模电复习

1.放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。

2.理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压为零，称为虚短；二是输入电流为零，称为虚断。

3.同相比例运算电路中反相输入端为虚地，同相比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。

同相比例运算电路输入电阻大，反相比例运算电路的输入电阻小。

4.单门限电压比较器的基准电压Ur=0时，输入电压每经过一次零值，输出电压就要产生一次越变，这时的比较器称为过零比较器。

1.国产集成运放有3种封闭形式，目前国内应用最多的是（C ）。

A．扁平式 B. 圆壳式 C. 双列直插式2.（ B ）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。

A．同相 B. 反相 C. 双端3.基本积分电路中的电容器接在电路的（ C ）。

A．反相输入端 B. 同相输入端 C. 反相端与输出端之间1.集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。

（对）2.同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。

（错）简答题1.直流电源通常由哪几部分组成？各部分的作用是什么？4.使输出电流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，获得足够的稳定性。

2.集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？输入级：利用差动放大电路的对称特性来提高整个电路的共模抑制比和电路性能。

中间级：提高电压增益输出级：降低输出电阻，提高带负载能力。

偏置电路：向集成运放内部各级电路提供合适又稳定的静态工作点电流。

计算题1. 电路如图所示：求解输出电压与输入电压的运算关系式。

答：设计题设计一个比例运算电路，要求平衡电阻R2=20KΩ，比例系数为30。

《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。

模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。

答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。

答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。

答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。

答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。

答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。

答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。

输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。

中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。

输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。

运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。

2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。

答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。

在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。

四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

总复习第1章 直流电路一、电流、电压、电位参考方向与实际方向关系在电路分析中，我们常在电路中选择一个点作为参考点，电路中某一点到参考点的电压就称谓这个点的电位。

参考点又称零电位点。

电路中a 、b 点两点间的电压等于a 、b 两点的电位差。

b a ab u u u -= 二、电功率电场力在单位时间内所做的功称为电功率，简称功率。

dtdWp =关联方向时：p ＞0时吸收功率，p ＜0时放出功率。

三、电压源与电流源等效变换：为了便于分析电路，常常用等效变换的方法简化或变换电路结构，但变换后的电路与原电路伏安特性不变。

实际电源模型及其等效变换 o IR U U s -=oR U I I s -= 四、简单的电阻电路串联电阻具有分压作用 并联电阻具有分流作用 五、基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL ）——基尔霍夫第一定律 在任一瞬时，通过任一节点电流的代数和恒等于零。

0i =∑2、基尔霍夫电压定律（KVL ）——基尔霍夫第二定律 在任一瞬时，沿任一回路电压的代数和恒等于零。

0u =∑任意设定回路绕行方向，电压参考方向与回路绕行方向一致时取正号，相反时取负号。

六、支路电流法支路电流法是以支路电流为未知量，直接应用KCL 和KVL ，分别对节点和回路列出所需的方程式，然后联立求解出各未知电流。

一个具有m 条支路、n 个节点的电路，根据KCL 可列出（n －1）个独立的节点电流方程式，根据KVL 可列出m －(n －1)个独立的回路电压方程式。

1、支路电流法2、节点电位分析法七、叠加定理：适用于线性电路八、戴维南定理、诺顿定理：适用于线性电路 九、受控源分类及表示方法第3章 交流电路一、正弦交流电：)sin(u m t U u θω+=，)sin(i m t I i θω+=振幅、角频率和初相称为正弦量的的三要素。

周期、频率、角频率：f 2T2ππω== 相位、初相和相位差 交流电的有效值、振幅：2I I m =，2U U m =二、正弦量的相量表示法)sin(i m t I i θω+=，i m j m m I e I I i θθ∠== ，I I m 2=，U U m 2= 三、KCL 、KVL 的相量形式：KCL ：0=∑I，KVL ：0=∑U 四、 单一元件参数电路在以下的推导过程中，设元件两端的电压和流过元件的电流均采用关联参考方向。

