51单片机资源扩展：扩展片外RAM

c程序#include<reg52.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intint n,m;void main(){unsigned int i;while(1){for(i=0x0000;i<=0x7fff;i++){XBYTE[i]=n;//写入ram}for(i=0x7fff;i>0x0000;i--){m=XBYTE[i];//读外部存储器}}}62256外部ram芯片相关知识：XBYTE是一个地址指针（可当成一个数组名或数组的首地址），它在文件absacc.h中由系统定义，指向外部RAM（包括I/O口）的0000H单元，XBYTE后面的中括号[ ]0x2000H 是指数组首地址0000H的偏移地址，即用XBYTE[0x2000]可访问偏移地址为0x2000的I/O端口。

这个主要是在用C51的P0，P2口做外部扩展时使用，其中XBYTE [0x0002]，P2口对应于地址高位，P0口对应于地址低位。

一般P2口用于控制信号，P0口作为数据通道。

比如：P2.7接WR，P2.6接RD，P2.5接CS，那么就可以确定个外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x4000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是高位的4，当然其余的可以根据情况自己定，然后通过XBYTE [0x4000] = 57;这赋值语句，就可以把57写到外部RAM的0x4000处了，此地址对应一个字节。

XBYTE 的作用,可以用来定义绝对地址,是P0口和P2口的,其中P2口对应的是高位,P0口对应的是低位如XBYTE[0x1234] = 0x56;则等价于mov dptr,#1234hmov @dptr,#56h谢谢大家。

51单片机的RAM区域划分以及常遇到的问题前几天群里有一位同学使用AT89S51这个单片机编程，遇到了一个情况：keil软件的options for Target的Target选项中，其中的Memory Model选项，同样的程序，如果选择Small模式进行编译，把程序下载到单片机内，程序就工作正常；如果选择Large模式进行编译，下载到单片机内程序就工作不正常，这个就是新手偶尔遇到，但是很难分析出原因的内存使用溢出问题。

51单片机的问题，是历史问题，比较复杂，那现在一般一些新型单片机这种问题就简单一些，但是也得注意关于RAM的溢出问题。

RAM是用来保存临时数据的，一旦我们的使用量超过了RAM的大小或者区域，那就可能造成一些不可预知的错误问题。

51单片机的RAM分为片内和片外，标准的51内核是0x00~0x7F 一共128B，而现在的大多数半导体厂商开发的51系列单片机都带了扩展片内RAM，即片内RAM区域一般是从0x00到0xFF一共256B。

随着功能需求越来越多，程序量越来越大，那片内这256B也不够用了，因此又扩展了片外RAM，片外RAM的预留比较大，最大可以从0x0000到0xFFFF一共64KB，当然了，每个具体型号有多大不一定，具体看通过芯片的手册来了解。

而现在的51单片机的片外RAM，“片外”只是一个名词而已，实际上很多也是直接做到了单片机内部，但是访问地址，还是以外部的起始地址的方式。

就是说，片内RAM的地址从0x00到0xFF，而片外是从0x0000到0xFFFF；其中最开始的256B是重复的地址，这部分通常情况下只要RAM够用就可以不理会，软件编译器会自动给我们处理好。

当选默认small模式，优先使用内部的前128B，而选Large 模式，优先使用的是片外的64K。

因此上面那个同学的问题就在这里了，因为他用的是AT89S51单片机，而这个单片机是没有片外RAM 的，如果选择了Large模式，那优先使用的是片外，因此编译完成，下载到单片机里，程序运行时用了这个单片机所没有的区域，那肯定就不行了。

典型外部ROM和RAM器件的使用实例详解来源：开拓电子（）录入： autumn1 实例功能在很多应用场合，51单片机自身的存储器和I/O口资源不能满足系统设计的需要，这时就要进行系统扩展。

