巾国集成电路 业界要闻 Ｃｈｉｎａ Ｉｎｔｅ — ｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕ｜ｔ ‘ 。 。 。
Ａ１０系列芯片平台采用先进的混合设计技术，
并且应用多核（Ｍｕｌｔｉ—ｃｏｒｅ）架构于ＣＰＵ、ＧＰＵ、高清
多格式视频引擎、３Ｄ多屏显示引擎、高速视频接口
模块等组件。基于ＴＳＭＣ５５纳米工艺，使得珠海全志
科技设计的芯片拥有先进的动态调频调压技术
（ＤＶＦＳ），具备全新的视频技术处理能力，为移动通
讯产品创造更长的电池使用寿命及提供更清晰的画
面输出，进一步满足新一代智能型手机、平板计算机
及数字电视等电子产品对高效能、低功耗的需求。
（来自全志科技）
中芯国际获六亿美元银团贷款
中芯国际集成电路制造有限公司Ｅｌ前签订了一
项由国家开发银行及中国进出口银行牵头，总额达 六亿美元的七年期银团贷款协定。新的贷款额度将
主要支援中芯国际北京ｌ２英寸晶片厂的扩充及技
术发展。 中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表 示，“我们很高兴能达成此次贷款协议。这笔信贷安
排代表了我们先进的北京１２英寸晶片厂的发展潜
力得到国家政策银行及主要商业银行的认同。此外，
这个贷款专案强化了我们的资本结构，使我们在短
期债项和长期债项之间取得一个更好的平衡。”
银团贷款的其他参与银行还包括中国建设银
行、上海银行及北京银行。（来自中芯国际）
国际奠阄
Ｃａｄｅｎｃｅ上海新址盛大开幕
作为全球电子设计创新方面的领先者，铿腾设
计系统公司（Ｃａｄｅｎｃｅ）长期以来一直强调为当地客 户和合作伙伴服务的承诺，公司于３月２１日宣布其
扩大后的上海办事处盛大开幕，该办事处包括３００
多名销售、研发及技术支持员工。铿腾公司总裁兼
首席执行官陈立武主持了庆祝这一重大时刻的剪彩
ｈｔｔｐ：ＩＩｖ￣ｗ．ｃｉｃｍａｇ．ｃｏｒｎ 典礼。
铿腾公司于１９９２年开设了在中国的首个办事 处。除了上海办事处外，还在北京、成都及深圳开设
办事处。上海新办事处场所比之前大了２２％，以后
第五章淀积表面薄膜的形成表面薄膜的形成微固学院邓小川51前言分类5.1 前言分类绝缘薄膜导电薄膜导电薄膜作用作
用作为器件和电路的一部分工艺中的牺牲层工艺中的牺牲层内容安排内容安排SiO2Si3N4多晶硅等教材11章金属层教材12章2金属层教材12章51引言5.1 引言本章
主要内容本章主要内容不同薄膜淀积技术学化学气相淀积CVD反应过程化学气相
淀积CVD工艺设备化学气相淀积CVD工艺设备本章知识要点掌握薄膜的性质、用
途、生长过程掌握CVD反应的基本步骤掌握CVD反应的基本步骤掌握外延技术及其
方法3了解薄膜淀积的主要方法。51引言5.1 引言MSI 的晶体管的各层薄膜不平NitrideTopsideILDOxidePadOxidePolyMetalPolyMtlField oxidennppn-wellSidewall oxidePre-metal oxidePolyPolyMetalpsilicon substratep-epi layerGate oxideSidewall oxide451引言5.1 引言亚微米CMOSIC制造厂典型的硅片流程模型硅片制造前端亚
微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型抛光无图形的硅片硅片起始薄膜扩散刻
蚀光刻完成的硅片无图形的硅片薄膜测试/拣选扩散刻蚀光刻完成的硅片测试/拣选
注入551引言ULSI 硅片上的多层金属化5.1 引言片的多层属化Bonding pad metalILD-6Passivation layer多层金化ILD-4ILD-5多层金属化Multilayer
Metallization1ILD2fillILD2ILD-3指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层和
绝缘介质层。LIoxideLIoxide1ILD-2 gap fillILD-2ILD-1金属层Metal Layers介质层DielectricLayersEitilln-wellp-wellLI oxideLI oxide介质层Dielectric Layers6p Silicon
第7章薄膜工艺
IC芯片的制作过程实际上就是在硅衬底上多次反复进行薄膜形成、光刻、掺杂等加工。大多数薄膜形成是通过淀积方式
在衬底上形成薄膜，硅氧化生长的SiO2薄
膜是硅材料本身同氧气进行化学反应而成，硅的外延则是一种特殊的薄膜工艺，它只能在硅的单晶上生长硅的薄膜。
淀积的方法有两类：物理淀积与化学
淀积。真空蒸发、溅射、分子束外延等属
于物理淀积，利用化学反应过程的生长方
法称为化学淀积。化学淀积分液相淀积与
气相淀积，电镀就是液相淀积。
7.1 蒸发7.2 溅射
7.3 化学气相淀积（CVD）
7.4 外延
7.5 其它薄膜生长方式
7.6 金属化工艺本章内容7.1 蒸发
真空腔硅圆片
淀积材料坩埚
机械泵
初级抽气泵
扩
散泵
冷阱放气阀早期半导体工艺的金属层全由蒸发的方式淀积。蒸发的过程是在真空条件下，把蒸发的材料加热熔化，从固体变成液体，再变成气体。淀积的速率同该材料的蒸汽压有关，不同的材料其蒸汽压不同。为了得到合适的淀积速率，一般要求蒸汽压至少应为10mTorr。常用材料的蒸气压三种坩埚加热方式三种坩埚加热方式
电阻加热
方式（灯丝）源棒（放在灯丝里面）加热灯丝电阻加热方式（坩埚）淀积材料
