多晶硅铸锭炉操作与生产流程ppt课件

多晶硅铸锭炉操作与生产流程1.原料准备原料是多晶硅的硅块或硅片。

准备的原料要求纯度高，无杂质。

为了提高生产效率，原料通常以小块装入托盘，方便连续供给。

2.炉体预热炉体预热是为了将炉体温度提升到适宜的熔解温度。

通常炉体内设置有电炉加热器和保温层，通过电热加热将炉体温度升高。

3.熔化和铸炉炉体预热至适宜的温度后，将原料加入炉体中进行熔化。

通常使用电炉或辐射加热方式进行熔化。

熔化后，需要将熔融硅液进行搅拌和均匀化处理，以消除内部的应力和局部温度差异。

然后，将熔融硅液进行铸炉，通过向下拉拔和旋转的方式，将熔融硅液逐渐冷却并形成铸锭。

在铸炉过程中，需要对炉温进行控制，以确保铸锭的质量。

4.冷却和卸锭完成铸炉后，需要将铸锭进行冷却。

冷却方式通常有自然冷却和快速冷却两种选择，根据产品需求进行选择。

冷却后，铸锭需要进行卸锭处理。

卸锭时需要注意操作，确保铸锭的完整和质量。

通常使用机械卸锭设备进行卸锭。

以上就是多晶硅铸锭炉的操作流程。

下面将介绍多晶硅铸锭炉的生产流程。

1.原料准备在生产流程中，需要对原料进行准备和筛选，确保原料的纯度和质量。

2.熔化和铸炉将原料加入炉体中，通过炉体的加热和熔化，得到熔融硅液。

然后进行熔融硅液的搅拌和均匀化处理，进行铸炉制程。

3.冷却和卸锭铸炉后，对铸锭进行冷却处理。

冷却方式根据产品要求进行选择，可以选择自然冷却或快速冷却。

冷却后，使用机械卸锭设备进行卸锭完整性和质量。

4.切片和加工经过卸锭的多晶硅铸锭，需要进一步进行切片和加工，得到所需的硅片和单晶硅。

5.检测和质量控制以上就是多晶硅铸锭炉的操作和生产流程。

该过程需要严格控制各个环节的参数和操作，以确保最终产品的质量和性能。

多晶硅锭的生产流程1.生产工艺流程（1）制造工艺流程图（2）工艺流程简述坩埚喷涂：其目的是为了在铸锭的过程中，防止坩埚的杂质混入硅料。

喷涂的Si3N4粉起到一个隔离杂质和防止粘埚的作用。

坩埚烧结：此过程是为了使喷涂在坩埚内表面的Si3N4粉牢固附着在坩埚上。

多晶炉铸锭：将盛好硅料的坩埚放入多晶炉中，经高温熔化定向凝固铸锭。

（3）反应副产物生产过程中产生含Si3N4粉尘的空气，过滤除尘后排放大气；铸锭过程中排放的少量氩气，直接排放入大气；铸锭后产生的石英坩埚碎片作为废物处理。

多晶铸锭操作流程1目的为了保证正确操作多晶硅铸锭炉，使铸锭过程规范、有效地进行，并确保铸锭成功。

2适用范围多晶铸锭车间3规范性引用文件无4职责生产部负责铸锭的整个过程。

工厂工程部负责整个外围设施条件，以保证多晶炉正常运行的环境条件要求。

5 术语和定义坩埚喷涂：在坩埚的内表面均匀喷涂Si3N4粉溶液，以防止在铸锭时坩埚和硅锭烧结在一起。

其目的是为了在铸锭过程中，防止坩埚内的杂质扩散入硅锭。

喷涂Si3N4粉起到了一个隔离杂质和防止粘埚的作用。

涂层烧结：此过程是为了使喷涂在坩埚内表面的Si3N4涂层牢固地附着在坩埚上。

多晶炉铸锭：将硅料放入坩埚，并一起放入多晶炉中，硅料经高温熔化、定向凝固成为硅锭。

定向凝固：在梯度热场中，液体朝一个方向凝固，固液界面近似于平面的凝固过程。

6 多晶炉工艺过程准备石英坩埚检查石英坩埚表面，不能有裂纹，内部不能有超过2mm的划痕、凹坑、突起。

6.1.1 用压缩空气和去离子水清洁坩埚的内表面。

6.1.2 坩埚喷涂：取250g的Si3N4粉末，用滤网筛滤。

然后取1000ml的去离子水，将Si3N4粉末溶解到去离子水中，用气动搅拌泵搅拌均匀。

喷涂时喷枪要距离坩埚内壁30cm左右，只喷涂坩埚底部和侧壁3/4的地方，要均匀不要使液体凝聚。

喷涂过程中要检测坩埚内表面的温度，应为80±5℃，不断用去油的压缩空气吹去掉落的颗粒。

多晶硅铸锭炉操作一般知识多晶铸锭目的:在一定的时间内，定向生长出一定尺寸的多晶晶锭。

操作过程：装炉-运行铸锭炉-出炉。

装炉：1，装炉前准备事项（1）检测多晶炉正常（顶板与加热板间电阻2K欧，溢流线电阻2-3欧）；（2）炉腔清理完毕（a下炉腔内壁附着物；b DS-block表面颗粒；c DS-block下隔热板及石棉垫表面颗粒）；（3）溢流线未被石棉垫覆盖。

