3级:敏感电压范围4000~15999V 元 器 件 类 型 离散型MOS场效应晶体管 运算放大器(OP AMPS) 集成电路(ICS) 超高速集成电路(VHSIC) 所有不包括在1级或2级中的其他微电路 Ptot<1W或IO<1A的小信号二极管 普通要求的硅整流器 IO>0.175A的晶体闸流管(SCRs) 350mW>Ptot>100mW且400mA>IO>100mA的低功率双极型晶体管 光电器件(发光二极管、光敏器件、光耦合器) 片状电阻器 使用3级元器件的混合电路 压电晶体
3.一般電気和静電的不同 一般的電気 ・・・ 电荷是运动的 (低電圧 / 大電流) 静電気 ・ ・ ・ 电荷不运动 (高電圧 / 小電流)
4.静電現象 ・力学的影响→ 吸引力, 排斥力等. ・放電的影响→電击、熱、光、声等 (比如:打雷,胶片感光, 半導体(IC) 破壊)
1.防静电工作服 2.防静电鞋(导电鞋) 3.防静电腕带和脚带 4.防护指套 5.防静电袜子 6.工作帽 7.防静电包装(袋、周转箱、托盘、盒、泡沫充填物、发泡材料)8.运转车、存放柜(架) 9.防静电地坪 10.工作台、工作椅 11.防静电工具类 12.防静电接地 13.环境控制系统 14.专用生产装联设备 15.电离静电消除器(电离器)16.防静电剂
IC 破壊的原理
氧化膜破壊
配線破壊
静电放电的破坏
ESD
半导体破坏率的分配:
资料由Semiconductor Reliability提供 (March,1993)
59%都是由静电引致的
静电放电的破坏(续)
静电对集成电路的损伤主要表现为:
芯片内热二次击穿 金属喷镀熔融 介质击穿 表面击穿 体积击穿等
容易静電多発生的動作 1) 在絶縁性好的地板上行走時. 2)脱上衣時 3)従座位和椅子上站起来時 4)使用帯電板和塑料成型品時 5) 站在靠近带绒毛的布材的边上.