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习题解答第三章3-1 已知A=7AH，R0=30H(30H=A5H)，PSW=80H，SP=65H，试分析下面每条指令的执行结果及对标志位的影响。
（1）ADD A，@R0；01111010+=1,00011111，（A）=1FH，Cy=1 ，AC=0，OV=0，P=1（2）ADD A，#30H；01111010+00110000=，（A）=AAH，Cy=0，AC=0，OV=1，P=0 （3）ADDC A，30H；01111010++1=1,00100000,（A）=20H，Cy=1，AC=1，OV=0，P=1（4）SUBB A，@R0；0101-1=1,，（A）=D4H，Cy=1，AC=0，OV=1，P=0（5）DA A；01111010+00000110=，（A）=80H，Cy=0，其他无变化（6）RLC A；（A）=B=F5H，Cy=0，AC=0，OV=0，P=0（7）RR A；（A）=00111101B=3DH，Cy=1，AC=0，OV=0，P=1《（8）PUSH 30H；SP=66H，（66H）=A5H（9）POP B；SP=64H，（B）=（65H）（10）XCH A，@R0；（A）=A5H，（30H）=7AH，Cy=1，OV=0，AC=0，P=0 3-4 试分析在执行完下面的程序段后，A，R0，R1，R7，SP以及片内RAM的一些单元中内容各是什么MOV SP，#65HMOV R7，#5MOV R0，#30HMOV R1，#40HLOOP：MOV A，@R1PUSH ACC$MOV A，@R0MOV @R1，AINC R0INC R1DJNZ R7，LOOP结果：（A）=（34H），(R0)=34H，（R1）=44H，（R7）=0，SP=70H ，（70H）=（44H），（30H）=（40H），…（34H）=（44H）。
3-5 已知SP=62H，（62H）=50H，（61H）=30H，问执行指令RET后，PC=，SP=并解释。
单片机模拟试卷001五、作图题（10分）用6264（8K*8）构成16K的数据存储系统。
要求采用线选法产生片选信号，并计算6264的地址范围。
答：WR接6264的WERD接6264的OEAB0---AB12接6264的A0---A12DB0—DB7接6264的D0—D7AB15、AB14分别接Y0和Y1地址：0000H---1FFFH；2000H---3FFFH六、设计题1．某单片机控制系统有8个发光二极管。
试画出89C51与外设的连接图并编程使它们由右向左轮流点亮。
答：图(5分) 构思(3分)MOV A，#80H (1分)UP：MOV P1，A (1分)RR A (2分)SJMP UP (1分)2．某控制系统有2个开关K1和K2，1个数码管，当K1按下时数码管加1，K2按下时数码管减1。
试画出8051与外设的连接图并编程实现上述要求。
答：图(5分) 构思(3分)程序（4分）ORG 0000HLJMP MAINORG 0003HLJMP AINT0ORG 0013HLJMP BINT1MAIN: MOV IE,#83HSETB IT0SETB IT1MOV R0,#00HMOV DPTR,#TABUP: MOV A,R0MOVC A,@A+DPTRMOV P1,ASJMP UPAINT0: INC R0CJNE R0,#10,AINT01MOV R0,#0AINT01: RETIBINT1: DEC R0CJNE R0,#0FFH,BINT11MOV R0,#9BINT11: RETI单片机模拟试卷002五、编程题(每小题4分，共20分)1.已知在累加器A中存放一个BCD数(０～9)，请编程实现一个查平方表的子程序。
SQR：1NC AMOVC A，@A+PCRETTAB：DB 0，1，4，9，16DB 25，36，49，64，812.请使用位操作指令实现下列逻辑操作：BIT=(10H∨P1.0)∧(11H∨C Y)ORL C，11HMOV 12H，CMOV C，P1.0ORL C，/10HANL C，12HMOV BIT，CRET3.已知变量X存于V AR单元，函数值Y存于FUNC单元，按下式编程求Y值。
单片机扩展6264存储器实验一、实验目的、原理及方法学习利用Proteus软件实现A T89C51单片机外部内存扩展，使用6264SRAM存储器，该芯片有地址线13根，可提供8KB空间，提供地址锁存器74LS373，本实验要点在于电路设计，要特别注意单片机ALE引脚与74LS373的LE引脚的连接，地址锁存由单片机的ALE 控制，另外还要注意单片机读/写控制引脚/RD，/WR与6264连接。
完成电路搭建后，为了直接访问外问扩展内存，设计中添加了头文件“absacc.h”这样可方便地通过XBYTE[index]读/写扩展内存，速个扩展内存可看成一个庞大的字节数组，XBYTE就是这个字节数组的数组名称，或者是整个空间的首字节地址，index则是数组索引或指针偏移量。
