模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。2、如图1所

模拟电路考试题及答案PDF.pdf

《模拟电子技术》模拟题1及答案一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（）3、PN结具有单向导电特性。（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（）6、单管共发射极放

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小

模拟电子技术基础试题汇总1.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管(D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B

自测题一一、判断题1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F）2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的

图2《模拟电子技术》试题开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟一、单项选择题（10*2=20分）每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。5、三极管

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极

自测题一一、判断题1.因为P 型半导体的多数载流子就是空穴,所以它带正电。( F )2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T )3.处于放大状态的三极管,集电极电流就是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题1.半导体中的少数载流子产生的原因就是( D )。A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发 2.用万用表测二极

自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发 2．用万用表测

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要

第0 页坑爹的模电试卷编号 01……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）：1． 整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2． 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

模拟电子技术试题二一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （20分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）（5）利用两只NPN 型管构成

坑爹的模电试卷编号 01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。3．放大器有两

坑爹的模电试卷编号01 ………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。3．放大器有两

《模拟电子技术》模拟试题七一、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控