模拟电子技术基本知识点复习1．半导体二极管和三极管(1)导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

(2)硅和锗是常用的两种半导体材料。

(3)纯净半导体称为本征半导体。

(4)半导体在热(或别的外能)作用下，少数价电子离开共价键，产生自由电子(以下简称电子)和空穴，这种现象称本征激发。

(5)电子带负电、空穴带正电，能自由移动，均为载流子。

(6)本征激发成对产生电子和空穴，称为电子一空穴对。

(7)电子“跳入”空穴使一对电子、空穴同时消失称为复合。

(8)温度一定时，本征激发和复合动态平衡。

(9)本征半导体中的电流，是电子形成的电流和空穴形成的电流之和，两者方向相同。

(10)硅或锗晶体中掺入五价杂质元素(如磷、砷)形成N型半导体，其多数载流子(以下简称多子)是电子，少数载流子(以下简称少子)是空穴，还有不能自由移动的正离子。

N型半导体也称为电子型半导体。

(11)硅或锗晶体中掺入三价杂质元素(如硼、铟)形成P型半导体，多子是空穴，少子是电子，还有不能自由移动的负离子。

P型半导体也称为空穴型半导体。

(12)N型半导体中的杂质原子能提供电子，称为施主杂质。

(13)P型半导体中的杂质原子因吸收电子，称为受主杂质。

(14)多子由杂质原子提供，多子浓度决定于掺杂浓度。

(15)少子由本征激发产生，少子浓度主要取决于温度。

(16)发生于N型和P型交界面，由浓度差产生的多子运动称为多子扩散运动。

(17)形成于N型和P型交界面的PN结，也称为空间电荷区、势垒区、阻挡层、耗尽层。

(18)PN结中，空间电荷形成的电位差称为势垒，形成的电场称为自建电场。

(19)自建场不利于多子扩散，有利于少子漂移。

(20)PN结没有外施电压时，多子形成的扩散电流与少子漂移形成的漂移电流大小相等、方向相反，流过 PN结的净电流为零。

即多子扩散与少子漂移动态平衡。

(21)当N区和P区掺杂浓度不相等时，浓度高的一侧，其耗尽层宽度小于浓度低的一侧，这种PN结称为不对称PN结。

模电复习————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：一、填空题：（每空1分，共30分）1．二极管的单向导电性为：外加正向电压时__导通____，外加反向电压时_截止______。

2．晶体管工作在饱和区时发射结正偏；集电结反偏。

3．三极管按结构分为_ pnp 和 npn 两种类型，均具有两个PN结，即__集电结______和____发射结____。

4．晶体管输出特性曲线分饱和；截止和放大三个区。

5．差动放大电路是有两个结构完全对称的单管放大器组成，因此能有效克服共模信号。

6．共射放大电路三极管静态工作点Q1过低，容易发生截止失真7．为稳定静态工作点应加直流（直流还是交流）反馈。

8．多级放大器常见的耦合方式有直接、阻容和变压器三种。

9．射极输出器是共集电极放大电路。

10．N型半导体中__自由电子_______是多子，P型半导体的主要导电方式是___空穴导电_____。

11．三极管有放大作用的外部条件是发射结__加正向电压______，集电结__加反向电压____。

12．并联电流负反馈可使放大电路的输出电阻增大，输入电阻减小得到电压稳定。

13．直接耦合放大电路存在的两个问题是______级间耦合_____和____零点漂移______。

14．三极管是______电流_____控制器件。

15．选择负反馈的四种基本类型之一填空：(1)需要一个电流控制的电压源，应选____电压并联负反馈_____。

（2）某仪表放大电路要求R i大、输出电流稳定，应选_____电流串联负反馈___。

二、单项选择题：（每题2分，共20分）16．有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V 则晶体管工作在（ C ）状态。

