超快恢复二极管SFR08S60T2

二极管快恢复/超快恢复二极管1.快恢复/超快恢复二极管快恢复二极管（FRD）和超快恢复二极管（SRD）具有开关特性好，反向恢复时间短，正向电流大，体积较小，安装简便等优点。

可做高频、大电流的整流续流二极管，在开关电源、脉宽调制器（PWM）\不间断电源（UPS）、高频加热、交流电机变频调速等电路中应用。

反向恢复时间是快恢复/超快恢复二极管的一个重要参数。

它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。

快恢复二极管的反向恢复时间一把内几百纳秒，正向压降约0.6V，正向电流达几安至几千安，反响峰值电压为几百伏到几千伏。

超快恢复二极管反向恢复时间更短，可低至几十纳秒。

2.硅高速开关二极管桂高速开关二极管具有良好的高频开关特性，其反向恢复时间仅为几纳秒。

典型的硅高速开关二极管产品有1N4148和1N4448（100V/0.2A/4ns）。

此两种型硅高速开关二极管的平均电流只有150mA，所以仅适用于在高频小电流的工作条件下使用，不能在开关稳压电源等高频大电流电路使用。

3.肖特基二极管肖特基二极管属于低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间克小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流可达到几千安。

肖特基二极管在构造原理上与PN结二极管有很大区别。

其缺点是反向耐压较低，一般不超过100V，适宜在低电压、大电流的条件下工作。

4.稳压二极管稳压二极管又称齐纳二极管，是一种工作在反向击穿状态的特殊二极管，用于稳压（或限压）稳压二极管工作在反向击穿曲，不管电流如何变化，稳压二极管两端的电压基本维持不变。

稳压二极管的外形与整流二极管相同。

常见稳压二极管有1N4729--1N4753，最大功耗为1W稳压电压范围我3.6--36V，最大工作电流为26--256mA。

5.变容二极管变容二极管是利用PN结结电容可变原理制成的一种半导体二极管，变容二极管结电容的大小与其PN结上的反向偏压大小有关。

反向偏压越高，结电容越小，且这种关系是成非线性的。

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V 左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。

因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。

其正向起始电压较低。

其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。

其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。

这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。

由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。

其工作频率可达100GHz。

并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。

它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。

肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。

肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

1．结构原理综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

超快恢复二极管串联式
超快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称FRD）是一种特殊的二极管，采用串联式结构。

在正向工作时与普通二极管相同，但在反向电压消失后的恢复过程中，超快恢复
二极管的恢复时间短，损耗小，具有较高的换流能力和功率密度，因此被广泛应用于电源
和变换器等高频电子电路中。

超快恢复二极管的串联式结构是指在正向方向串联一个正常二极管，在恢复过程中，
通过其PN结反向偏置来提高超快恢复二极管的恢复速度。

超快恢复二极管由于具有小的空间电荷区，导致反向电流与反向电压密切相关，一般来说，在相同条件下，反向电流越小，恢复时间越短。

因此，超快恢复二极管采用PN结的高掺杂区域，其浓度比一般二极管高，导致了PN结处的梯度比普通二极管大，进而降低了空间电荷区域的大小和二极管的反向电流，提高了其反向电压和电流的边际值。

在实际应用中，超快恢复二极管具有许多优点。

首先，其超快的恢复速度、低的导通
损耗、高的反向电压性能，使其成为电力电子开关管（IGBT、MOSFET等）反并联二极管的理想选择。

其次，超快恢复二极管的交流特性也非常优越，具有良好的直流特性。

这对于
大功率、高效率的变换器和逆变器来说非常重要。

此外，超快恢复二极管的可靠性、稳定
性和长寿命，也是用户非常看重的。

总之，超快恢复二极管采用串联式的结构，具有恢复速度快、损耗小、功率密度高等
特点，广泛应用于电源和变换器等高频电子电路中。

在实际应用中，用户还应注意选择适
当的超快恢复二极管，满足其电路的具体需求，提高电路的效率和可靠性。

超快恢复二极管型号参数二极管（Diode）是一种常见的电子器件，其具有只允许电流在一个方向上通过的特性。

在电子电路中，二极管常被用于整流、调制、变频、开关等各种应用中。

超快恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode）是一种具有较快恢复时间的二极管，其特点是在一个很短的时间内能够从导通状态恢复到封锁状态。

首先，额定电流（IO）是指二极管在规定的工作条件下，可以持续承受的最大电流。

该参数通常以安培（A）为单位，例如IO=1A表示二极管的额定电流为1安培。

其次，额定反向电压（VRRM）是指二极管所能承受的最大反向电压。

它是通过测试，将二极管的阳极连接到正向电源并施加反向电压，观察二极管是否发生击穿来确定的。

该参数通常以伏特（V）为单位，例如VRRM=100V表示二极管的额定反向电压为100伏特。

最大导通电压降（VF）是指二极管在正向导通状态下的电压降。

正向导通时，二极管前后的电压存在一个较小的压降，该参数通常以伏特（V）为单位，例如VF=0.7V表示二极管的最大导通电压降为0.7伏特。

最大反向电流（IR）是指二极管在反向工作状态下所能承受的最大反向电流。

当反向电流大于该参数时，二极管可能发生击穿并损坏。

该参数通常以安培（A）为单位。

恢复时间（Trr）是指二极管从正向导通状态恢复到封锁状态所需的时间。

超快恢复二极管的恢复时间通常较短，一般在纳秒级别，它对于高频开关电路的性能起到重要影响。

该参数通常以纳秒（ns）为单位。

除了以上几个主要参数，超快恢复二极管的其他参数还包括最大工作温度（Tjmax）、封装方式、引线间距和引线排列等。

这些参数会根据不同的厂家和产品型号而有所差异。

总结起来，超快恢复二极管的型号参数主要包括额定电流、额定反向电压、最大导通电压降、最大反向电流和恢复时间等。

这些参数对于选择和应用超快恢复二极管起到至关重要的作用，需要根据具体的电路需求进行合理选择。

什么是快速恢复二极管和超快恢复二极管
什么是快速恢复二极管和超快恢复二极管
快速恢复二极管（FRD）
能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管，称为快恢复二极管，这种二极管的特点是反向恢复时间短，典型的200v/30 A快恢复二极管，其trr<1μs。

