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(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)下面对于p型半导体形成的MIS结构，说法正确的是（）。
A．强反型时，表面的少子浓度会大于体内的多子浓度；(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)第1页共3页科目代码：3823总分值：100科目名称：半导体物理一、选择题（40分每题2分）1.如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主2.下列三种结构示意图属于多晶结构的是（）。
A B C 3.电子是带（）电的粒子。
A.正 B.负 C.零 D.准粒子4.当B 掺入Si 中时，它是（）杂质。
A.受主 B.深 C.浅 D.复合中心5.杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变小B.变小，变大C.变小，变小D.变大，变大。
6.在热力学温度零度时，能量比F E小的量子态被电子占据的概率为（）。
A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于17.金属和半导体接触分为（）。
A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触8.一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t τ=后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
A.1/eB.1/2C.0D.2/e9.载流子在电场作用下的运动为（）。
A.漂移运动B.扩散运动C.热运动D.复合运动10.锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型11.当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（）。
A.变化量B.常数C.杂质浓度和杂质类型D.禁带宽度和温度12.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
试卷C 答案一、选择题（每小题2分，共20分）。
1-5 DCACB 6-10 BBAAB二、填空题（每空1分，共20分）。
1、D C B B A F +++=))((2、多谐振荡器 ， 单稳态电路 、 施密特电路3、120.5 01111000.10004、20KHz5、与 ， 或 ， 非6、三态7、逻辑1（或高电平）、 逻辑0（或低电平）、高阻态 8、n n n Q K Q J Q +=+19、高10、采样 、 保持 、 量化 、 编码 。
三、计算证明题（每小题5分，共15分）1、BCD A C B A AD D B A D C B F ++++=D C B +=ABCD2、)(C A C A B C B AC F +++=C B AC +=3、∑∑+=d ABCD F )15,9,3()14,11,8,7,5,1,0()(ABC CD C B D A +++=ABCD四、（20分）时钟脉冲：（1分）CP CP CP CP ===012 输出方程：（1分）nn Q Q Y 21= 驱动方程：（3分）⎪⎩⎪⎨⎧======nn n nn n Q K Q J Q K Q J Q K Q J 2020********次态方程：（3分）⎪⎩⎪⎨⎧===+++n n n n n n Q Q Q Q Q Q 210011112状态图时序图（3分）电路的功能：六进制同步加法计数器。
（1分） 该电路不具有自启动能力。
（1分） 五、（10分）本小题只要求画出波形，每个波形4分，若全对，给4分，若波形错，每个表达式写对，给2分。
六、（15分）设主裁判为变量A ，副裁判分别为B 和C ；表示成功与否的灯为Y ，根据逻辑要求列出真值表。
表达式：ABC C AB C B A m m m Y ++=++=765（2分）卡诺图：（3分）化简后的表达式：（2分）AC AB Y ⋅=+=电路图：（4分）。
(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题：本大题共5小题，每小题5分，共25分。
在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。
错选、多选或未选均不得分。
()1.在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时，其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时，对应P-N结内部处于：A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。
(15分)3.试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。
(10分)三．计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其N A＝1018cm-3和N D＝1015cm-3．(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设I B=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。
(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数，那些因素会影响太阳能电池器件性能（15分）第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题（共20分，每题１分）1.（）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
北京大学信息学院考试试卷考试科目： 数字集成电路原理 考试时间 姓名： 学号：题 号 一 二三四五六七八九 十总分分 数 阅卷人以下为答题纸，共 6 页一、填空1、（4分）CMOS 逻辑电路中NMOS 管是（ 增强 ）型，PMOS 管是（增强）型； NMOS 管的体端接（ 地 ），PMOS 管的体端接（ VDD ）。
2、（8分）CMOS 逻辑电路的功耗由3部分组成，分别是（ 动态功耗 ）、（开关过程中的短路功耗）和（ 静态功耗 ）；增大器件的阈值 电压有利于减小（ 短路功耗和静态 ）功耗。
3、（6分）饱和负载NMOS 反相器的3个主要缺点是：（ 输出高电平有阈值损失 ）,( 输出低电平不是0，与比例因子Kr 相关 ), ( 输出低电平时有静态功耗 ) 。
4、（3分）三态输出电路的3种输出状态是：（ 高电平 ）， （ 低电平 ）和（ 高阻态 ）。
二、（12分）画出实现ABC D C B A Y +++=)(的静态CMOS 电路，如果所有MOS管的导电因子都是K ,分析几个输入同步变化的等效反相器的导电因子（K Neff 和K Peff ），在什么输入状态下电路有最小的低电平噪声容限。
Kneff = 1/(1/3k + 1/k) + k/3 = 3k/4 + k/3 = （13/12）K;Kpeff = 1/(1/3k + 1/k) + k/3 = （13/12）K;当 D = 1 ，A、B、C 同步变化时，上拉通路3个串联的PMOS 管起作用，下拉支路所有NMOS 都起作用，Kneff 最大 ， Kpeff 最小，传输特性曲线在最左边。
三、（12分）分析下面2个电路的逻辑功能，若所有输入高电平都是5V、输入低电平都是0V，电源电压是5V，所有MOS 管的阈值电压绝对值都是0.8V，分析2个电路的输出高、低电平和主要优缺点。
（1） （2） 电路 1） ⎩⎨⎧=======+=VB A VB A Vol B A AB Y 2.4Voh 15Voh 0,0,时，时， ，电路 2） B A B A B A AB Y +=++=，低电平0V ，高电平 4.2V 电路1）结构简单，节省面积，逻辑电平与输入状态相关，驱动能力差，噪声容限小。
浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A姓名 学号 班级 任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1．十进制数（68）10对应的二进制数等于 ；2．描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言（HDL ）法等，其中 描述法是基础且最直接。
3．1A ⊕可以简化为 。
4．图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于 。
A B L≥1&CYC图1 图25．如图2所示，当输入C 是（高电平，低电平） 时，AB Y =。
6．两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =，当A =B =1时，输出低电平且V Z =0.3V ，当该与非门加上负载后，输出电压将(增大，减小) 。
7．Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比， 型电路的抗干扰能力更强。
8．与同步时序电路相比，异步时序电路的最大缺陷是会产生 状态。
9．JK 触发器的功能有置0、置1、保持和 。
10．现有容量为210×4位的SRAM2114，若要将其容量扩展成211×8位，则需要 片这样的RAM 。
二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
11．十进制数（172）10对应的8421BCD 编码是 。
【 】A ．（1111010）8421BCDB ．（10111010）8421BCDC ．（000101110010）8421BCDD ．（101110010）8421BCD12．逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含 个最小项。
【 】A ．2B ．3C ．4D ．513．设标准TTL 与非门AB Z =的电源电压是+5V ，不带负载时输出高电平电压值等于+3.6V ，输出低电平电压值等于0.3V 。