A、放大B、截止C、饱和D、损坏17．电压放大电路和功率放大电路都可用微变等效电路法和图解法进行动态分析（B ）A、正确B、不正确C、无法确定D、基本正确18．要使放大电路输出电流稳定，且输入电阻增大，则采用（A ）A、串联电流负反馈B、并联电流负反馈C、并联电压负反馈D、串联电压负反馈19．如图电路中存在（ D ）负反馈。

《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握：1，二极管、稳压管二极管的伏安特性。

2，三极管的输入特性、输出特性。

3，场效应管的输出特性、转移特性。

理解：1，PN结的单向导电性。

2，三极管的放大作用。

3，场效应管的放大作用。

了解：1，半导体中的两种载流子。

2，N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。

第二章放大电路的基本原理和分析方法（重点）掌握：1，放大的基本概念；放大电路主要技术指标的含义。

2，放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。

3，放大电路的静态工作点（Q点）求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。

（必考）理解：1，三极管放大电路的三种组态（共射、共集、共基）的电路组成、工作原理和性能特点。

2，场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。

了解：1，多级放大电路的三种耦合方式（阻容耦合、变压器耦合、直接耦合）的原理和特点。

2，多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。

3，场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。

第三章放大电路的频率响应掌握：1，频率响应的基本概念。

理解：1，含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。

2，波特图的意义和画法。

了解：1，频率失真的含义。

2，三极管频率参数的含义。

3，多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。

第四章功率放大电路理解：OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理，最大输出功率和效率的估算。

了解：1，功率放大电路的主要特点和类型；2，集成功率放大电路的特点。

第五章集成运算放大电路（重点）掌握：1，集成运放主要技术指标的含义。

2，差分放大电路的静态工作点，以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。

理解：1，差分放大电路的组成和工作原理，以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。

2，各种电流源（镜像电流源、比例电流源、微电流源）的工作原理和特点。

1、在N型半导体中如果参入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（错，原子呈电中性）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

5、PN结加正向电压时，空间电荷区变窄。

6、稳压管的稳压区是其工作在反向击穿。

7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏，后者反偏。

8、在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。

9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。

10、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变成2mA，那么它的β约为100。

第二章1、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（错，其中一项即可。

本质是对功率的放大）2、可以说任何放大电路都有功率放大的作用。

3、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

（错）4、电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的（错）5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

6、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（错）7、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（错）第三章1、要求输入电阻为1kΩ到2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用共射电路，第二级应采用共射电路。

2、要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用共源电路，第二级应采用共射电路。

3、要求输入电阻为100~200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用共基电路，第二级应采用共射电路。

4、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用共源电路，第二级应采用共集电路。

5、设信号源为内阻很大的电压源，要求将信号源电流转换成输出电压，且|Auis|=|Uo/Is|>1000,输出电阻Ro<100，第一级应采用共基电路，第三级应采用共集电路。

模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础（1）电子学的基本概念：电子、电荷、电流、电压等。

（2）半导体物理学：半导体材料的性质、PN结的特性等。

2. 电路基础（1）电路分析方法：基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。

（2）电路中的元件：电阻、电容、电感等实际应用。

二、模拟信号处理1. 信号与系统（1）信号的分类：连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。

（2）系统的分类：线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。

2. 模拟滤波（1）滤波器的分类：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。

（2）滤波器的设计：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。

三、放大电路1. 放大器的基本概念（1）放大器的分类：按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。

（2）放大器的性能参数：增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。

2. 放大电路设计（1）基本放大电路：共射放大器、共集放大器、共基放大器等。

（2）放大电路稳定性分析：稳定性条件、负反馈、电容耦合等。

四、信号发生与调制1. 信号发生器（1）基本信号源：RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。

（2）信号源的稳定性分析：频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。

2. 调制技术（1）调制原理：调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。

（2）调制电路设计：频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。

五、反馈电路1. 反馈的基本概念（1）反馈电路的分类：正反馈、负反馈。

（2）反馈电路的性能：增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。

2. 反馈网络设计（1）反馈网络结构：电流负反馈、电压负反馈。

（2）反馈网络应用：放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。

六、运算放大器1. 运算放大器的特性（1）运算放大器的基本原理：差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。

