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FLASH命名规则

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今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下. 三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：

1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8 16 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/ nB 4 : Quad nCE & Single R/ nB 5 : Quad nCE & Quad R/ nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation 11. "─" 12. Package A : COB B : TBGA C : CHIP BIZ D : 63-TBGA E : TSOP1 (Lead-Free, 1217) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free) K : TSOP1 (1217) L : LGA M : TLGA N : TLGA2 P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : TSOP2-R S : SMART MEDIA T : TSOP2 U : COB (MMC) V : WSOP W : WAFER Y : TSOP1 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) 3 : Wafer Level 3 14. Bad Block A : Apple Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Sandisk Bin L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) 15. NAND-Reserved 0 : Reserved 16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】 K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 0

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

K9GAG08U0M 详细信息如下: 1. Memory (K)

2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) G : MLC Normal

4~5. Density AG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)

6. Technology 0 : Normal (x8)

7. Organization 0 : NONE 8 : x8

8. Vcc U : 2.7V~3.6V

9. Mode 0 : Normal

10. Generation M : 1st Generation

11. "─" 12. Package P : TSOP1 (Lead-Free)

13. Temp C : Commercial

14. Customer Bad Block B : Include Bad Block 15. Pre-Program Version 0 : None

整体描述就是： K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

micron镁光nand命名规则

www.micron.com/support/designsupport/documents/png Standard NAND Flash Part Numbering System Micron's part numbering system is available at Standard NAND Flash* MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : A Micron Technology Design Revision (shrink) A = 1st design revision

1. Single-Supply Flash 29F = Single-Supply NAND Flash Production Status 29H = High Speed NAND Blank = Production ES = Engineering samples

2. Density QS = Qualification samples 1G = 1Gb MS = Mechanical samples 2G = 2Gb 4G = 4Gb Operating Temperature Range 8G = 8Gb Blank = Commercial (0°C to +70°C) 16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C) 32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C) 64G = 64Gb 128G = 128Gb Block Option (Reserved for use) 256G = 256Gb Blank = Standard device

3. Device Width Flash Performance 08 = 8 bits Blank = Full specification 16 = 16 bits

4. Speed Grade (MT29H Only) Classification 15 = 133 MT/s 12 = 166 MT/s

5. Mark Bit/cell Die RnB A SLC 1 1 Package Code

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51系列单片机命名规则

51系列单片机命名规则

51系列单片机命名规则在嵌入式系统领域，51系列单片机是一种非常常见和广泛应用的单片机。

它由美国的英特尔公司（Intel）于上世纪80年代推出，因其性能稳定可靠、易于使用而深受开发者的青睐。

1. 命名规则背景在使用51系列单片机进行开发时，了解其命名规则是非常重要的。

这些命名规则旨在标识每个单片机型号的特定功能和性能特征，帮助开发者选择适合自己项目需求的单片机。

2. 命名规则的结构51系列单片机的命名规则一般由几个部分组成。

首先是数字部分，表示单片机的系列编号。

其次是字母部分，表示单片机的功能和特性。

最后是可选的修饰词，用于区分不同特殊版本的单片机。

3. 数字部分51系列单片机的数字部分通常由两到三个数字组成。

第一个数字代表系列的代号，比如最早的单片机型号为8051；第二个数字通常表示单片机的存储器容量和特性，例如独立的数据存储器（Data RAM）和程序存储器（Program ROM）；第三个数字可选，代表较新版本的单片机。

