STM存在的问题
在Vb 和I保持不变的扫描过程中,如果功函数随样 品表面位置而异,也同样会引起探针与样品表面间距 S 的 变 化 , 因 而 也 引 起 控 制 针 尖 高 度 的 电 压 Vz 的变 化。如样品表面原子种类不同,或样品表面吸附有原 子、分子时,由于不同种类的原子或分子团等具有不 同的电子态密度和功函数,此时STM给出的等电子态 密度轮廓不再对应于样品表面原子的起伏,而是表面 原子起伏与不同原子和各自态密度组合后的综合效 果。STM不能区分这两个因素。 利用表面功函数,偏置电压与隧道电流之间的关 系,可以得到表面电子态和化学特性的有关信息。
Potential barrier
0 V ( x) V0
for | x | d/2 for | x | d/2
Schroedinger’s equation of motion
d 2u ( x ) 2m 2 V0 E u ( x ) 0 2 dx
Electron (mass m, energy E) has finite probability of ‘tunneling’ through
原理
量子力学:
认为金属中的自由电子还具有波动性,这种 电子波φ1 向金属边界传播,在遇到表面位垒 时,部分反射为φR ,部分透过为φT 。这样, 即使金属温度不是很高,仍有部分电子穿透金 属表面位垒,形成金属表面上的电子云。这种 效应称为隧道效应。
Theory I: Quantum Barrier
P ( E ) e 2 kd
k 2 m (V0 E ) / 2
Theory II: Tunneling Current
insulator
metal 1