《模拟电子技术》复习题10套及答案

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 。

PN 具有 特性。

2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th 约为 伏。

3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。

对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC 。

4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和 耦合三大类。

5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。

6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。

7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：。

②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。

③稳定输出电流： 。

8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F ＝0.01，则闭环放大倍数≈⋅f A 。

二、选择题1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。

A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。

βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。

A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。

电。
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。

3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。

5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。

为了稳定输出电流，采用（）负反馈。

8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。

9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。

10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。

11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。

12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。

13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。

15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。

二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

变宽 D. 无法确定。

反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。

A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。

16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。

A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。

A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。

D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。

模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。

A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。

C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。

A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。

A、0；B、不定。

C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。

A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。

A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。

正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。

D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如_和_等。

半导体中中存在两种载流子：_____ 和______ 。

纯净的半导体称为________ ，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：____ 型半导体一一多数载流子是______ ；型半导体一一多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输岀特性可以划分为三个区： _____ 区、_____ 区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在_____ 区内。

当三极管的静态工作点过分靠近_______ 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近________ 区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个______ 加上外壳，引岀两个电极而制成的。

它的主要特点是具有__________ 性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在_区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成__________ 。

4、场效应管利用栅源之间电压的 _效应来控制漏极电流，是一种 __________ 控制器件。

场效应管分为_____ 型和 ____ 型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种： _____ 耦合、____ 耦合和____ 耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有 _电流源、_电流源和 ______________ 电流源等。

8不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数___________ ;负反馈使放大倍数______ ;但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是__________ ，交流负反馈能够__________________ 。

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

模拟电⼦技术复习题及答案⼀、填空题：1、电⼦电路中常⽤的半导体器件有⼆极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。

半导体中中存在两种载流⼦：电⼦和空⽳。

纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能⼒很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流⼦是电⼦；P型半导体——多数载流⼦是空⽳。

当把P型半导体和N型半导体结合在⼀起时，在两者的交界处形成⼀个PN结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截⽌区、放⼤区区和饱和区。

为了对输⼊信号进⾏线形放⼤，避免产⽣严重的⾮线形性失真，应使三极管⼯作在放⼤区内。

当三极管的静态⼯作点过分靠近截⽌区时容易产⽣截⽌失真，当三极管的静态⼯作点靠近饱和区时容易产⽣饱和失真。

3、半导体⼆极管就是利⽤⼀个PN结加上外壳，引出两个电极⽽制成的。

它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作⽤。

半导体⼆极管⼯作在反向击穿区时，即使流过管⼦的电流变化很⼤，管⼦两端的电压变化也很⼩，利⽤这种特性可以做成稳压管。

4、场效应管利⽤栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是⼀种电压控制器件。

场效应管分为结型型和绝缘栅型两⼤类。

5、多极放⼤电路常⽤的耦合⽅式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。

6、在本征半导体中加⼊ 5 价元素可形成N型半导体，加⼊ 3 价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常⽤的偏置电路有镜像电流源、⽐例电流源和微电流源等。

8、不同类型的反馈对放⼤电路产⽣的影响不同。

正反馈使放⼤倍数提⾼；负反馈使放⼤倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作⽤是稳定静态⼯作点，交流负反馈能够改善放⼤电路的各项动态技术指标。

9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因⽽减⼩了放⼤电路的输出电阻；⽽电流负反馈使输出电流保持稳定，因⽽增⼤了输出电阻。

串联负反馈增⼤了放⼤电路的输⼊电阻；并联负反馈则减⼩了输⼊电阻。

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。

图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。

二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。

A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。

A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：e 、2：b 、3：cB 1：c 、2：e 、3：bC 1：c 、2：b 、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。

则三极管的工作状态为（ ）。

A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。

A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。

《模拟电子期末练习题》填空题:1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性.2、漂移电流是（反向）电流，它由(少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流)控制元件，场效应管是(电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏）,集电结(反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加)，发射结压降(减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、(共集电极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流)负反馈。

9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF))，对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。

10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为(少数）载流子。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙)类互补功率放大器。

13、反向电流是由(少数）载流子形成，其大小与（温度)有关，而与外加电压（无关）。

14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1)，输入电阻（大），输出电阻(小），常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成)电路中.16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏)，集电结(反偏)。

17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用(直流)负反馈，为了减小输出电阻采用(电压)负反馈。

18、共模信号是大小(相等），极性(相同）的两个信号。

19、乙类互补功放存在（交越）失真,可以利用（甲乙）类互补功放来克服。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