感应加热方式（坩埚）淀积材料氮化硼坩埚
感应线圈
电子束蒸发方式（电阻加热和感应加热都存在加热元件材料沾污的问题）淀积材料电子束
偏转磁铁偏转磁铁
灯丝加速栅极多组分薄膜
对于蒸气压
很接近的两种或
多种材料，例如
Al
和Cu ，可以把这些材料的混合物放在一个坩埚里蒸发，或制成合金进行蒸发。单源蒸发硅圆片
合金膜
合金溶液
硅圆片
合金膜
多源同时蒸发材料2材料1对于蒸气压相差很大的合金，如TiW，用单源蒸发方式开始蒸发出来的蒸汽几乎是纯钛，所以很难得到正确的合金组份。采用多源方式，一个放Ti，一个放W，然后同时蒸发，可以有很好的改进，但是仍留下蒸气压的问题。
硅圆片
分层淀积
材料1多源按次序蒸发材料2挡板对于多成分薄膜的一种替代方法就是利用挡板的打开与关闭进行按次序淀积，然后提高样品的温度让各组分互相扩散，从而形成合金。7.2 溅射蒸发工艺的两个缺点：●覆盖台阶覆盖（step coverage）的能力差，常在垂直的壁上断开。
第１９卷第５期 ２００６年１０月 传感技术学报 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＥＮＳＯＲＳ ＡＮＤ ＡＣＴＵＡＴＯＲＳ Ｖｏ１．１９ Ｎｏ．５ Ｏｃｔ．２００６
Ａ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ Ｃｒ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ ａｎｄ ｉｔｓ Ｗｅｔ—Ｅｔｃｈｉｎｇ
ＬＩ Ｚｈａｏ－ｚｅ¨，ＸＵＣｈａｏ ，ＷＵ Ｘｕｅ—ｚｈｏｎｇ ，ＷＡＮ Ｈｏｎｇ ，ＬＩ Ｓｈｅｎｇ—ｙｉ ，１．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃ ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ａｎｄ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ，Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｄｅｆｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ ４１００７３，Ｃｈｉｎａ；、 ｔ ２．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆＡｅｒｏｓｐａｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｄｅｆｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ ４１００７３，Ｃｈｉｎａ ， Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ＰｖＤ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｔｈｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｒａｔｅ ｏｆ Ｃｒ ｔｈｉｎ—ｆｉｌｍ ｉｓ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｂｙ ｓｔｅｐ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ ａｎｄ ｉｔｓ ｓｕｒｆａｃｅ ｉＳ ｏｂｓｅｒｖｅｄ ｏｎ ＳＥＭ ａｎｄ ＡＦＭ．Ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｓｏｍｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆａｃｔｏｒｓ ｔｏ ｔｈｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｒａｔｅ ｉｓ ｅｄｕｃｅｄ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ．Ａｎｄ ｓｏｍｅ Ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ Ｓｔｕｄｉｅｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｄｏｎｅ ｔｏ ｔｈｅ ｗｅｔ—ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ．Ａｔ ｔｈｅ ｓａｍｅ ｔｉｍｅ，ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｐｉｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅ— ｓｉｓｔａｎｃｅ ｏｆ Ｃｒ ａｆｔｅｒ ｗｅｔ—ｅｔｃｈｉｎｇ ａｒｅ ｓｈｏｗｎ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＰＶＤ；ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ￣ｗｅｔ—ｅｔｃｈｉｎｇ￣ｓｔｅｐ ｓｒｏｆｉｌｅｒ；ＳＥＭ；ＡＦＭ ＥＥＡ０Ｃ：２５６０Ｊ
