2019年JZ460660多晶铸锭炉相关技术性能参数
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公司简介一、公司概况北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日，并于2008年10月31日改制为股份有限公司，注册资金亿元人民币，公司总资产15亿元人民币。
公司主要产品包括：软轴单晶炉、多晶铸锭炉、区熔单晶炉、硅芯炉、多晶硅还原炉、晶体下拉炉等。
企业2008年总产值达8亿元，2009年总产值6亿元，2010年全年总产值约10亿元。
公司目前员工总数560余人，大专以上学历人员占30%以上。
2008年4月公司在董事长冯焕培先生提议下，董事会聘请美国麻省理工学院机械工程博士黎志欣先生任京运通公司总裁兼首席运营官，负责公司的日常运营。
公司目标是要成为世界级光伏设备制造商，要把国际光伏先进设备和服务与国内的制造成本结合起来，为客户提供性价比最高的产品。
公司总部位于北京经济技术开发区经海四路158号，建筑面积达万平方米的现代化大型装配厂房已于2009年初投入使用。
公司产能得到大幅度提升，已具备单晶炉月产150台，多晶硅铸锭炉50台的产能。
原有张家湾开发区厂区在改造扩建的同时，新购入各种大型及精密加工设备，已成为公司的设备加工基地，为京运通的发展奠定了坚实的基础。
我公司为北京市高新技术企业，中国电子专用设备工业协会和中国半导体材料协会会员单位。
公司从2003年申请并通过了ISO9001：2000质量管理体系认证审核。
主要产品进行了CE认证，公司拥有光伏设备相关专利30余项，具有较强的研发能力，不断推出的新产品，将促进企业的持续发展。
二、公司产品介绍公司产品硅晶体生长设备主要以软轴硅单晶炉和多晶硅铸锭炉为主力产品，其次还有区熔炉和多晶硅还原炉等其他相关炉型。
其中软轴单晶硅炉包括JRDL-800，JRDL-900两种主要炉型,从控制上分为(PLC IRCON 工控机),(PLC CCD 工控机)和(全自动.只限JRDL-900-AT)三种形式；多晶铸锭为JZ-270/450、JZ-460/660几种机型，控制上全部实现自动化，PLC控制系统为西门子新型产品。
JRDL-900型软轴硅单晶炉已经达到国内先进技术水平，设备投料量大，产出率高，该设备使用的22寸热场，投料量100Kg～120Kg，可拉制8英寸硅单晶。
20寸热场投料75Kg～100Kg，可拉制6英寸硅单晶，长度可在1500MM以上。
我公司2007年研制试验，2008年投入市场的多晶硅铸锭炉拥有多个型号，是目前世界上型号最全，规格最大的多晶硅铸锭炉，已分别产出：270Kg、450Kg、520Kg、660Kg、800Kg硅锭，该设备主要运动、测量、控制部件采用进口元器件，炉型为全自动控制，PLC控制系统采用先进的西门子新型产品，控制稳定，可靠性强，我公司多晶硅铸锭炉已具备世界领先水平，是民族产业的骄傲。
三、公司业绩我公司为北京市高新技术企业，企业多年获得科委授予的科技进步奖。
2003年完成工业控制计算机软轴单晶炉的研发和应用项目，实现了计算机与JRDL-700型软轴单晶炉的配套，并荣获北京西城区科委2003年度科技进步二等奖。
2004年完成JRDL-800型软轴单晶炉的研制、荣获2004年度科技进步一等奖。
2005年12月我公司研制的首台4英寸区熔炉在四川峨眉半导体材料厂一次试产成功，荣获2005年度科技进步三等奖，该项目同时获得2006-2007年度北京市火炬计划项目证书。
打破区熔炉长期以来依赖国外进口的局面，填补了国内设备生产的一项空白。
2007年完成了JRDL-900型软轴单晶炉研制，并荣获电子信息部授予的“中国半导体新产品和技术奖”，我公司JRDL-800和JRDL-900软轴硅单晶炉产品在全国市场占有率一直保持在50%以上，并出口到美国、韩国、日本、台湾等国家和地区。
2008年我公司研发实验成功的多晶硅铸锭炉投入市场，打破了国外设备厂家对国内多晶硅铸锭炉市场的垄断，荣获电子信息部“中国半导体新产品和技术奖”，其中JZ-460/660炉型被我国著名光伏产业制造商一次订购六百余台，目前已产出660Kg和800Kg硅锭，开创了国际铸锭生长史上的先河，为世界首创。
四、公司发展目标目前我公司是世界上销售数量最大的光伏产业设备制造商，公司的目标是要成为世界级的光伏设备制造商。
将在人才引进，科研开发、提高制造水平，市场开拓方面做更多的工作。
现在公司在北京经济技术开发区再次购置土地200亩，将进行光伏产业园的建设，在太阳能光伏设备领域里开创新的局面，实现世界一流的光伏设备制造商的目标，创“京运通”的自主民族品牌，为光伏产业广大客户提供更好的服务，真诚希望和大家的合作。
附件1：JZ-460/660多晶铸锭炉技术参数一、JZ-460/660型多晶铸锭炉介绍JZ-460/660型多晶铸锭炉能生产520KG/660KG-800KG优质的多晶硅锭，本设备的生产量很大，能在60个小时的时间内生产出合格的硅锭。
设备操作简单，直观的界面，给操作人员节省很多时间来处理设备的运行情况，从而极大的提高了生产效率，节约了成本。
JZ-460/660型多晶铸锭炉使用高纯度的内涂氮化硅的石英坩埚，运行过程中，通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而由下往上定向长晶，在整个长晶过程中只有隔热层一个部件在运动，大大减少了故障的发生，从而提高了炉子的稳定性能。