2，装炉时注意事项（1）叉车平稳进出，绝不可撞击炉内器件；（2）装好料的坩埚放在DS-block中央（3）四块隔热条准确放在坩埚底板与DS-block之间。

运行铸锭炉1，运行前准备事项（1）清洁上下炉体缝合面，在O型圈表面均匀抹上真空油脂；（2）真空泵油位正常（1/3H-2/3H）；（3）红、黄、蓝指示灯正常，蜂鸣器正常；（4）配方名称准确，参数准确（进出水压力50-65psi，压差35psi，进出水温度24+—1℃）；（5）报警（Alarms）界面无异常（指示条全为绿色）；（6）隔热笼零位置准确；（7）准备好运行记录本。

自动运行前内容：a关闭下炉腔；b启动真空泵，点击“AUTO”熔化结束判断a，系统已经报警（功率斜率变化率值＜-0.01；TC2温度斜率变化率值＞0.03）；b，高温计明显下降；c，观察无漂浮硅料（15-20秒）；d，设定功率与实际功率曲线明显下降，TC2温度曲线明显上升。

中心长晶结束判断a，系统已经报警（高温计斜率值＞6）b，高温计曲线明显上升c，观察无液态硅边角长晶结束判断a，设定功率曲线不再上升；b，功率斜率平均值曲线不再上升；c，对应阶段时间运行完成。

出炉（1）打开下炉腔前事项a，overview（浏览）界面TC1温度低于要求的出锭温度；b，炉腔压强高于980mbar；（2）打开下炉腔a，戴好高温手套，将坩埚底板下的四条隔热条放在指定位置；b，叉车平稳进入。

正常多晶锭产品主要性能参数：1，一级品：P型，电阻率0.7-2Ωcm，少子寿命＞2us；1，二级品：P型，电阻率2-4Ωcm，少子寿命＞1us；铸锭炉安全操作规程(1)硅锭出炉后，局部温度过高可能导致自动爆炸飞溅碎片伤及人身，所以必须远离刚出炉的硅锭。

多晶硅铸锭炉操作与生产流程多晶硅铸锭是制备太阳能电池元件的重要材料之一、多晶硅铸锭炉的操作与生产流程包括原料准备、炉料制备、炉料充填、炉体封闭、炉体预热、炉体烧结、炉体冷却、铸锭取出等多个环节。

