载流子 4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ ）。

Ａ、强 Ｂ、弱 Ｃ、一般 ５、射极跟随器具有（ ）特点。

Ａ、电流放大倍数高 Ｂ、电压放大倍数高 Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低６、引入并联负反馈，可使放大器的（ ）。

Ａ、输出电压稳定 Ｂ、反馈环内输入电阻增加 Ｃ、反馈环内输入电阻减小７、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（ ）。

Ａ、好 Ｂ、差 Ｃ、相同８、工作在线性区的运算放大器应置于（ ）状态。

《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案（A ）一、（12分）解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。

二．（15分）解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r uββββ∥∥∥（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'L R R R A u+-≈ ≈－1.92。

三．（15分）四．（15分） 解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥βmA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U ＋ A d 和R i 分析如下：Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV26)1(W be i Wbe cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ五．（15分）解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A六． （10分）解：各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下：13fo i o f 1 (h)R R U U U U A u +=≈= 七． 解：由图可知R i ＝50k Ω，u M ＝－2u I 。

模拟电子技术基础（山东理工大学）智慧树知到课后章节答案2023年下山东理工大学山东理工大学第一章测试1.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3VA:对 B:错答案:对2.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0VA:错 B:对答案:对3.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）VA:2 B:1 C:0 D:3答案:04.电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）VA:2.1 B:2.3 C:2.2 D:2.4答案:2.35.稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好–A:错 B:对答案:错6.稳压管的正常工作区是反向区A:对 B:错答案:错7.二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化A:对 B:错答案:对8.扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的A:错 B:对答案:对9.当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置A:错 B:对答案:对10.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A:对 B:错答案:对第二章测试1.共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）A:4 B:1 C:3 D:2答案:12.共集电极放大电路的输入电阻比较高A:对 B:错答案:对3.共集电极放大电路的输出电阻比较低A:对 B:错答案:对4.共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路A:对 B:错答案:对5.直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化A:对 B:错答案:对6.不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗A:对 B:错答案:错7.若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管A:对 B:错答案:错由于I CBO对温度非常敏感，当温度升高时，I CBO增高很快，所以I CEO增加得也很快，I C也就相应增加––A:对 B:错答案:对9.Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。

逻辑状态表如下所示，指出能实现该功能的逻辑部件是输 输 出入 B A Y 0 0 0 Y 1 0 1 Y 2 1 0 Y 3 1 1相应的十进制数为逻辑式为=A B C D =ABCD ()()A B C D ⋅⋅脉冲后的新状态为Q 1Q 0Q 0Q 0K 0Q 1Q 1J 1K 1的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端有 个。

C.10 线，输出应有 线。

A.3 的表达式 。

A芯片和与非门设计的电路如图所示，计数长度为 。

（A）卷 10/11学年第一学期班级：姓名：学号：山东理工大学《数字电子技术A》试卷纸（A）卷 10/11学年第一学期班级：姓名：学号：采用同步级联，用CR端设计。

《数字电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准1） S A B =⊕ 2分 C A B =⋅ 2分四、（10分）S C R R R T 5321104.8)(7.0-⨯=++= 3分KHZ f 9.11≈ 3分C R R C R T )(7.0~7.02111+=%7.91~%3.81211~121~3212132111≈=+++++==R R R R R R R R R T T D 4分五、（12分）100==K J ; 1021==K Q J n; 1212==K Q J n 3分 ↓=+C Q Q n n 010; ↓=+01211Q Q Q Q n n n ; ↓=+C Q Q Q nn n 1212 3分状态表3分101→000→001←100←011←110↑ ↓111←010 3分 六、（8分）（6分）七、（10分）632638421(111111)(01100011)BCDm m ==(5分)（5分）八、(10分)1. 用与非门设计(5分)状态表CB A BC AC AB Y ⋅= 图略2. 用74LS138和与非门设计(5分)7650376530Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y ⋅⋅⋅⋅=++++=，如ABC 画错扣1分，S1、S2、S3画错扣1分九、(8分)D0=D1=D; D3=1;D2=D4=D5=D6=D7=D ; (7分) G=0; S2=A;S1=B;S0=C;Z=Y 。

**********2013－2014 学年第一学期出题教师：【模拟电子技术基础】课程试题(A卷) 【闭卷考试】姓名学号专业及班级本试卷共有3道大题一、填空题（满分20分，每空1分，共13道小题）1. PN结加正向电压时，空间电荷区将。

2.在本证半导体中加入价元素可形成N型半导体。

3. 用电流表电压测得放大电路中某三极管各级电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是、、，该管是型。

