复旦课件-半导体器件-L03-MOSFET的基本特性

复旦大学(微电子)半导体器件第五章PN结

一．选择题１５＊６１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：BＡ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度２。二极管正向阈值电压Ｖf：bＡ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：BＡ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上４。双极型晶体管共基极连接：Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电

2019-复旦大学(微电子)半导体器件第八章MOSFET-文档资料

复旦-半导体器件-仇志军 第四章小尺寸MOSFET的特性

复旦-半导体器件-仇志军绪论课件.

复旦半导体器件仇志军小尺寸MOSFET的特性专题培训课件

一．选择题１５＊６１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：BＡ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度２。二极管正向阈值电压Ｖf：bＡ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：BＡ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上４。双极型晶体管共基极连接：Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电

' QB 2 × d max ΔL 2 ΔL = 1− = 1− QB d max L L7/742 ΔL = (r22 − d max )1/ 2− xjNMOS VDS

复旦大学(微电子)半导体器件第二章平衡载流子-PPT课件

复旦大学(微电子)半导体器件第二章平衡载流子

《半导体器件概论》考试大纲一、考试方法和考试时间考试采用闭卷、笔试形式，考试时间为180分钟。二、考试内容和考试要求（半导体物理和器件部分）基本参考书：《半导体器件物理》，孟庆巨等编著，科学出版社2005出版。参考书：1、《半导体物理学》刘恩科电子工业出版社 2003 出版2、《半导体物理与器件》，裴素华等编著，机械工业出版社2008出版。3、R.M.War

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复旦半导体器件仇志军_MOSFET的基本特性

复旦大学2008年半导体器件原理试题一．选择题１５＊６１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：Ａ：p＋区浓度 Ｂ：n区的浓度 Ｃ：p＋区和n区的浓度２。二极管正向阈值电压Ｖf：Ａ：随温度升高而升高　Ｂ：随温度升高而下降　Ｃ：不随温度变化３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：Ａ：来得大 Ｂ：来得小 Ｃ：在同一数量级上４。双极型晶体管共基极连接：Ａ：只有电流放大作用Ｂ

复旦大学半导体器件原理讲义L 小尺寸MOSFET的特性

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