晶体三极管(BJT)及放大电路基础解读

第二章双极型晶体三极管（BJT）
第二章双极型晶体三极管(BJT)(一)BJT结构与电路符号(二)晶体管的放大作用发射结正偏，集电结反偏，称为BJ
T的放大偏置。

即满足下列电压关系：NPN管：VCB﹥0，VBE﹥0或VC＞VB＞VEPNP管：V
CB﹤0，VBE﹤0或VC＜VB＜VE(三)放大偏置时的电流传输关系2iC与iB的关系
定义：共发射极直流电流放大系数：（四）放大偏置时BJT偏压与电流的关系1发射结正向电压VBE对各极电流的控制作用BJ T的正向控制作用2集电结反向电压VCB对各极电流的影响基区宽度调制效应（五）BJT的截止与饱和工作状态1截止状态：2饱和状态：注意：晶体管特性曲线只能用于直流/低频。

§2-2BJT静态特性曲线BJT静态特性曲线：是在伏安平面上作出的
反映晶体管各极直流电流电压关系的曲线。

BJT静态特性曲线用途：一晶体三极管的组态将晶体三极管视为双端口
器件，分析其三种典型接法，称为组态。

共基极接法（CB）共射接法（CE）共接接法（CC）
二共射输入特性曲线共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量，输入口基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线：共射输入特性曲线的特点：§2-3BJT主要参数1直流放大系数2交流放大系数
例2-41iE与iC的关系：定义共基极直流电流放大系数：。

第二章 双极型晶体三极管（BJT ）§2.1 知识点归纳一、BJT 原理·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。

·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。

在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。

·放大偏置时，作为PN 结的发射结的V A 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/E B T v V E ES i I e=（PNP ）。

·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。

·在放大偏置时，定义了CNE i i α=（CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+ (1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+ 其中1αβα=-，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。

·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。

·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。

影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。

·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。

二、BJT 静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。

BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是： 输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数（图2-13） 输出特性曲线：()B B CE I i f v =常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。

bjt基础知识摘要：1.BJT 的基本概念2.BJT 的工作原理3.BJT 的分类与结构4.BJT 的特性与参数5.BJT 的应用领域正文：一、BJT 的基本概念BJT（Bipolar Junction Transistor，双极型晶体管）是一种常见的半导体器件，具有放大和开关等功能。

它主要由三个区域组成：n 型区（发射极）、p 型区（基极）和n 型区（集电极）。

其中，发射极和集电极由n 型半导体制成，而基极由p 型半导体制成。

二、BJT 的工作原理BJT 的工作原理主要基于电子和空穴的运动。

当发射极施加正向电压时，发射极的电子会进入基极，然后从基极进入集电极。

在这个过程中，由于电子和空穴的复合作用，会形成电流。

当基极施加负向电压时，发射极的电子受到抑制，电流减小。

因此，通过改变基极的电流，可以控制集电极的电流，实现信号放大和开关控制等功能。

三、BJT 的分类与结构根据结构不同，BJT 可分为NPN 型和PNP 型两种。

NPN 型BJT 的结构为：发射极-n 型半导体、基极-p 型半导体、集电极-n 型半导体。

PNP 型BJT 的结构为：发射极-n 型半导体、基极-p 型半导体、集电极-p 型半导体。

这两种类型的BJT 工作原理相同，但电流放大系数不同。

四、BJT 的特性与参数BJT 的特性主要包括电流放大系数（hfe）、截止电流（IB）、饱和电流（IC）等。

电流放大系数表示BJT 在放大状态时，集电极电流与基极电流之比。

截止电流是指当基极电流为零时，集电极电流也为零的电流值。

饱和电流是指当集电极电压足够大时，集电极电流不再增加的电流值。

五、BJT 的应用领域BJT 广泛应用于模拟电路、数字电路、功率放大器、振荡器等领域。

在模拟电路中，BJT 常用于信号放大、滤波等功能；在数字电路中，BJT 常用于逻辑门、触发器等功能；在功率放大器和振荡器中，BJT 可以实现高电压、大电流的信号处理。