整个工艺过程分为装料，抽真空，检漏，加热，熔化，长晶，退火，冷却。
装料是在喷有氮化硅涂层的石英坩埚内，在保证不破坏涂层的条件下，进行装料。
装完料后开始抽真空，当压力降到时即可检漏，如果设备检漏通过，此时我们即可开始自动运行设备，按照配方工艺步骤运行。
在晶体生长过程中，一般自坩埚底部开始降温，当硅熔体温度低于熔点时，在接近坩埚底部处首先凝固，形成许多细小的核心，然后横向生长，当核心相互接触时，再逐渐向上生长，长大，形成柱状晶，柱状方向与晶体方向平行，直至所有的硅熔体都结晶为止，这样制备出来的多晶硅的晶粒大小，晶界结构，缺陷类型都很相似。
对于重量为520kg①的铸造多晶硅而言，硅锭尺寸一般为840*840*316mm。
目前JZ-460/660炉型已被著名硅片制造厂家批量采用，稳定生产出高质量的硅锭。
二、JZ-460/660型多晶铸锭炉使用需要的环境条件(户内)a)环境温度：20±5℃b)环境湿度：≤ 65%（不结露）c)地质震动要求：外界震源：当大于10HZ时，振幅小于0～三、我公司JZ-460/660多晶铸锭炉技术性能参数表序号项目参数备注1 电源电压380VAC2 电源频率50HZ3 电源相数3相4 电源功率200KW 真空机组电源功率，电控系统电源10KW5 坩埚尺寸520～550Kg 870×870×480mm 推荐660～800Kg 1040×1040×480mm 推荐6 铸锭尺寸520Kg 840×840×316mm 660Kg 1000×1000×283mm7 炉内真空度抽空极限真空度1Pa以下长晶等阶段工作压力600mbar允许泄漏量≤2Pa/5min测量范围～×Pa8 炉内温度与测量最高极限温度1575℃测量最高温度1800℃R型热电偶重复精度：±℃红外测温仪重复精度：±1℃9 内/外部尺寸炉体内直径￠2100mm炉体内高度2625mm下腔室升降行程950mm隔热钢笼升降行程380mm主机（长×宽×高）3230×3200×4850mm平台（含单边梯子）（长×宽×高）5160×4730×4160mm说明：①文中520kg为我方推荐装料重量。
设备兼容420kg-520kg的装料量，且硅锭高度须按重量调整。
②建议标准投料量，可以兼容420kg-520kg的装料量，550kg为针对870×870×480mm坩埚的极限装料量。
四、供货清单五、变压器技术规范1.输入额定电压：变压器每相带3个抽头3AC380V， 3AC400V，3AC420V 额定频率：50/60HZ电压波动范围：342V~418V2.输出额定容量：200KW额定电压：3AC25V3.其他加热控制方式：定周期调功方式调压方式：变压器一次侧调压变压器结构：△/Y控制信号：4~20mA功率因数：六、设备布置图及土建资料七、多晶铸锭炉安装条件：（一）、供土建设计所有资料1.厂方要求安装起吊高度：≥6500mm 。
2.厂房清洁度要求：密闭净化厂房（参考30-100万级根据当地风沙气候定），杜绝可腐蚀性气体。
3.安装地基：应放置在专用混凝土基础上，混凝土厚度≥250mm，承重能力≥10吨/㎡。
4.室内环境条件须恒温、恒湿，室温：20±5℃，相对湿度：≤65%5.厂房应尽量远离或避开振动源、外界振源：当大于10Hz时振幅值小于。
（二）、冷却用水的要求：用水量及压力流量1、冷却水入口压力最大：入、出口压力差：入口水温：≤28℃（最好24+－1℃）流量：160-180L/min2、备用水（紧急情况）：流量＞160L/min，维持时间≥10h，备注：停水时立即换至备用水。
（三）、铸锭炉用各种气体、压力及用量1、氩气压力及用量压力：以上流量：能提供0-200L/min的流量消耗量：70-75m³左右/炉2、压缩空气压力：流量：100L/min3、氦气（可选项）压力：以上用量：6-7m³/硅锭（四）、铸锭炉各单元用电明细1、真空机组电源电压：380V频率：50Hz功率：相数：3相2、电控系统电源电压：380V频率：50Hz功率：10kw相数：3相3、加热系统电源电压：380V频率：50Hz功率：200kw相数：3相（五）、铸锭炉水气管路接口口径1、配气管路接口：泄压安全阀接管口径Φ150mm氩气接管口径 NW-16法兰氦气接管口径 NW-16法兰 2、冷却水接口：冷却水入、出口口径Rc2″（六）、铸锭炉真空机组参数1、真空机组抽气速率：300L/s主管路进气口径：Φ150mm出气口口径：Φ76mm辅管路进气口径：Φ16mm八、产品实用新型专利证书北京京运通多晶硅铸锭炉，专利申请1.实用新型专利：一种新型多晶硅炉，专利号：2.实用新型专利：多晶硅炉传动装置，专利号：3.实用新型专利：多晶硅炉泄压装置，专利号：4.实用新型专利：一种多晶硅铸锭炉，专利号：5.实用新型专利：多晶硅铸锭炉，专利号：6.外观设计专利：多晶硅炉，专利号：7.发明专利：多晶硅铸锭炉自动控制系统及方法，申请号：8.发明专利：多晶硅炉观察装置，申请号：9.软件著作权：多晶硅铸锭炉操作控制软件，登记号：2008SR34560九、JZ-460/660型多晶炉补充介绍（一）、机械部分：1.质量流量控制器：采用美国进口ALICAT品牌质量流量控制器来控制氩气的流量，保证工艺所需的氩气能够稳定，准量的输送到炉内。
