第七章 三五族化合物半导体资料讲解

半导体材料导论7-1

第3章 硅半导体材料基础讲解

半导体材料测试与分析资料讲解

半导体光电子学第7章 半导体中的光吸收和光...讲课稿

期末复习 半导体材料知识讲解

半导体材料第4讲-晶体生长

半导体材料第7 8讲化合物半导体 ppt课件

7半导体材料PPT课件

半导体物理学第七章知识点第7章 金属－半导体接触本章讨论与pn 结特性有很多相似之处的金－半肖特基势垒接触。金－半肖特基势垒接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一：§7.1金属半导体接触及其能级图一、金属和半导体的功函数1、金属的功函数在绝对零度，金属中的电子填满了费米能级E F 以下的所有能级，而高于E F 的能级则全部是空着的。在一定温度下，只有E

半导体材料讲义

半导体物理_第7讲

微电子概论肖国玲主编料子纳米电子学，又叫纳电子学 (nanoelectronics)研究对象是纳米尺度信号处理时间是纳秒信号功率是纳焦纳 电 子 器 件4004808080868008Pentium486™ DX386™ Processor 286Pentium IIPentium III Itanium®Goal: Over 1 billion trans

第7章 半导体材料

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第七章功能材料讲课讲稿

第08章半导体材料20世纪70年代以来，电子技术以前所未有的速度突飞猛进，尤其是微电子技术的兴起，使人类从工业社会进入信息社会。微电子技术集中反映了现代电子技术的发展特点。大规模集成电路和超大规模集成电路的出现，对半导体材料提出了愈来愈高的要求，使半导体材料更加明显地朝着高纯度、高均匀性、高完整性和大尺寸方向发展。半导体材料的发展与器件紧密相关。可以说，半导

第五章习题1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为τ。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是1

第一讲+化合物半导体材料简介

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