二、实验步聚及注意事项1、使用Proteus ISIS 7 Professional应用程序，建立一个.DSN文件2、在“库”下拉菜单中，选中“拾取元件”（快捷键P），分别选择以下元件：AT89C51、74LS373、LED-YELLOW、6264、RES。
3、构建仿真电路4、创建一个Keil应用程序：新建一个工程项目文件；为工程选择目标器件（A T89C51）；为工程项目创建源程序文件并输入程序代码；保存创建的源程序项目文件；把源程序文件添加到项目中。
5、把用户程序经过编译后生成的HEX文件添加到仿真电路中的处理器中（编辑元件→文件路径）三、实验仪器电路一台Proteus ISIS 7 Professional应用程序Keil应用程序四、数据记录及处理#include<reg51.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned charsbit LED=P1^0;void main(){uchar i;LED=1;for(i=0;i<200;i++){XBYTE[i]=i+1;}for(i=0;i<200;i++){XBYTE[i+0x0100]=XBYTE[199-i];}LED=0;while(1);}五、结果分析如果是多片6264进行扩展，并在其中使用74LS138译码器，请分析整个的电路形势，并划分内存地址的分配。
Intel6264芯片
单片机内存扩展6264芯片
2012-5-2
1.Intel6264芯片
Intel 6264的特性及引脚信号Intel 6264的容量为8KB，是28引脚双列直插式芯片，采用CMOS工艺制造
A12～A0（address inputs）：地址线，可寻址8KB的存储空间。
D7～D0（data bus）：数据线，双向，三态。
OE（output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。
WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。
CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。
CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。
VCC：+5V工作电压。
GND：信号地。
Intel 6264的操作方式Intel 6264的操作方式由, CE1 , CE2的共同作用决定
②读出：当和CE1为低电平，且和CE2为高电平时，数据输出缓冲器选通，被选中单元的数据送到数据线D7～D0上。
2.
74LS373
有54S373 和74LS373 两种线路结构型式，其主要电器特性的典型值如下(不同厂家具体值有差别)：型号TPD PD 54S373/74S373 7ns 525mW 54LS373/74LS373 17ns 120mW 373 的输出端O0~O7 可直接与总线相连。
当三态允许控制端OE 为低电平时，Q0～Q7为正常逻辑状态，可用来驱动负载或总线。
当OE 为高电平时，Q0～Q7 呈高阻态，即不驱动总线，也不为总线的负载，但锁存器内部的逻辑操作不受影响。
当锁存允许端LE 为高电平时，Q 随数据D 而变。
当LE 为低电平时，D 被锁存在已建立
的数据电平。
当LE 端施密特触发器的输入滞后作用，使交流和直流噪声抗扰度被改善400mV。
引出端符号：D0～D7 数据输入端OE 三态允许控制端（低电平有效）LE 锁存允许端Q0～Q7 输出端真值表：DnLEOEOnHHLHLHLLXLLQ0XXH高阻
态
作用;：首先将数据存入6264中，然后复制到0x0100内存区中，并用led显示数据。
LED_BIRY为读取结束指示灯。
总结：1.单片机中ALE是什么意思输出振荡器的六分之一频率的脉冲，可供给外部芯片做时钟Address lock enable . 地址锁存允许端。
访问外部存储器用的，比如RAM、ROM51有外部总线，16位的地址线，8为的数据线，但是地址的低8位跟数据线是重合的，因此访问的时候需要区分开低8位（P0口，高8位是P2口）地址和数据，这就需要用到ALE信号了。
访问存储器的时候，P2口输出高地址，P0输出低地址。
利用外部的锁存器（一般用74LS373）配合ALE脉冲，锁存P0地址，这时候读写信号开始起作用（WR或者RD），P0口读入或者输出数据。
在整个过程中，外部存储器的地址总线上的数据始终是稳定的，低8位地址的稳定靠的就是ALE和外部锁存器。
现在的51一般都很少用外部存储器或者相似的使用外部总线的外设可，因此现在的51单片机大多数都可以软件设置ALE脉冲的使能，由用户决定是否输出ALE脉冲，一来是降低EMI，二来是可以多一个IO口（如果ALE是复用的话）2.。
