绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
