半导体超晶格和多量子阱

　第20卷第10期半　导　体　学　报V o l.20,N o.10　1999年10月CH I N ESE JOU RNAL O F SE M I CONDU CTOR S O ct.,1999超晶格(GaA s)n (I nA s)1(001)的光学性质3李开航　黄美纯　张志鹏　朱梓忠(厦门大学物理系　厦门　361005)摘要　采用L inearized2M

3.3 超晶格中的微带(miniband)和态密度超晶格势垒区较薄时，阱中量子化的孤立能级相互耦合 而成微带结构。微带有载流子公有化运动。超晶格布里渊区 小，带宽小，呈现一系列新现

半导体超晶格的层状结构2介电（铁电）体超晶格1935年出生，九三学社社员，现任南京大 学固体微结构国家重点实验室学术委员会主 任，材料科学研究所所长 1986年提出“介电体超晶格”

（2-6）光电材料与半导体器件对于GexSi1-x系统，取b=0.4nm，则式（2-6）可近似为：hc 1.9 10 3 hc ln( ) 2 0.4 fm上式中hc以nm为单

Anderson定则推出来的许多异质结的能带带阶都 和实验数据不符合�但不失作为异质结研究发展初 期的一个有用的概念。利用它对异质结能带图进行 分析得到的一些基本图象还是有意义的。

本科生毕业论文（设计）册学院汇华学院专业物理学班级2007级学生侯敏娟指导教师李玉现河北师范大学本科毕业论文（设计）任务书编号：论文（设计）题目：半导体超晶格的隧穿特性学院：专业：物理学班级：学生姓名：学号： 2 指导教师：职称：1、论文（设计）研究目标及主要任务研究目标：提高学生个人的调研能力，锻炼语言组织能力，培养对物理学的研究兴趣，了解物理学的发展进程

利用光刻、腐蚀及超薄层生长技术等的结合，可制 备量子线或量子点。 方法：先生长多维超晶格或量子阱，然后用激光蚀 刻将量子阱或超晶格蚀刻成量子线或量子点。 图为利用MBE生长量子阱后

10.6 超晶格的评价XRD测量•SPSLs were grown by GSMBE with ammonia on 0001 sapphire substrates. •The

GaAsUAlGaAsGaAs AlGaAs GaAsd 70A0 发现大于2V后 出现负微分电阻。I (m A)100I500,01234U (V )下面解释一下为什么这样？

i c的能态密度式（7.8.3），得到郎道能级的简并度 为 m* eB 2 Beg ( E ) c 2m*π（7.8.6）图 7.8.6 霍尔电阻与磁场B的关系，出现平台 区，在

所以可以选择不同的材料，设计具有不同禁带宽度和光学性质的量 子阱和超晶格结构，制作新型的光电器件，这成为“能带剪裁工程”。 ¾ 阈值电流密度低。由半导体超晶格结构制成的半导体激光器

一维双势垒超晶格ห้องสมุดไป่ตู้构的隧穿特性张 立 纲 等 首 先 在 GaAs/AlxGa1-xAs 双势垒 结构中观察到共振隧穿 现象。实验测量的是隧穿电流与电极上

EcAE2EgA EgB EcBE1EvB EvA多量子阱能带图∆Ec ∆EvE2 E1超晶格能带图超晶格分类（1）组分调制超晶格 （2）掺杂调制超晶格 （3）应变超晶格 （4）多

第八讲8.3半导体异质结量子阱及超晶格结构量子阱：能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场。如量子力学中的一维方势阱、有限势阱。量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上其能量是量子化的，而在与异质结界面平行的二维平面内作自由电子运动。因此，把量子阱中的电子称为二维电子气（2DEG）。（a）双异质结单量子阱（a）i-GaAs n-Al X Ga3

1910.2.4 应变层超晶格如果异质结对的晶格匹配不好，界面上将出现位错而严重影响量子阱的性质。但是，如果超晶格的每层的厚度足够薄，虽然晶格存在着一定程度的失配，只要失配不超过7

9图 1(a) 是 两 种 组 分 超 晶格结构示意图， 晶格结构示意图 ， 构 成超晶格的两种材料 有不同的禁带宽度， 有不同的禁带宽度 ， 按它们的能带差异分 为图1（ ）所示

光学超晶格理论学习汇报汇报者：马玉珂11/15/2016主要内容 光学超晶格定义 非线性材料光学超晶格的发展历史双折射相位匹配理论BPM（birefringent phas

半导体超晶格（semiconductorsuperlattice）中学物理百科当今社会是一个高速发展的信息社会。生活在信息社会，就要不断地接触或获取信息。如何获取信息呢?阅读便是其中一个重要的途径。据有人不完全统计，当今社会需要的各种信息约有80%以上直接或间接地来自于图书文献。这就说明阅读在当今社会的重要性。还在等什么，快来看看这篇半导体超晶格(semic

0,0B根据经典霍耳效应，可以作成各种各样的磁敏传感器，无接触形键盘、磁强计等。B二. 量子霍耳效应超晶格样品在低温下作霍耳 效应的实验。结果发现：在霍耳电阻与磁感应强度 不成线性