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模拟电子技术习题集(二)

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第三章 多级放大电路 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。 （1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( ) （2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。( ) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。( ) （4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) 解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√

二、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，

且1000io＞IUAui，输出电阻Ro＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。 解：（1）A，A （2）D，A （3）B，A （4）D，B （5）C，B 三、选择合适答案填入空内。 （1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 （3）选用差分放大电路的原因是 。 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。 A.差 B.和 C.平均值 （5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 （6）互补输出级采用共集形式是为了使 。 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B （6）C

四、电路如图所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbr=100Ω，静态时｜UBEQ｜≈。试求： （1）静态时T1管和T2管的发射极电流。 （2）若静态时uO＞0，则应如何调节Rc2的值才能使uO＝0V若静态uO

＝0V，则Rc2＝电压放大倍数为多少 图 解：（1）T3管的集电极电流 IC3＝（UZ－UBEQ3）/ Re3＝ 静态时T1管和T2管的发射极电流 IE1＝IE2＝ （2）若静态时uO＞0，则应减小Rc2。 当uI＝0时uO＝0，T4管的集电极电流ICQ4＝VEE / Rc4＝。Rc2的电流及其阻值分别为

k14.7mA14.0C2c1BEQ4E4E4c2CQ4C2B4C2RRIURIRI

IIII＝

电压放大倍数求解过程如下： 

k74.2mV26)1(k7.10mV26)1(EQ4bb'be4EQ2bb'be2IrrIrr



29718)1( 5.16 2])1([21e4be4c42be2e4be4c21－∥uuuuuAAARrRA

rRrRA



 习 题 判断图所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。

图 解：（a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基 （e）共源，共集 （f）共基，共集 设图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出uA、Ri和Ro的表达式。

图 解：（1）图示各电路的交流等效电路如解图所示。 （2）各电路uA、Ri和Ro的表达式分别为 图（a） 

22be23o

be11i32be232be1132be221

1)1()1(])1([RrRRrRRRrRrR

RrRAu∥∥

图（b） 4obe2321be11ibe242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(RRrRRrRRrRrRRrrRRAu∥∥∥∥∥

∥∥





图（c） 3obe11id2be232be11d2be221])1([])1([RRrRRrrRrRrrRA

u



∥

图（d） 8o213i2be82be2764m)()]([RRRRRRrRrRRRgAu





∥∥∥∥



解图 基本放大电路如图（a）（b）所示，图（a）虚线框内为电路Ⅰ，图（b）虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（c）、（d）、（e）所示，它们均正常工作。试说明图（c）、（d）、（e）所示电路中 （1）哪些电路的输入电阻比较大； （2）哪些电路的输出电阻比较小；

（3）哪个电路的suA=soUU最大。

图 解: （1）图（d）、（e）所示电路的输入电阻较大。 （2）图（c）、（e）所示电路的输出电阻较小。

（3）图（e）所示电路的suA最大。

电路如图（a）（b）所示，晶体管的β均为50，rbe均为Ω，Q点合适。求解uA、Ri和Ro。 解：在图（a）所示电路中 

k3k93.012512513obe121i21be2322be12be211RRrRRRAAArRArrAuuuuu∥∥



在图（b）所示电路中 

k1k2.1)(21004250)(4obe1325i21be2422be1be2111RRrRRRRAAArRArrRAuuuuu∥∥∥





电路如图（c）（e）所示，晶体管的β均为80，rbe均为Ω，场效应管的gm为3mA/V；Q点合适。求解uA、Ri和Ro。 解：在图（c）所示电路中



k2k5.1663410762)(4ibe11i21be2422be1be2311RRrRRAAArRArrRAuuuuu∥∥





在图（e）所示电路中 

431M1061)1()1(6])1([2be4o1i214be4224be21RrRRRRAAARrRARgRrRgAuuuummu∥∥



图所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，rbe1＝rbe2＝rbe。 （1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式； （2）写出RW的滑动端在最右端时Ad的表达式，比较两个结果有什么不同。

图 解：（1）RW的滑动端在中点时Ad的表达式为

beWcIOd

)2( rRR

uu

A



（2）RW的滑动端在最右端时

IbeWcC2C1OIbecC2IbeWcC1)2( 2 2)( urRRuuu

urRuurRRu



 所以Ad的表达式为 beWcIOd

)2( rRR

uu

A



比较结果可知，两种情况下的Ad完全相等；但第二种情况下的C21C uu＞。

图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bbr=100Ω，UBEQ≈。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。

图 解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：

mA517.02222eWBEQEEEQEEeEQWEQBEQRRUVIVRIRIU

＋ Ad和Ri分析如下：

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模拟电子技术基础课后习题答案

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第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。

2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

模电试题及答案1-2

模电试题及答案1-2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

模拟电子技能技术总结习题及答案

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精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。

(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。

(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。

2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。

解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。

因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。

3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。

试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。

当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。

第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。