模拟电子技术第二章习题解答

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。

2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

第二章电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。

解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：(b)(a)(c)(d)6Ω7Ω3Ωa aabbbddcb(a)(d)(c)(b)6Ωb4Ω（a ）图 R ab =8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω（b ）图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω（c ）图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω（d ）图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。

解：为方便求解，将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。

（a ）R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω（b ） R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。

baba(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图b abΩ(b)解：（a ）两电源相串联，先将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，最后再变换成电流源；等效电路为（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去（短接）。

两电源相并联，先将电压源变换成电流源，再将两并联的电流源变换成一个电流源，等效电路如下：2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。

解：（a ）与10V 电压源并联的8Ω电阻除去（断开），将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，再变换成电流源，最后变换成电压源，等效电路如下：（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与2A 恒流源串联的4Ω亦可(a)(b)题2.4图aa bababababbbb b除去（短接），等效电路如下：2.5 用电源等效变换的方法，求题2.5图中的电流I 。

第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。

（3）PN结的结电容包括和。

（4）晶体管的三个工作区分别是、和。

在放大电路中，晶体管通常工作在区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。

（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。

2-2．判断下列说法正确与否。

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。

（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。

（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。

（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。

（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。

（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。

模拟电⼦技术基础课后练习答案（国防科技⼤学出版社）第⼆章半导体器件习题答案（⼤题）习题：⼀．填空题1. 半导体的导电能⼒与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2. 利⽤PN结击穿时的特性可制成稳压⼆极管，利⽤发光材料可制成发光⼆级管，利⽤PN结的光敏性可制成光敏（光电）⼆级管。

3.在本征半导体中加⼊＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加⼊＿3价＿元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多⼦是_⾃由电⼦_______；P型半导体中的多⼦是___空⽳____。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截⽌这种特性称为PN结的单向导电性。

5. 通常情况下硅材料⼆极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料⼆极管的正向导通电压为0.2v 。

6..理想⼆极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于⼀个___开关____。

7..晶体管的三个⼯作区分别为放⼤区、截⽌区和饱和区。

8.. 稳压⼆极管是利⽤PN结的反向击穿特性特性制作的。

9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10. 晶体三极管⼯作时有⾃由电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电，因此三极管⼜称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20µA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。

12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两⼤类，⽬前⼴泛应⽤的绝缘栅效应管是MOS管，按其⼯作⽅式分可分为耗尽型和增强型两⼤类，每⼀类中⼜分为N沟道和P沟道两种。

13. 查阅电⼦器件⼿册，了解下列常⽤三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1⼆．选择题1.杂质半导体中，多数载流⼦的浓度主要取决于A。

A、杂质浓度B、温度C、输⼊D、电压2.理想⼆极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。

A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是⼆极管⼯作在＿＿D＿＿状态。

A.正向导通B.反向截⽌C.反向导通D.反向击穿4.当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。

第二章思考题与习题解答2-1 判断正确(√)与错误(×)。

电路的静态是指：(1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。

( )(2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。

( )(3)输入交流信号且幅值为零时的状态。

( )(4)输入端开路时的状态。

( )(5)输入直流信号时的状态。

( )目的澄清静态的概念。

解(1) ×。

因为这是动态概念。

(2) ×。

理由与(1)相同。

(3) √。

即当i 0U=时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。

(4) ×。

输入端开路时不能保证i 0U=的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不能保证静态。

(5) ×。

这仍然是动态概念。

2-2 试判断图题2-2(a)～(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。

图题2-2目的 检查放大电路是否能正常放大。

分析 一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。

这就是：①e 结正偏，c 结反偏。

由直流电源CC V 与BB V 保证。

②信号能输入。

③信号能输出。

④波形基本不失真。

由合适的工作点保证。

检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。

解 图(a)不能正常放大。

因为BB V 的极性接反了，使e 结反偏。

图(b)不能放大。

原因是CC V 极性接反了，使c 结正偏。

图(c)不能放大。

因为b R =0，使信号i U 通过短路线以及CC V 对地交流短路，加不到晶体管上，从而o U =0。

图(d)不能放大。

因为e 结处于零偏置。

图(e)能正常工作。

因为四个原则均满足。

图(f)不能放大。

因为电容C 有隔直作用，使BB V 不能在b R 上产生偏置电流，即BQ I =0，工作点不合理。

图(g)不能放大。

因为BB V 将信号i U 对地直接短路，不能输入到晶体管上。

图(h)不能放大。

因为c R =0，信号不能输出。

图(i)能放大。

四个原则均满足。

其中二极管起温度补偿作用。

第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。

3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。

4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。

5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。

6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。

7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。

8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。

二、判断题1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。

（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。

2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。

（√）3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。

（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。

4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。

（√）三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（B）。

A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。

2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。

A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。

模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。

图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用；(f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去；(g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。

