第0 页坑爹的模电试卷编号 01……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）：1． 整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2． 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3． 放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4． 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5． 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6． 正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7． 某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR 为__________之比。
9． 某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB 。
图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（ ）构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（ ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（ ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（ ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
5、（ ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。
6、（ ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
7、（ ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。
8、（ ）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。
9、（ ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。
10、（ ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。
三、选择（本题共20分,每个选择2分）：1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V ，－10V ，－9.3V ，则此三极管是（ ）A. NPN 型硅管；B. NPN 型锗管；C. PNP 型硅管；D. PNP 型锗管； 2．为了使放大电路Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b 的值（ ）。
A. 增大B. 不变C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re （ ）。
A. 对差模信号起抑制作用B. 对共模信号起抑制作用C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V ，则其共模输入电压为（ ）。
A. 40VB. 20VC. 10VD. 5V 5．电流源的特点是（ ）。
A . 交流电阻大，直流电阻小；B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。
6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。
A. 耦合电容和旁路电容的存在；B. 放大电路的静态工作点不合适；C. 半导体管的非线性特性；D. 半导体管极间电容和分布电容的存在；7．关于理想运算放大器的错误叙述是（）。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位；C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO ＝100μA，其它参9．数基本相同，则实用中应选（）A. T1管；B. T2管；C. T3管9．交流反馈是指（）A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈；C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈；10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（）A. 基本共射放大电路；B. 基本共集放大电路；C. 反相比例运算电路；D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）：1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。
图22．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。
图33．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。
（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率P CM值。
第 1 页第 2 页图44．(本小题18分) 电路图5中，C 1、C 3和C E 的容量足够大，晶体管的β＝50，r bb ’＝200Ω，V BEQ ＝0.7V ，R S ＝2k Ω，R B1＝25k Ω，R B2＝5k Ω，R C ＝5k Ω，R L ＝5k Ω，R E1＝1.7k Ω，R E2＝300Ω，V CC ＝12V 。
计算：（1）电路的静态工作点；（2）电压放大倍数A uS 、输入电阻R i 和输出电阻R O 。
图5试卷编号 02……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共18分，每空1分）：1．本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在P 型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在N 型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
2．放大电路中，测得三极管三个电极1，2，3的电位为V U V U V U 12,8.2,5.3321===；则该三极管是________型，电极１为________，２为________，３为________。
3．射极输出器的特点是：电压放大倍数________，输入电阻________，输出电阻________。
4．半导体三极管属________控制器件，而场效应管属________控制器件。
5．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是=FA &&________，φA+φB=________。
6．若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用________反馈。
7．文氏电桥正弦波振荡器用________网络选频，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数F &=________，F Φ=________。
二、简答（本题共10分,每小题5分）：1．什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？ 2．什么是交越失真，如何克服交越失真？第 3 页三、分析与计算（本题共72分）： 1．(本小题15分) 放大电路如图示１，Ω=Ω=k R k R b b 52,821，R C =8.7k Ω，e R =1.3K Ω，Ω='300r b b ，+V CC =+15V ，β=20，U BE =0.7V ，电容容量足够大，求：⑴静态工作点；⑵电压放大倍数u A ；⑶输入电阻i R 和R o ；⑷若S R =1k Ω，求us A ；⑸若e C 开路，求u A 。
2．(本小题12分) 电路如图２所示， ,k 20R ,k 30R R ,k 5R R e 2C 1C 2b 1b Ω=Ω==Ω==1T 和2T 的性能一致，V 15V ,V 15V EE CC -=-+=+；Ω==k 4r r 2be 1be ，5021=β=β；试求：⑴：求ud A ，id R ；⑵：电路改成从2T 的集电极与地之间输出时ud A3．(本小题15分) 电路如图３所示，已知：V 20V ,V 20V CC CC -=-=，Ω=8R L ，输入电压)V (wt sin 210u i =，1T 和2T 的性能一致，死区影响和CES U 均可忽略。
试求：输出功率o P ，电源消耗功率V P 及能量转换效率η，每管功耗T P 。
4．(本小题15分) 反馈电路如图４所示，试回答： ⑴：该电路引入了何种反馈（极性和组态）；⑵：该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小）； ⑶：在深度负反馈条件下，求电压增益uf A 。
第 4 页图3 图45．(本小题15分) 电路如图５所示，集成运放均为理想运放，试写出输出电压o 2o 1o U ,U ,U 的表达式。
图5试卷编号 03……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）：1、构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有 和 特性。
2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 击穿和 击穿。
3、三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是 和 。
4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 耦合、 耦合和 耦合。
5、在集成电路中，高阻值电阻多用BJT 或FET 等有源器件组成的 电路来代替。
6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现 ，在整个信号周期内，三极管的导通角θ等于 。
7、在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服 现象。
8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的 ，要消除它，则必须采用 的方法来破坏电路自激振荡的条件。
9、在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于 ，而与开环增益基本无关。
10、正弦波振荡电路主要由 、 、 和 这四个部分组成。
二、单项选择（本题共20分，每小题2分）： 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2．当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）。
A 反向偏置但不击穿B 正向偏置但不击穿C 反向偏置且被击穿D 正向偏置且被击穿3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。
A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是（）。