一、（1）B （2）A （3）C （4）B （5）C （6）D （7）B （8）A（9）C （10）B （11）B （12）C （13）A （14）B （15）A （16）D二、1、零 无穷大2、正偏 反偏3、共射极 共集电极 共基极4、导通 截止 单向5、反向 少数 温度 无关6、A/1+AF 1/F7、交越 甲乙8、 电流， 电压9、输入级（前置级）；中间级10、共射极 共集电极 共基极 11、导通 截止 单向12、电容 ； 电感 13、A/1+AF 1/F14、变压器耦合；光电耦合三、分析计算题1、 二极管D 导通，-3V2、解：（1）列A 1反相输入端的节点电流方程可得I ds21ds 223O u r R R r R R R u ⋅+⋅-=∥∥ 为了在u I 变化时u O 基本不变，u I 增大时r d s应减小。

（2）A 2与D 1、D 2、R 6等组成半波整流电路，u O 2和u O 的关系为⎩⎨⎧=-=) (0) ( O 2O O O 2O 负半周正半周u u u u u 因此波形如解图P11.3所示。

（3）u O 3为直流信号，因为A 3组成了二阶低通滤波器，所以u O 3是u O 2的平均值。

u I 增大时u O 3应增大；因为只有u O 3增大r D S 才会减小。

（4）调零。

3、解：由图可知R i ＝50k Ω，u M ＝－2u I 。

342R R R i i i +=即 3O M 4M 2M R u u R u R u -+=-输出电压 I M O 10452u u u -==4、解：（a ）Vu u u u R R u R R u R R u 935221252213I2I1I33f I22f I11f O =⨯+⨯-⨯-=+--=⋅+⋅-⋅-=（共8分） （b ）Vu u u u R R u R R u R R u 133210110101013I2I1I33f I22f I11f O =+⨯+⨯-=++-=⋅+⋅+⋅-=（共7分） 5、解：（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。

大学《模拟电子技术》试题及答案 一、填空题 1．P型半导体中，以 导电为主。

2．场效应管属于 控制型器件，而晶体管 BJT 则是__ _ 控制型器件。 3．有一差分放大电路，Aud=100，Auc=0，ui1=10mV，ui2=5mV，则uid=

，uic= ，输出电压= 。 4．已知放大电路加1mV信号时输出电压为1V，加入负反馈后，为了达到相同的输出需要加10mV输入信号。则反馈深度为 ，反馈系数为 。 5．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 耦合三大类。 6．交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示，负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 V。

二、选择题 1．测得某硅晶体三极管的电位如图1所示，判断管子的工作状态是（ ）。 A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．击穿状态 2．本征半导体在温度升高后，（ ）。 A.自由电子数目增多，空穴数目基本不变； B.空穴数目增多，自由电子数目基本不变； C.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同； D.自由电子和空穴数目基本不变。 3．某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（ ）。

0uA.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管 4．如图3所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压u0 波形不失真，则应（ ）。 A．RC 增大 B．RB 增大 C．RB 减小 D．β增大

图1 图2 图3 5．放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ 的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放 大电路的输出电阻为（ ）。 A.10kΩ B.2 kΩ C.1 kΩ D.0.5 kΩ 6．电压放大倍数最高的电路是（ ）。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.不定 7．三极管的电流放大系数由三极管的（ ）决定。 A.基极电流 B.集电极电流 C.发射极电流 D.内部材料和结构 8．放大电路需减小输入电阻，稳定输出电流，则引入（ ）。 A.电压串联负反馈； B.电流并联负反馈； C.电流串联负反馈； D.电压并联负反馈。 9．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.便于使用 10．在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的（ ）倍。 A．1 B.2 C.1.5 D.0.5 三、分析题 1、三极管 BJT 放大电路中，测得一只 BJT 的三个电极的电位如下图4所示。

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。

2．一个放大电路，空载输出电压为6V，负载电阻为4Ω时输出电压为4V，则其输出电阻为。

3．集成运算放大器是多级放大电路，其第一级通常采用，因为这种电路能有效抑制现象。

4．一个放大电路，为稳定输出电流和减小输入电阻，应引入负反馈。

5．乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。

二、选择题1.（）藕合放大电路具有良好的低频特性。

A、阻容B、直接C、变压器2.某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。

A、P 沟道增强型MOS 管B、P 沟道耗尽型MOS 管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管图1 图23．在如图2所示电路中，电阻R E的主要作用是（）。

A、提高放大倍数B、稳定直流静态工作点C、稳定交流输出D、提高输入电阻4.在串联负反馈电路中，信号源的内阻（），负反馈的效果越好。

A、越大，B、越小，C、越恒定，D、越适当5．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（）。

A、（B、C 、E）B、（C 、B、E） C 、（E、C 、B）6.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A、变窄B、基本不变C、变宽D、不定7.稳压管的稳压区是其工作在（）。

A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、热击穿8.功率放大电路的效率是指（）。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上说法均不正确9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U o=（）U z。

A、0.45B、0.9C、1.210. 一个晶体管的极限参数为P CM=100mW，I CM=20mA，U(BR)CEO=15V，则下列( ）是正常工作状态。