题 2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。

三极管的输出特性如图(b)所示。

①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数改成什么数值（a ）题2-2解：① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后，由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。

由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。

可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。

第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解：（a）不能。

因为输入信号被V B B短路。

（b）可能。

（c）不能。

因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。

（d）不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。

因为输入信号被C2短路。

（f）不能。

因为输出信号被V C C短路，恒为零。

（g）可能。

（h）不合理。

因为G-S间电压将大于零。

（i）不能。

因为T截止三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的 ＝100，'b R＝100kΩ。

填空：要求先填文字表达式后填得数。

U ＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，若（1）当iR和R W之和R b要基极电流I B Q＝20μA，则'b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。

（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数 uA ＝ ≈ 。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。

解：（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ，；，I U V I U V β-- 。

习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。

b 饱和状态。

c 截止状态。

d 放大状态。

2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。

解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。

（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。

2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。

解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。

（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。

（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。

2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。

图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。

电源极性与三极管不符。

b 无放大作用。

I B =0。

c 无放大作用。

交流通路输入短路。

d 无放大作用。

第二章 电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。

解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：(b)(a)(c)(d)6Ω7ΩΩaaabb bddcb(a)(d)(c)(b)bΩ4Ω（a ）图 R ab =8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω （b ）图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω（c ）图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω（d ）图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。

解：为方便求解，将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。

（a ） R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω （b ） R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。

bab a(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图babΩ(a)(b)解：（a ）两电源相串联，先将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，最后再变换成电流源；等效电路为（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去（短接）。

两电源相并联，先将电压源变换成电流源，再将两并联的电流源变换成一个电流源，等效电路如下：2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。

解：（a ）与10V 电压源并联的8Ω电阻除去（断开），将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，再变换成电流源，最后变换成电压源，等效电路如下：（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与2A 恒流源串联的4Ω亦可除去（短接），等效电路如下：(a)(b)题2.4图abaababab abb bbb2.5 用电源等效变换的方法，求题2.5图中的电流I 。

第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。

3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。

4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。

5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。

6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。

7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。

8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。

二、判断题1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。

（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。

2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。

（√）3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。

（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。

4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。

（√）三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（B）。

A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。

2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。

A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。

第二章 习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V ，用于电话机通话时的直流电源。

话机内部电路对电压有极性的要求。

话机电路中有一个导向电路，如题2-1图所示。

外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。

试说明其工作原理。

答：当外线与话机引线相接时，如果话机引线的上端接正、下端接负，则电源正端经过D 1，话机内的其他电路、D 4到电源负端，形成电流回路，此时二极管D 1、D 4正向导通，D 2、D 3截止。

如果话机引线的下端接正、上端接负，则电源正端经过D 2、话机内的其他电路、D 3到电源负端，形成电流回路。

由此或见，无论话机引线的上端接正还是下端接正，对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求，这就是导向电路所起的作用。

2-2 已知硅和锗PN 结的反向饱和电流分别为10-14A 和10-8A 。

若外加电压为0.25V 、0.45V 、0.65V 时，试求室温下各电流I ，并指出电压增加0.2V 时，电流增加的倍数。

解：根据式（1-2-4） ()1/-=T v v S e I I ，室温时mV V T 26≈对于硅PN 结：A I S 1410-=，则电压增加0.2V 时电流增加的倍数为倍219126/20026/2.0≈=mV mv mV V e e对于锗PN 结，A I S810-=，则 电压增加0.2V 时电流同样增加2191倍。

2-3 在室温时锗二极管和硅二极管的反向饱和电流分别为1μA 和0.5pA ，若两个二极管均通过1mA 正向电流，试求它们的管压降分别为多少。

解：根据二极管的伏安特性 ()1/-≈T V V S e I I当V ＞＞V T 时 T V V S e I I /≈ 则ST I IV V e =/S I I T V v ln =∴若锗二极管的A I S μ1=， mA I 1=，则V mV V 18.010ln 026.0ln 263101063==⋅=-- 若硅二极管的PA I S 5.0=，mA I 1=，则()V mV V 557.0102ln 026.0ln 269105.010123≈⨯=⋅=--⨯2-4 两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A 和2×10-15A ，若定义二极管电流I=0.1mA 时所需施加的电压为导通电压，试求各V D （on ）。