4.晶体管组成的基本放大电路有、、、三种基本接法。

6.多级放大电路有四种常见的耦合方式：、、、。

7.为了综合考察差分放大电路对差模信号的放大能力和对共模信号的抑制能力，引入的指标参数是。

8.为了稳定静态工作点应该引入负反馈，为了稳定放大电路的输出电压，则应该引入负反馈。

9. 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

10. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大的。

12. 电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大。

13.若电路引入了深度负反馈，则放大倍数几乎仅仅决定于，而与基本放大电路无关。

二、选择题（满分20分，每小题2分，共10道小题）1. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应( )A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者反偏、后者正偏D. 前者正偏、后者也正偏2. 工作在放大区的某三极管，如果当B I 从11 μA 增大到22 μA ，C I 从1 mA 变为2 mA ，那么它的β约为( ) A. 83 B. 91 C. 100 D. 1503.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )A. 便于设计B. 放大交流信号C. 放大直流信号D. 不易制作大容量电容 4. 在输入变量不变的情况下，若引入反馈后( D )，则说明引入的反馈是负反馈A. 输入电阻增大B. 输出量增大C. 净输入量增大D. 净输入量减小 5. 为增大放大电路的输入电阻，应引入( )负反馈 A.电压 B. 电流 C. 串联 D. 并联6. 在单项桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )A. 输出电压约为2D UB. 输出电压约为0.5D UC. 变为半波整流D. 整流管将烧坏 7. 电 路 如 图1，设1Z D 的 稳 定 电 压 为 6 V ，2Z D 的 稳 定 电 压 为 12V ， 设 稳 压 管 的 正 向 压 降 为 0.7 V ，则 输 出 电 压U o 等 于( ) A. 18 V B. 6.7 V C. 12.7 V D. 6 V图18. 图2电路中，电阻R E 的作用是( )A. 仅对共模信号起负反馈作用B. 仅对差模信号起负反馈作用C. 对共模、差模信号都起负反馈作用D. 对共模、差模信号都无负反馈作用图29. 图3所示电路中，若u I1=10 mV ，u I2=5 mV ，则共模输入信号u IC 为( ) A. 10 mV B. 5 mV C. 7.5 mV D. 15 mV图310. 当有用信号的频率低于100Hz 时，应采用( )滤波电路 A. 低通 B. 高通 C. 带通 D. 带阻 三、 计算题（要求写出计算过程，只写结果的不加分）（满分60分）1、（10分）电路如图(a )所示，图(b )是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。

2023年智慧树知道网课《模拟电子技术基础（山东理工大学）》课后期末测试满分答案第一题：什么是电子技术？电子技术（Electronics）是指利用电子器件（如电子管、晶体管、集成电路等）来控制电流和电压的流动以及处理电信号的技术。

它是现代科学和技术的重要基础，广泛应用于通信、计算机、家电、工业控制等领域。

第二题：模拟电子技术与数字电子技术有什么区别？模拟电子技术和数字电子技术是电子技术中两个重要的分支。

它们有以下区别：1.分析对象不同：模拟电子技术主要处理连续变化的物理量信号，如模拟音频、电压等；而数字电子技术主要处理离散变化的状态，如二进制数字信号。

2.处理方式不同：模拟电子技术通过电路中的模拟信号直接处理和变换，比较接近真实物理量的变化；而数字电子技术通过数字电路将连续变化的物理量信号经过采样、量化转换成离散的数字信号进行处理。

3.精度要求不同：模拟电子技术的精度要求较高，通常以信噪比、失真率等参数来衡量；而数字电子技术的精度由数字电路的位数来确定，可以通过增加位数来提高精度。

第三题：放大器的作用是什么？常见的放大器有哪些？放大器是一种用来增大电压、电流或功率的电子器件。

其作用主要是将输入信号放大到所需的幅度，以便能够进行有效的信号处理。

常见的放大器有以下几种：1.差动放大器（Differential Amplifier）：差动放大器是一种基本的放大器电路，具有较好的抗干扰能力和增益稳定性。

2.运放（Operational Amplifier）：运放是一种高增益、直流耦合的电子放大器，常用于模拟电路中的放大、滤波、积分等应用。

3.电子管放大器（Vacuum Tube Amplifier）：电子管放大器是早期使用的一种放大器，通过电子管的电子流控制电流和电压的放大。

4.晶体管放大器（Transistor Amplifier）：晶体管放大器是现代电子设备中常用的放大器，通过晶体管的电流和电压控制实现放大作用。

第一章测试1.对于PN结,设P区电位为Up、N区点位为UN,说法正确的是： ( )。

A:Up<UNB:Up≥UNC:Up>UND:Up≤UN答案:A2.关于PN结内电场的方向,说法正确的是:( )。

A:由P区指向N区B:与外电场相同C:与外电场相反D:由N区指向P区答案:D3.当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,形成了一个稳定的空间区域:P区呈负电荷、N区呈正电荷,该区的名称为：（）。

A:空间电荷区B:PN结C:耗尽层D:势垒答案:ABCD4.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

A:错B:对答案:B5.由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。

A:对B:错答案:B6.当PN结外加正向电压时,扩散电流 ( ) 漂移电流。

A:等于B:小于C:大于答案:C7.当PN结外加正向电压时,耗尽层( )。

A:变宽B:变窄C:不变答案:B8.当PN结加正向电压(正向偏置)时,A:内电场增强B:耗尽层变窄C:内电场减小D:耗尽层变宽答案:BC9.当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小。

A:对B:错答案:A10.当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。

A:对B:错答案:B11.常温下,温度电压当量UT的数值为:( )。

A:26mVB:26VC:2.6uVD:260V答案:A12.PN结反向电流Is的合理数值为:( )。

A:uAB:100mAC:1AD:mA答案:A13.当PN结加正向电压(正向偏置)时,随着电压增大,电流( ).A:指数式上升B:对数式上升C:比例式上升D:越来越快地上升答案:D14.当PN结加反向电压(反向偏置),如果电压数值达到U(BR), 则PN结( ).A:反向电流很小B:反向电流很大C:产生电击穿D:会被烧毁答案:BC15.温度电压当量UT与温度、PN结面积都有关。

A:对B:错答案:B16.PN结反向电流Is与温度有关。

习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。

（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。

（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

（）（6）在集成电路中元件的对称性差。

（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。

题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。