在本例中，将结合片外ROM和片外RAM的典型芯片的应用，说明如何扩展单片机的数据存储器和程序存储器。

本例中3个功能模块描述如下：∙单片机系统：扩展单片机的存储器，实现片外存储器的访问。

∙外围电路：分为3个内容。

首先是用地址锁存器完成单片机系统总线的扩展，其次是扩展片外ROM器件2764,第三是扩展片外RAM6264.∙C51程序：用C51完成对片外存储器的读写。

本例目的在于希望keiltop读者在读完本例后，能完成相关的电路设计。

∙器件原理本实例中将首先介绍单片机的三总线概念和形成，随后介绍单片机弦叫线的扩展。

在单片机系统扩展时，引入片外典型存储器件，最后给出典型片外ROM和RAM的电路连接和使用方法。

2.1单片机的三总线(1)什么是单片机的三总线？单片机三总线指数据线、地址线和控制线。

单片机CPU所要处理的就是这3种不同的总线信号。

数据线：数据总线用来传送指令和数据信息。

P0口兼做数据总线DB0~DB7.地址线：用来指定数据存储单元的志趣分配信号线。

在8051系列中，提供了引脚ALE,在ALE为有效高电平，在P0口上输出的是地址信息，A7-A0。

另外，P2口可以用于输出地址高8位的A15~A8,所以对外16位地址总线由P2和P0锁存器构成。

控制线：8051系列中引脚输出控制线，如读写信号线、PSEN、ALE以及输入控制信号线，如EA、TST、T0、T1等构成了外部的控制总线。

(2)如何实现外部总线的扩展？由于单片机的输入输出引脚有限，一般的，我们采用地址锁存器进行单片机系统总线的扩展。

常用的单片机地址锁存器芯片有74LS373，图1-22所示为74LS373的引脚以及它们用作地址锁存器的连接方法。

74LS373是带三态输出的8位锁存器。

实验十二SRAM外部数据存储器扩展实验一、实验目的1．掌握51单片机扩展外部RAM的方法。

2．掌握SRAM62256读写数据的方法。

二、实验说明MCS-51型单片机内有128B的RAM，只能存放少量数据，对一般小型系统和无需存放大量数据的系统已能满足要求。

对于大型应用系统和需要存放大量数据的系统，则需要进行片外扩展RAM。

MCS-51型单片机在片外扩展RAM的地址空间为0000H～FFFFH共64KB。

读写外RAM 时用MOVX指令，用RD选通RAM OE端，用WR选通RAM WE端。

本实验使用SRAM 62256芯片进行片外RAM扩展。

62256具有32KB（256Kbit）空间，因此它需要15位地址（A0～A14）。

62256的全部地址空间为0000H～7FFFH。

62256芯片引脚如图1.4及管脚功能介绍：D0～D7：数据线A0～A7：地址线图1.4 62256芯片引脚WE：写允许，低电平有效OE：读允许，低电平有效CS：片选端，低电平有效三、实验内容本实验示例程序向外部RAM指定地址写入数据，并读出数据验证。

四、实验电路本实验所需电路请参见系统原理图的第一部分和图14-1。

存储器扩展接口。

图1.4 62256芯片引脚五、实验程序参考框图图1.5程序流程框图六、实验步骤1）系统各跳线器处在初始设置状态（参见附录四），将MCU模块的JT12跳线器的C、D、E、F四只短路帽置位下边（2、3短接），G短路帽置位下边（2、3短接）。

J1打在左边，J3打在2，3处（CS7279处）,J2的 WE，RD接在左边。

2）在所建的Project文件中添加“62256.ASM”文件，分析、理解程序，编译、下载、运行程序。

观察数码管显示，读写正确则显示‘Good’！七、实验参考程序：见附件：实验指导参考程序。

单片机外部RAM扩展模块MCS-51系列单片机外部RAM为64K，在一些特殊场合下，远不能满足需要，本文就AT89C51讨论MCS-51系列单片机大容量RAM的扩首先介绍128K随机读取RAM HM628128。

