宁波大学3810数字集成电路设计基础考博真题试题2019年

第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应：1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS 管，PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（μξν=），即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场强度的增加而线性增加。此时近似表达式

宁波大学3810数字集成电路设计基础考博真题试题2017年

数字集成电路设计基础-第八章 稳定性分析

科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础图1. 一阶RC网络V OUTV A V B图2. 逻辑门版图科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础图5. 施密特触发器电路逻辑实现下列功能的晶体管级电路。(10分wl图6. SRAM电路科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础

科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础VDDGND IN1IN2IN3IN4OUT科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础5.说明如图5所示的静态CMOS反相器的总功耗由哪几部分组成，并列出每一项功耗的具体表达式。(10分)pmosnmosVDDC L图5. 静态CMOS反相器6.

Digital IC：数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统第一章引论1、数字IC芯片制造步骤设计：前端设计（行为设计、体系结构设计、结构设计）、后端设计（逻辑设计、电路设计、版图设计）制版：根据版图制作加工用的光刻版制造：划片：将圆片切割成一个一个的管芯（划片槽）封装：用金丝把管芯的压焊块（pad）与管壳的引脚相连测试

数字集成电路设计基础-第六章 CMOS逻辑部件

2016年宁波大学考研博真题3810数字集成电路设计基础

数字集成电路基本单元与版图

宁波大学2020年博士研究生招生考试初试试题(A卷)(答案必须写在考点提供的答题纸上)

大规模集成电路 第4章 数字集成电路设计基础(1)

数字集成电路设计基础教学PPT

集成电路设计基础复习提纲一EDA常用命令ls 显示当前目录下的文件和路径。Pwd显示当前文件的绝对路径.。Cd进入指定目录。More显示文件内容。Cp拷贝。Mkdir创建目录。tar 打包。zip压缩。unzip解压。ftp传送文件。二基本概念1版图设计CIW命令解释窗口, Library 库，Reference Library相关库, Library Pa

CMOS集成电路设计基础-数字集成电路基础

数字集成电路设计课程教学大纲英文名称：Digital Integrated Circuits课程编码：B09062课程类别：必修学分数：48学时数（理论、实验分别表示）：48/0周学时：3课内学时/课外学时：1/1授课学期：第六学期适用专业：电子科学与技术先修课程：微电子物理基础、数字电路与系统考核方式：闭卷考试一、教学目的要求。本课程是电子科学与技术专业四

数字集成电路习题答案

数字集成电路设计基础-第七章 基本CMOS数字电路

合肥学院数字集成电路设计

数字集成电路设计入门--从HDL到版图于敦山北大微电子学系一个时间片的事件可引起新的事件，在当前时片或以后时间片timeslice 仿真器在编译数据结构时建立一个事件队列。波形显示工具—SignalScan> signalscan& 或signalscan数据库文件名&能够表示：端口等价于硬件的引脚(pin)