超快恢复二极管（UFRD）
超快恢复二极管的反向恢复时间更短，一般trr＝50ns（不同电流和电压规格的UFRD，其trr是不同的）。

PN结式UFRD的优点是：正向导通损耗小，结电容小,工作温度可以较高。

、
例如，型号为IN6620～IN6631的高电压超快恢复二极管（PIV≈1000 V）：trr为35ns或50ns，并且在高温下反向电流小、正向恢复电压低，适用于高电压输出（要求PIV为600V）的PWM开关转换器。

型号为 1N5802～1N5816，1N6304～1N6306的UFRD：PIV≤400V，可以用于20V或48V输出（要求二极管的反向额定电压分别为 150V和400V）的PWM开关转换器。

1Case StylesPow IR tab80EBU02Bulletin PD-20740 rev. B 02/06t rr = 35nsI F(AV) = 80Amp V R = 200VDescription/ ApplicationsAbsolute Maximum RatingsUltrafast Soft Recovery DiodeV R Cathode to Anode Voltage200V I F(AV)Continuous Forward Current, T C = 112°C 80AI FSM Single Pulse Forward Current, T C = 25°C 800I FRM Maximum Repetitive Forward Current 160T J , T STGOperating Junction and Storage Temperatures- 55 to 175°CParametersMaxUnitsThese diodes are optimized to reduce losses and EMI/ RFI in high frequency power conditioning systems.The softness of the recovery eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are ideally suited for HF welding, power converters and other applications where switching losses are not significant portion of the total losses.Square Wave, 20kHzFeatures• Ultrafast Recovery• 175°C Operating Junction Temperature • Screw Mounting Only • Lead-Free PlatingBenefits•Reduced RFI and EMI•Higher Frequency Operation •Reduced Snubbing •Reduced Parts Count 80EBU02Bulletin PD-20740 rev. B 02/06V BR , V r Breakdown Voltage,200--V I R = 50µA Blocking Voltage V FForward Voltage-0.98 1.13V I F = 80A-0.790.92V I F = 80A, T J = 175°C I R Reverse Leakage Current --50µA V R = V R Rated--2mA T J = 150°C, V R = V R Rated C T Junction Capacitance -89-pF V R = 200VL SSeries Inductance-3.5-nHMeasured lead to lead 5mm from package bodyElectrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)ParametersMin Typ Max Units Test Conditionst rrReverse Recovery Time--35ns I F = 1.0A, di F /dt = 200A/µs, V R = 30V -32-T J = 25°C -52-T J = 125°CI RRM Peak Recovery Current - 4.4-A T J = 25°C -8.8-T J = 125°CQ rr Reverse Recovery Charge -70-nC T J = 25°C-240-T J = 125°CDynamic Recovery Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)I F = 80A V R = 160Vdi F /dt = 200A/µsParametersMin TypMaxUnitsR thJC Thermal Resistance, Junction to Case 0.70K/WR thCS Thermal Resistance, Case to Heatsink 0.2WtWeight5.02g 0.18(oz)TMounting Torque1.22.4N * m 1020lbf.inThermal - Mechanical CharacteristicsMounting Surface, Flat, Smooth and GreasedParametersMin Typ Max Units Test Conditions380EBU0280EBU02580EBU02233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7309Visit us at for sales contact information. 02/06 。

MUR860D 超快恢复二极管/ULTRAFAST RECOVERY DIODE 用途: 该产品可用于高频脉宽调制电路中的输出整流和续流，因其具有反向恢复电荷少，恢复时间快的特点，所以能明显减少电路的开关损耗。

Purpose : These devices are intended for output rectifiers and flywheel diodes in a variety ofhigh-frequency pulse-width modulated switching regulators. Their low stored charge and attendant fast reverse-recovery behavior minimize electrical noise generation and in many circuits markedly reduce the turn-on dissipation of associated power switching transistors。

特点: 极快的恢复时间，极低的正向压降，极小的反向漏电流，600V 耐压。

Features :Ultrafast recovery time，low forward voltage，low leakage current，reverse voltage to 600V。

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)数值Rating 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition 最小值 Min 典型值Typ 最大值 Max单位UnitI F =8A 1.5 V V F I F =8A T C =150℃ 1.2 VV R =600V 100 μA I R V R =600V T C =150℃ 500 μAI F =1A dIF∕dt=200A/μS 60 ns t rr I F =8A dIF∕dt=200A/μS 70 nst a I F =8A dIF∕dt=200A/μS 32 ns t b I F =8A dIF∕dt=200A/μS 21 ns Q RR I F =8A dIF∕dt=200A/μS 195 nC C J V R =10V I F =0A 25 pF参数符号 Symbol 数值 Rating 单位Unit V RRM 600 V V RWM 600 V V R 600 V I F 8 AI FRM 16 AI FSM 100 AP C (Tc=25℃) 50 WT j 150 ℃T stg -55～150 ℃MUR860D。