总之，BJT 作为一种重要的半导体器件，具有广泛的应用前景。

bjt共基极放大电路BJT共基极放大电路是一种常见的放大电路，广泛应用于各种电子设备中。

本文将详细介绍BJT共基极放大电路的原理、特点以及应用。

BJT（双极型晶体管）是一种三层结构的半导体器件，由两个PN型结构组成。

BJT共基极放大电路是一种基于BJT的放大电路，其特点是输入信号是通过基极输入的，输出信号则是从集电极输出的。

BJT共基极放大电路的原理是通过控制基极电流来控制集电极电流，从而实现信号放大的功能。

当输入信号加在基极上时，基极电流会发生变化，进而改变集电极电流。

在放大区，当输入信号为正半周时，基极电流增大，集电极电流也随之增大；当输入信号为负半周时，基极电流减小，集电极电流也随之减小。

因此，BJT共基极放大电路可以实现对输入信号的放大。

BJT共基极放大电路的特点是电压放大倍数较高，输入电阻较低，输出电阻较高。

这使得它在一些特定的应用场合中有着广泛的应用。

例如，它常用于射频放大器中，因为射频信号的频率较高，需要较高的放大倍数和较低的输入阻抗。

此外，BJT共基极放大电路还常用于电压比较器、混频器等电路中。

BJT共基极放大电路的设计需要考虑一些关键参数。

首先是放大倍数，这是决定电路放大能力的重要指标。

放大倍数可以通过选择合适的电阻和电容来调整。

其次是输入和输出阻抗，输入阻抗应尽量低，以避免信号源的负载效应；而输出阻抗应尽量高，以提高电路的驱动能力。

此外，还需要考虑电源电压、稳定性等因素。

在实际应用中，BJT共基极放大电路还需要注意一些问题。

首先是温度的影响，温度的变化会导致电路参数的变化，从而影响电路的性能。

因此，在设计时需要考虑温度补偿措施。

其次是电源电压的稳定性，不稳定的电源电压会影响电路的工作状态，因此需要选择稳定性较好的电源。

BJT共基极放大电路是一种常见且重要的放大电路。

它具有电压放大倍数高、输入阻抗低、输出阻抗高等特点，适用于射频放大器、电压比较器等应用场合。

在设计和应用时，需要考虑放大倍数、输入输出阻抗、温度稳定性等因素。

BJT知识点总结BJT，即双极型晶体管。

它是一种最基本的三端口半导体器件，包括一个PN结。

BJT是广泛应用于电子器件中，包括放大器、开关、振荡器等。

在这篇文章中，我将总结BJT的工作原理、分类、特性以及应用。

一、BJT的结构和工作原理BJT由P型半导体和N型半导体构成。

在P型半导体和N型半导体的交界面上，形成PN 结。

BJT有两种结构：NPN型和PNP型。

NPN型BJT中，P型半导体夹在两个N型半导体之间，而PNP型BJT中，N型半导体夹在两个P型半导体之间。

当BJT处于正向激活状态时，P型半导体的基区连接到正电压，N型半导体的发射极连接到负电压，基极之间的PN结处于正向偏置状态，产生少子。

少子由发射极注入到基极，然后通过基区扩散到集电极，从而形成一个电流的放大。

二、BJT的分类根据半导体材料的类型和夹在基区中的主要载流子的类型，可以将BJT分为NPN型和PNP型。

此外，根据器件的外观和封装方式，BJT还可以分为多种不同的封装形式，如TO-92、TO-220、SOT-23等。

三、BJT的特性1. 饱和和截止状态当BJT处于饱和状态时，极大电流极大，且Vce(sat)的电压非常小。

而当BJT处于截止状态时，极大电流为零，Vce的电压最大。

2. 基区电流放大BJT的主要特点之一是它可以通过少子注入来控制一个较大的电流。

这种现象称为基区电流放大。

3. 小信号放大对于小信号放大器来说，BJT是一种非常理想的放大器件。

它可以将微小的输入信号放大成较大的输出信号。

四、BJT的应用1. 放大器BJT可以作为放大器的主要元件。

它通常用于音频放大器、射频放大器等。

2. 开关BJT可以用作开关，用于控制电路中的电流流动。

3. 振荡器BJT可以用于构建振荡器，如正弦波振荡器、方波振荡器等。

4. 比较器BJT可以用于构建电压比较器，用于检测输入信号的大小。

综上所述，BJT是一种非常重要的半导体器件。

通过对其结构、工作原理、分类、特性以及应用的了解，我们可以更好地理解和应用BJT。