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一．选择题１５＊６
１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B
Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度
２。二极管正向阈值电压Ｖf：b
Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化
３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B
Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上
４。双极型晶体管共基极连接：
Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放
大
５。晶体管基区运输系数主要决定于：c
Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度
６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C
Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度
不能太高否则发射率反而下降
７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B
Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０
８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性）
９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：
Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方
向平移一段距离，与类型无关
１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：
Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢
Ｃ：沿沟道方向的电场很小
１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：
Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt
１２．nos管体电荷变化效应是指；
Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影
响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响
１３．mos亚阈值电流的主要特征：
具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不
大
１４．nos管短沟道效应是指：
选项没有记下
１５．控制cmos倒相管latch－up最有效的方法：
Ａ：提高沟道电场Ｂ：等比率缩小器件Ｃ：增大衬底电阻
二．名词解析５＊６
１．试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？
２．试说明mos管沟道长度调变效应及其影响
３．试说明mos管有放大作用的基本原理
４．试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系
５．试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗
三．计算题１＊３０
有一个n沟道mos场效应管，衬底浓度Ｎa＝１０＾１７（cm＾－３），氧化层厚度Ｔox＝５
０nm，氧化层中正电荷密度Ｎss＝１０＾１０（cm＾－２），金属ＡＬ的功函数Ｗm＝４．
２ev，硅的电子亲和势为４．０５ev．试求该管的阈值电压Ｖt，它是什么型？在Ｖg＝３
v，Ｖds＝２v时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）
器件题目：
一单项选择题5'*12
（部分选项可能与实题有出入）
1.在P正-N结中耗尽层的宽度取决于
A.Na
B.Nd
C.Na和Nd
2.在二极管中，正向阈值电压Vf和温度的关系是
A.Vf随温度升高而上升
B.Vf随温度升高而下降
C.Vf不随温度变化
3.二极管中的隧道击穿电压和齐纳击穿电压相比
A.隧道击穿电压高
B.齐纳击穿电压高
C.两个击穿电压在一个数量级之上
4.P正-N结中，势垒电容的大小取决于a
A.Na
B.Nd
C.Na和Nd
5.双极型p-n-p晶体管中，发射区掺杂浓度和发射效率的关系是
A.掺杂浓度越高，发射效率越高
B.掺杂浓度和发射效率没有关系
C.掺杂浓度并非越高越好，过高反而会降低发射效率
6.在双极型晶体管中，使用Ge-Si基区的目的是（选项记不清了）
A.提高发射效率并且降低基区电阻
B.提高基区输运系数
C.仅仅为了提高发射效率
7.在双极型晶体管中，基区输运系数与什么有关
A.发射区掺杂浓度
B.基区宽度和少子扩散长度
C.基区掺杂浓度和少子分布
8.在漂移基区晶体管中，基区内建电场与什么因素关系最大
A.少子浓度分布
B.掺杂浓度
C.基区宽度
9.在N沟道耗尽型MOS管中，何时沟道会消失
A.Vg B.Vg>Vt C.Vg>0 10.MOS管的沟道电流与以下那些因素有关 （选项记不清了，知道公式就能选对） 11.MOS管的阈值电压与以下那些因素有关 （同上） 12.MOS管的短沟道效应会导致以下什么的发生 A.沟道电流和阈值电压都增大 B.沟道电流增大 C.阈值电压增大 二计算题30'*3 1.根据以下四个MOS电容中直流电荷的分布图，判断1)衬底类型2)MOS电容工作在什么区 3)画出MOS表面能带图 （四个图为半物课本MOS结构中的那几张，因为我现在手里没有半物书，具体是否一一对 应暂时不明） 2.已知IDSS＝10^-4A,VDSAT=4V,Vt=0.8V 1)求VGS 2)若VGS=2V,VDS=2V,求IDS 3)若VGS=3V,VDS=1V,再求IDS 3.已知在CMOS集成倒相器中，tox＝50nm,p-sub衬底浓度为 4.5*10^16, Nss=2*10^10(这个 数量级记不清了)，Al的功函数为4.2V，p阱的注入浓度为3*10^17,Vdd＝3V
