光刻工艺概述
光刻工艺概述

光刻工艺流程图步骤1、前处理2、匀胶3、前烘4、光刻5、显影6、坚膜7、腐蚀8、去胶一前处理(OAP)通常在150~200℃对基片进行烘考以去除表面水份,以增强光刻胶与硅片的粘附性。(亲水表面与光刻胶的粘附性差,SI的亲水性最小,其次SIO2,最后PSI玻璃和BSI玻璃)OAP的主要成分为六甲基二硅烷,在提升光刻胶的粘附性工艺中,它起到的作用不是增粘剂,而是

2020-05-10
光刻工艺步骤介绍 PPT
光刻工艺步骤介绍 PPT

光刻工艺步骤介绍 PPT

2021-02-28
光刻工艺介绍
光刻工艺介绍

光刻工艺介绍

2019-12-02
光刻工艺流程
光刻工艺流程

光刻工艺流程Lithography Process摘要:光刻技术(lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小,集成度

2020-06-08
光刻工艺介绍1
光刻工艺介绍1

光刻工艺介绍1

2020-05-11
光刻基本工艺
光刻基本工艺

• 工艺宽容度整个光刻过程步骤之多,而且每一步骤都 会影响最终的图形尺寸, 另外每一工艺步骤都 有它的内部变异。不同的光刻胶对工艺变异的 容忍性都不一样。那么,容忍性越高,在晶园

2024-02-07
光刻工艺介绍1
光刻工艺介绍1

光刻工艺介绍1General Photolithography前工序Process涂胶(Coating)HMDSResist coatingSoft bakeSoft bakeTA

2024-02-07
光刻工艺主要步骤
光刻工艺主要步骤

光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜。3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。4. 对准和曝光(A&E)保证器件和电路正常工作的决定性

2020-04-30
光刻工艺步骤介绍ppt课件
光刻工艺步骤介绍ppt课件

光刻工艺步骤介绍1综述一光刻工艺流程介绍1 涂胶工艺介绍 2 曝光工艺介绍 3 显影工艺介绍 4 显检图形介绍 5 条宽&套刻测量二在线流片相关知识介绍2光刻工艺流程涂胶

2024-02-07
光刻工艺简要流程介绍
光刻工艺简要流程介绍

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm

2024-02-07
光刻工艺与方法
光刻工艺与方法

光刻工艺与方法张永平 2012.02.24• 光刻胶由三部分组成:1、感光剂 2、增感剂 3、溶剂正、负性光刻胶衡量光刻胶好坏的标准• 1、感光度 • 2、分辨率 • 3、粘度及固

2024-02-07
电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺
电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺

未正确套刻情形放大缩小旋转 X轴方向偏移Y轴方向偏移曝光场驻波与抗反射涂层 当光刻胶下面的底层是反光的衬底(如金属和多 晶),光线将从衬底反射并可能损害临近未曝光 的光刻胶,这种反

2024-02-07
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程

Mask制作 制作注意: !!! 注意:正图/ 反图!!!曝光剂量曝光剂量是指光刻胶所吸收紫外光的总和, 曝光剂量是指光刻胶所吸收紫外光的总和,曝光剂量可用下 式来表示: 式来表示

2024-02-07
光刻工艺参考文档
光刻工艺参考文档

工的最小线条尺寸或机器能充分打印出的区域。分辨率是决定光刻系统最重要的指标,能分辨的线宽 越小,分辨率越高。其由瑞利定律决定:Rk1ຫໍສະໝຸດ BaiduNA分辨率系数k1=0

2024-02-07
光刻工艺主要步骤
光刻工艺主要步骤

光刻工艺主要步骤

2024-02-07
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程

光刻工序Jincheng Zhang1、清洗硅片 Wafer CleanJincheng Zhang2、预烘和底膜涂覆 Pre-bake and Primer VaporJinch

2024-02-07
光刻工艺过程
光刻工艺过程

光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气保护)目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表

2024-02-07
光刻工艺问答
光刻工艺问答

光刻工艺问答PHOTO 流程?答:上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻?其功能为何?其分为哪两种?答:Photoresist(光阻).是一种感光的物质,其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻?答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部

2024-02-07
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍

显影后烘(坚膜)后烘目的 去除显影后胶内残留溶剂,适当的后烘可 以提高光刻胶粘附性和抗刻蚀能力 后烘方式 烘箱对流加热 红外线辐射加热 热板传导加热注意事项进行涂胶&显影工

2024-02-07
光刻工艺流程
光刻工艺流程

光刻工艺流程Lithography Process摘要:光刻技术(lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小,集成度

2024-02-07