晶体管及其放大电路课件

晶体管基本放大电路

0.98Ri = 300//(1.18 +121×0.5 ) = 51.2 (k)RoRE//(rbe RS )1 18 ()模 拟电子技术2.8.2 自举式射极输出器(1

第二章双极型晶体管及其放大电路

第02章 晶体管及基本放大电路

内部 条件发射区掺杂浓度高 外部 基区薄且掺杂浓度低 条件 集电结面积大发射结正偏 集电结反偏2. 满足放大条件的三种电路E ui B 共基极 C uo uiBEC uoEBui

模 [例1]拟电子技术求：1. 静态工作点。2.电压增益AU、 输入电阻Ri、 输出电阻R0 。模 拟电子技术 3. 若输出电压的波形出现如 下失真 ，是截止还是饱和失真？应调节哪

u u 大电路组的态输R里E出最//电(小rb阻1e的是.R三S )种RE (rbe RS ) /(1 )模 拟电子技术射极输出器特点Au 1 输入输出同相 Ri 高 (优点) R

1. 确保晶体管工作于放大区； 画直流通路2. 确保输入交流信号 作用于发射结；3. 确保输出交流信号作用于负载。画出交流通路模 拟电子技术2. 3共发射极电路的组成及工作原理2.

第2章三极管及放大电路基础【课题】2.1 三极管【教学目的】1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。4．理解三极管的主要参数的含义。【教学重点】1．三极管结构特点、类型和电路符号。2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。3．三极管的三种工作状态及特点

U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO模 拟电子技术iC/mA PCMICM安全工作区IB=0μA0U(BR)CEO uCE/V晶体管的安全工作区

（a）实验电路（b）饱和失真波形（c）图解分析产生饱和失真的原因是：IBQ偏大时，静态工作点偏高，当输入信号正半周幅 度较大时管子进入饱和区，iB增大无法使iC相应增大，于是会出现

diBiC uCEIB duCE电阻无量纲UIbceh11Ib h21Ibh12U ce h22U ce无量纲电导四个参数量纲各不相同，故称为混合(Hybrid)参数（H参数）。模

• 共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量，输入口 基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线： • 共射输入特性曲线的特点：• ３、共射输出特性曲线• 共射输出特性曲线是在集电

上一页下一页返回第三节集成运算放大器的基本结构 及应用二、集成运算放大器的特性图5-19是集成运算放大器的外形和图形符号。三、运算放大器的应用1.反相运算电路 反相运算电路是线性运

大。 穷大。 场效应晶体管和基本放大电路1)当UDS=0时，UGS对导电沟道的控制 | UGS |增加到某一数值，耗尽层闭和，沟道 消失，沟道电阻趋于无穷大。定义此时UGS的 值为

三极管的基本工作管理结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极

四、放大电路的主要性能指标1 iiio 2RS ++ uius ––1（1） 放大倍数放大 电路+RLuo –2 用分贝做单位的优点? 分贝（dB）电压放大

VCE(AST): max 2-2.5V ICBO ,ICEO max 50uAVCE(AST): max 0.2-0.6V ICBO ,ICEO max 100nA自己查找TIP

忽略 I ，有 I I CEO C B(常用公式)6.1.3 特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子 内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析放大电路的