（2）运算放大器的理想模型：无输入偏置电流、无输入偏置电压等。

2. 运算放大器的应用（1）运算放大器在电路中的基本应用：比较器、积分器、微分器等。

（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。

6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。

8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。

*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。

第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

模电基础知识模拟电路基础复资料一、填空题1.在P型半导体中，多数载流子是空穴，而少数载流子是自由电子。

2.在N型半导体中，多数载流子是电子，而少数载流子是空穴。

3.当PN结反向偏置时，电源的正极应接N区，电源的负极应接P区。

4.当PN结正向偏置时，电源的正极应接P区，电源的负极应接N区。

4.1 本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构完整的半导体。

掺入五价微量元素形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

掺入三价微量元素形成P型半导体，其空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。

4.2 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少数载流子的漂移运动形成的。

4.3 二极管具有单向导电性，由PN结构成。

其主要特性有掺杂性、热敏性、光敏性。

可作为开关、整流、限幅等用途。

硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V，导通压降约为0.2V。

5.三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态。

作为放大器时，应工作在放大状态；作为开关时，应工作在截止或饱和状态。

5.1 三极管具有发射结和集电结两个结，饱和时两个结都应正偏，截止时两个结都应反偏。

放大时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。

5.2 三极管放大电路主要有三种组态，分别是共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。

共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。

共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。

且共基接法的输入电阻比共射接法低。

5.3 共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器，其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。

5.4 单管共射放大电路中，交直流并存，有电压放大作用，有倒相作用。

5.5 微变等效电路法适用条件为微小交流工作信号和三极管工作在线性区。

5.6 图解法优点是既能分析静态，也能分析动态工作情况，直观形象，适合分析工作在大信号状态下的放大电路。

判断题第一章半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。

（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。

（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用。

（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。

（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。

（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。

（对）第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。

第一章第一节1 半导体三大特性搀杂特性热敏特性光敏特性2本征半导体是纯净（无杂质）的半导体。

3载流子(Carrier)指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。

有温度环境就有载流子。

绝对零度（-2730C）时晶体中无自由电子。

4本征激发（光照、加温度q），会成对产生电子空穴对自由电子(Free Electron)空穴(Hole)5 N型半导体：电子型半导体多子(Majority)：自由电子(Free Electron)少子(Minority)：空穴(Hole)自由电子数= 空穴数+ 施主杂质数6 P型半导体：空穴型半导体多子(Majority) ：空穴(Hole)少子(Minority ：自由电子(Free )空穴数= 自由电子数+ 受主杂质数7 对N型半导体Nn · Pn = ni平方其中：nn 为多子, Pn 为少子ni2 为本征载流子浓度同理，P型半导体8结论♦杂质半导体少子浓度–主要由本征激发（Ni2）决定的（和温度有关）♦杂质半导体多子浓度–由搀杂浓度决定（是固定的）9本征半导体中电流♦半导体中有两种电流–漂移电流(Drift Current)–是由电场力引起的载流子定向运动–I =In + Ip♦其中In为电子流，Ip为空穴流♦In和Ip的方向是一致的。

–扩散电流(Diffusion Current)–是由于载流子浓度不均匀（浓度梯度）所造成的。

–由上式可见扩散电流正比于浓度分布线上某点处的斜率dn(x)/dx或dp(x)/dx。

–扩散电流与浓度本身无关。

第二节PN结1 PN结是指使用半导体工艺使N型和P型半导体结合处所形成的特殊结构。

PN结是构成半导体器件的核心结构。

空间电荷区耗尽层自建电场势垒区阻挡层。

2 PN结形成“三步曲”（1）多数载流子的扩散运动。

（2）空间电荷区和少数载流子的漂移运动。

（3）扩散运动与漂移运动的动态平衡。

3势垒区PN结建立在N型和P型半导体的结合处，由于扩散运动，失空穴和电子后形成不能移动的负离子和正离子状态，这个区域称为空间电荷区（耗尽层）。