4. 字母部分51系列单片机的字母部分用来描述单片机的特定功能和特性。

常见的字母有以下几种：- F：表示单片机具有片内闪存（Flash）存储器，可以用于存储用户的程序代码。

- L：表示低功耗（Low Power），单片机具有低功耗特性，适用于对功耗要求较高的应用。

- C：表示单片机的存储器容量较大，通常用于存储大型程序或数据。

- S：表示单片机具有硬件串行口（Serial）功能，可以方便地与其他设备进行串行通信。

- T：表示定时器/计数器（Timer/Counter）功能，用于生成精确的定时和计数。

5. 修饰词在某些特殊版本的51系列单片机中，还可能出现一些修饰词，用于区分不同的型号。

例如，某些单片机可能带有扩展的功能，如模拟-数模转换器（ADC）或电子存储器（EEPROM）。

6. 实例分析以一款典型的51系列单片机为例，8051F020C是一款具有闪存存储器、低功耗和较大存储器容量的单片机。

主要芯片公司命名规则

主要芯片公司命名规则

命名封装批号常识等大全IC基本认识（上）IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。

但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。

ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。

Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。

紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下：AMD公司FLASH常识：AM29LV 640 D（1） U（2） 90R WH（3） I（4）1：表示工艺：B=0.32uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-film M=MirrorBit 2：表示扇区方式：T=TOP B=BOTTOM H=Unifom highest address L=Unifom lowest address U、BLANK=Unifom 3：表示封装：P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA4：温度范围C=0℃TO+60℃ I=-40℃TO+85℃ E=-55TO℃+85℃MAXIMMAXIM产品命名信息(专有命名体系)MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。

89C51

89C51

89C518代表8位单片机9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB89C52:8KB容量at89s51_&_stc89c51命名规则本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则.以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了.先说ATMEL公司的AT系列单片机89系列单片机的型号编码由三个部分组成，它们是前缀、型号和后缀。

格式如下：AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。

下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。

(l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。

(2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。

“89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。

“89LVXXXX”中，LV表示低压产品。

“89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。

(3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。

在型号与后缀部分有“—”号隔开。

后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下：X＝12，表示速度为12 MHz。

X＝20，表示速度为20 MHz。

X＝16，表示速度为16 MHz。

X＝24，表示速度为24 MHz。

后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下：X＝D，表示陶瓷封装。

X＝Q，表示PQFP封装。

’X＝J，表示PLCC封装。

X＝A，表示TQFP封装。

X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。

X＝W，表示裸芯片。

X＝S，表示SOIC封装。

后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下：X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。

flash元件

flash元件

一、flash元件1、在flash中什么是元件，有哪几类，特点是什么？Flash动画中元件可以分为图形元件、按钮元件、影片剪辑元件三种类；影片剪辑元件：影片剪辑是包含在flash影片中的影片片段，有自己的时间轴和属性。

具有交互性，是用途最广、功能最多的部分。

可以包含交互控制、声音以及其他影片剪辑的实例，也可以将其放置在按钮元件的时间轴中制件动画按钮。

按钮元件：按钮元件实际上是四帧的交互影片剪辑，它只对鼠标动作做出反应，用于建立交互按钮。

图形元件：在flash中图形元件适用于静态图像的重复使用，或者创建与主时间轴相关联的动画。

它不能提供实例名称，也不能在动作脚本中被引用。

2、绘制建图形元件：（1）、执行【插入】︱【新建元件】命令（快捷键 Ctrl+F8），打开【创建新元件】对话框。

在【创建新元件】对话框中，输入元件的【名称】为“小球”，【行为】选择【图形】前面的单选按钮，然后单击【确定】按钮，如图1-1-7所示。

图1-1-7创建小球元件的设置（2）进入元件编辑状态创建元件完成以后，编辑动画的【舞台】已经从“场景1”切换到“小球”图形元件的编辑状态，在【时间轴】的上方有“场景1”|“小球”的提示，如图1-1-8所示。

图1-1-8小球图形元件的编辑场景（3）.绘制图形步骤1 设置圆形的颜色选择【工具】面板上的【椭圆工具】，单击【工具】面板下面“颜色”区域的【笔触颜色】，在弹出的【颜色样本】面板上选择【没有颜色】；再单击【填充颜色】，在弹出的【颜色样本】面板上选择蓝色“#0000FF”，如图1-1-9和图1-1-10 所示。

图1-1-9设置圆形的笔触颜色图1-1-10设置圆形的填充颜色说明：在绘制某个形状时，它的颜色有两个部分：外部线条称为【笔触颜色】，它描绘形状的轮廓；形状内部的着色称为【填充颜色】。

在绘制图形之前，通常要先设置【笔触颜色】和【填充颜色】。

2 绘制圆形移动鼠标到【舞台】的中间，按住键盘“Shift”键同时按住鼠标左键拖动，绘制出一个随意大小的圆形，如图1-1-11所示。