HM628128是32脚双列直插式128K静态随机读取RAM，它具有容量大、功耗低、价格便宜、集成度高、速度快、设计和使用方便等特点。

如若在系统中加入掉电保护电路，保护数据有很高的可靠性，可以和EEPROM相媲美。

技术特性：（1）最大存取时间为120ns；（2）典型选通功耗75mW；典型未选通功耗10uW；（3）使用单一5V电源供电；（4）全静态存储器，不需要时钟及时序选通信号；（5）周期时间与存取时间相等；（6）采用三态输出电路，数据输入和输出端公用；图6 HM628128外部引脚（7）所有输入和输出引脚均与TTL电平直接兼容；（8）有两个片选端，适合于低功耗使用，即为了保存信息，用电池作为后备电源。

保存信息的最低电源电压Vcc=2V。

引脚安排及功能表：图6是HM628128的外部引脚排列图，各引脚名称及功用分别如下：A0～A16是17条地址线；I/O0～I/O7是8条双向数据线；CS1是片选1，低电平有效，CS2是片选2，高电平有效；WR是写控制线，当CS1为低电平，CS2为高电平时，WR的上升沿将I/O0～I/O7上的数据写到A0～A16选中的存储单元中；OE是读出允许端，低电平有效。

HM628128的功能表如表3所示。

其中，H表示高电平，L表示低电平，X表示任意状态由于AT89C51直接外部RAM容量为64K，地址线为16条，其中低8位地址和数据分时复用，因此需要外部地址锁存器和ALE锁存信号来锁存低8位地址。

又由于AT89C51的外部数据和外设地址通用，若扩展外设必然占用数据地址。

因此本系统采用P2.7（A15）口来区分数据和外设：当P2.7（A15）口为高电平时，选择外部数据；P2.7（A15）口为低电平时，则为外设。

51单片机扩展外部RAM
今天这个是是以前做过的，没做成，扩展ROM的时候失败了~~不过今天主要的就是扩展外部的RAM，这个相对比较简单点，不想外部的ROM还要设置太多的编译器~~
单片机扩展外部RAM
一、扩展总线
1、简介（这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0、P2口就已经不可以再做它用了）
1）数据总线宽度为8位，由P0口提供；
2）地址总线宽度为16位，可寻址范围2的16次，也就是64K。

低8位
A7~A0由P0口经地址锁存器提供，高8位A15~A8由P2口提供。

由于P0口是数据、地址分时复用，所以P0口输出的低8位必须用地址锁存器进行锁存；
3）控制总线由RD、WR、PSEN、ALE和EA等信号组成，用于读/写控制、片外RAM选通、地址锁存控制和片内、片外RAM选择。

地址锁存器一般选用带三态输出缓冲输出的8D锁存器74LS373。

2、片外RAM的操作时序
进行RAM的扩展，其扩展方法较为简单容易，这是由单片机的优良扩展性
能解决的。

单片机的地址总线为16位，扩展的片外RAM的做大容量为
64KB，地址为0000H~FFFFH。

1）由于51单片机采用不同的控制信号指令，尽管RAM和ROM地址是重
叠的，也不会发送混乱。

2）51单片机对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两者的选择是由。

51 单片机片外扩展RAM
一.概述
普通51 单片机可以片外扩展ROM 和RAM 各64K 字节的空间，在实际应用中很少扩展外部ROM，一般都是扩展RAM，因为普通51 单片机的内部RAM 实在太少，只有128-256 字节，处理数据量较大时往往不
够用。

而片外扩展RAM 需要占用P0 口、P2 口和P3.6、P3.7，消耗了18 个IO 口，导致IO 口又不够用。

为了解决以上矛盾，大容量的51 单片机（增强型51 单片机）应运而生，这种单片机一般内置1K-16K 的RAM 和16K-64K 的ROM，价格也相对昂贵。

在某些情况下，用普通51 单片机通过片外扩展RAM 要比直接使用增强型51 单片机更能节约成本。

所以，学习51 单片机片外扩展RAM 是很有必要的。

二.电路设计
在WSF-51DB 开发板上，扩展了32K RAM（HM62256B），地址锁存芯片用74HC573。

如果片外扩展RAM，P0 口作为数据和地址低字节的复用端口，不需要加上拉排阻，当然，加上拉排阻也没有影响。

需要注。