模拟电路考试题及答案精

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自测题一

一、判断题

1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。( F)

2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T)3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F)

二、单选题

1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。

A.外电场B.内电场C.掺杂 D.热激发

2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C)。

A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小

C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大

3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移 D.下移

4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A)。

A.增大B.减小C.不变 D.不确定

5.三极管β值是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源)A.电压控制电压 B.电流控制电流C.电压控制电流 D.电流控制电压6.温度升高时,三极管的 值将( A )。

A.增大 B.减少

C.不变 D.不能确定

7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。

A.电流放大系数

B .最大整流电流

C .集电极最大允许电流

D .集电极最大允许耗散功率

8.某放大电路中三极管的三个管脚的

电位分别为V U 61=,

V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。

A .e, b, c

B .b, e, c

C .b, c, e

D .c, b, e

9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。

A .多数载流

B .少数载流子

C .扩

D .少数载流子和多数载流子共同

10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和,则此三极管是( D )。(发正偏集反偏)

A .PNP 型硅管

B .PNP 型锗管

C .NPN 型锗管

D .NPN 型硅管

11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。

A .非饱和区

B .饱和区

C .截止区

D .击穿区

12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。

A .能够形成导电沟道

B .不能形成导电沟道

C .漏极电流不为零

D .漏极电压为零

三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓

度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。

3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。

4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将

变窄 。

5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。

6.三极管最重要的特性是 电流放大作用 。

7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将 增大 。

8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。

10.0=GS U 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。

11.开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管。

12.开启电压0)(

自测题二

一、判断题

1.晶体管的输入电阻be r 是一个动态电

阻,故它与静态工作点无关。( F )

2.放大电路必须加上合适的直流电源

才能正常工作。( T )

3.只有电路既放大电流又放大电压,

才称其有放大作用。( F ) 4.在输入信号作用时,偏置电路改变

了各放大管的动态电流。( F ) 5.直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大交流信号。( F )

二、单选题

1.在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将( C )。

A .增大

B .减少

C .不变

D .不能确定

2.在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将( C )。

A .增大

B .减少

C .不变

D .不能确定

3.在三种基本放大电路中,电压增益

最小的放大电路是(C)。

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

4.在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是(B)。

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

5.在单管固定偏置共射极放大电路中,

若测得三极管的静态管压降U

CE

近似等于电

源电压U

CC

时(无电流),则该管工作状态为(B)。

A.饱和B.截止C.放大 D.不能确定

6.晶体管能够放大的外部条件是( B )。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结正偏,集电结反偏

C.发射结反偏,集电结正偏

D.发射结反偏,集电结反偏

7.组合放大电路的输出级采用射极输

出(共集)方式是为了使(D)。

A.电压放大倍数高

B.输出电流小

C.输出电阻增大

D.带负载能力强

8.放大电路在低频信号作用下放大倍

数下降的原因是(A)。

A.耦合电容和旁路电容的影响

B.晶体管极间电容和分布电容的影响

C.晶体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点设置不合适

9.当我们将两个带宽均为BW的放大器

级联后,级联放大器的带宽( A )。

A.小于BW B.等于BW