射极跟随器负载加重的问题

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射极跟随器负载加重的问题
在晶体管电路设计这本书上讲到了射极跟随器负载加重后负侧波形会被截去(正电源的情况
下),但是正侧不受影响,老师的解释是正半轴不受空载电流的影响,但是我还是没想通为
什么负半轴受影响而正半轴不受影响,有人可以帮忙解释一下吗?

很简单,这样分析
看这个电路,射极大概被偏置在12/2-0.7=5.3V,射极电阻1K,负载电阻100,输入峰值1V的
正弦波
当输入信号从0到负值下降时,射极电压跟随下降,也就是从5.3V下降到5.3V以下,输出耦
合电容拥有左边5.3V,右边0V的电压,这时由于射极电压下降,因此电容右边也下降,此时电
流方向是从负载电阻R1到C1到R4到地,而由于输出耦合电容容量足够大,根据V=Q/C,可见,
流出电荷Q足够小,电容C足够大,因此电压变化V足够小,认为电容两端的电压不变.此时
射极电阻R4上主要有两个电流,一个是三极管的IC,一个是输出耦合电容放出的电流,他们
两为射极电压共同作出贡献,那么显然输出耦合电容贡献的越多,三极管所需要提供的IC就
越小,这个时候我们来看三极管的输出特性曲线,我们发现当IC减小时,工作点在向下移动,
很容易可以预测,在某一个时候,三极管会进入截至区,此时三极管不起任何作用,此刻的电
路可以等效为射极电阻,输出电容,以及负载电阻组成的回路,并且以(R4+R1)*C1的时间常
数放电

然后我们就可以分析究竟是在哪个点发生了削底
我们可以知道基极电压Ub=(1/2)*VCC+Ui,此时假设已经到了临界点,也就是射极电压全部
是由输出电容的电流贡献的
可以得到射极电压Ue=-Ui/100*R4,我们又知道三极管刚刚截至了
所以Ub-0.7=Ue
解方程,即可得到削底的点是-482mv,可以看到,和仿真结果一样
(原文件名:射随削底.JPG)
现在好像想通了一点
输入信号正半轴的时候Ie=IRe+Io,而负半轴的时候Ie=IRe-Io
由三极管的特性曲线可以知道当Ie为0的时候三极管就会截止
所以正半轴的时候与IRe(即空载电流)无关,而负半轴的时候当IRe=Io的时候三极管就
会截止
我之前没有想到的两点,一是由三极管特性曲线明白三极管截止的条件,二是Ie IRe Io
的关系在输入信号正负不一样的时候是不一样的。
因此,就可以推出《晶体管电路设计》这本书53面中提到的结论 交流信号的信号不允许小
于空载电流IRe*(Re||RL)
于是就得到了我仿真的波形