下面将逐一介绍这些环节的具体过程。

首先是原料准备。

多晶硅铸锭的主要原材料是硅石（SiO2）和木炭（C）。

硅石作为含硅的原料，在反应过程中能与木炭发生反应生成多晶硅。

为了保证炉料中硅石和木炭的质量均匀性和纯度，需要进行粉碎、筛分和干燥等处理。

接着是炉料制备。

将经过处理的硅石和木炭按一定比例混合，形成炉料。

炉料的混合比例对最终多晶硅铸锭的质量有很大影响，需要经过工艺参数的优化。

炉料充填是将炉料填充进铸锭炉中的过程。

首先，在铸锭炉的底部放置一层中性炉底材料，然后将炉料均匀地放置在中性炉底材料上，并用振动装置进行压实，以确保炉料充填的均匀性和致密性。

炉体封闭是指将铸锭炉密封起来，以防止炉内温度损失和杂质的进入。

封闭可以通过炉盖或壳体的安装等方式进行。

炉体预热是在充填好炉料并封闭炉体后，将铸锭炉进行加热。

预热的目的是将炉料中的水分和其他杂质蒸发和氧化，为炉体烧结做准备。

炉体烧结是将铸锭炉内的炉料进行高温加热，使硅石和木炭发生化学反应生成多晶硅。

炉体烧结的过程中需要控制炉内的气氛，以保证反应能够正常进行，并通过周期性的气氛调整来降低氧气、水分和其他杂质的含量。

炉体冷却是将烧结好的多晶硅铸锭炉进行冷却。

冷却过程需要控制冷却速度，以避免产生过多的晶界缺陷。

冷却的同时，还需要进行炉体内部的清理，以去除可能存在的杂质。

最后是铸锭取出。

在冷却完成后，将多晶硅铸锭从炉体中取出。

取出后，需要对铸锭进行切割和抛光等处理，得到适合太阳能电池元件制备的晶体硅片。

以上就是多晶硅铸锭炉的操作与生产流程的具体介绍。

通过上述环节的有序进行，能够得到质量稳定、纯度高的多晶硅铸锭，为后续的太阳能电池元件制备提供可靠的材料基础。

1 工业硅的制备电子工业超纯晶体硅的原料一一工业硅是在电弧炉中还原硅石(Si02含量大于99%)生产的。

使用的还原剂为石油焦和木炭等，作用有三:①导电;②作为具有活性的碳完成还原反应;③造成一个结实、多孔性的炉床，使化学反应迅速完成。

生产原理是碳还原氧化硅的反应:Si02+ 2C =Si+2CO这是硅熔炼主反应的表达式，也是一般计算和控制正常熔炼依据的基础。

生产的工艺过程都可大体分为原料准备、配料、熔炼，出炉铸锭和产品破碎包装等几个部分。

2 超纯硅(多晶硅)的制备多晶硅呈灰色或黑色且有金属光泽的等轴八面晶体，是制造单晶硅的原料。

硅属半金属，是极为重要的元素半导体材料。

多晶硅的生产，除个别工厂采用硅烷热分解法外，一般都采用氢还原三氯氢硅方法。

2.1 三氯氢硅法包括三氯氢硅的合成和三氯氢硅的还原两部分。

(1) 三氯氢硅的合成用金属硅和氯化氢为原料，在流态化氯化炉中进行反应，三氯氢硅的沸点为31.5℃，与绝大多数杂质的氯化物挥发温度相差较大，所以可用精馏法提纯。

三氯氢硅极易挥发和水解，产生强腐蚀的盐酸气，因此精馏设备必须防止水汽和空气混人。

小规模生产超纯硅可采用聚四氟乙烯，特制玻璃或石英作为精馏设备材料，大规模生产则须采用耐腐蚀的金属或合金材料以免铜、铁、镍等重金属杂质混入而影响超纯硅的质量。

(2) 三氯氢硅的还原在超低碳的不锈钢或镍基合金制成的水冷炉壁还原炉内，用氢将三氯氢硅还原成硅。

炉内有不透明石英钟罩(有透明石英内层和观察孔)和用细硅芯或担管制成的发热体。

细硅芯是用超纯硅在特制的硅芯炉内制成。

在进行化学气相沉积之前，由于硅在常温时电阻率很高，因此硅芯须在石英罩外用电阻加热至300℃或用几千伏的高压电启动。

经过提纯的氢气(含水蒸汽量很少，露点在一70℃以下)在挥发器中将三氯氢硅自炉底带人炉内，于1100-1150℃进行还原反应，使硅沉积在发热体上，其主要化学反应如下:4SiHC13 -----→Si+3SiCl4+2H2SiHC13+ H2-----→ Si +3HC1SiCl4+ 2H2 -----→Si+4HCl同时也发生一些副反应，如:SiHC13+ HC1----→ SiCl4+H2SiHC13一---→SiCl2+HClSiC12的生成影响硅在高温时的实收率，同时硅沉积难于达到平衡，使硅的沉积速度较慢。

多晶硅铸锭炉操作与生产流程
1.原料准备
2.模具装配
将石墨模具装配成铸锭上模具和下模具，并在模具之间安装密封圈，
确保在铸造过程中不会泄漏。

3.预热
将装配好的石墨模具放入铸锭炉中，通过加热炉子使模具达到一定的
温度，以便后续的铸造工作。

4.硅块装配
将切割好的硅块放入模具中，并用石墨杆轻轻压实，确保硅块与模具
接触良好，避免产生气孔和缺陷。

5.密封
将装配好的铸锭放入铸锭炉中，并将炉门密封，以防止炉内温度损失。

6.加热
将密封好的铸锭炉放入高温炉中，并通过控制炉内的温度和时间，使
硅块逐渐熔化，并达到所需的熔化温度。

在这个过程中，需要控制炉内的
气氛，确保炉内没有氧气和杂质进入。

7.冷却
在达到所需的熔化温度后，将炉子从高温炉中取出，并迅速放入冷却池中或者冷水中进行快速冷却。

这个过程被称为凝固，通过快速冷却，硅块中的硅液会迅速变成固态，形成铸锭的基本形状。

8.脱模
在冷却完全后，将冷却好的铸锭从模具中取出，并进行去杂、抛光等处理，最终得到一块完整的多晶硅铸锭。

9.收尾处理
将脱模后的多晶硅铸锭进行检查，对其进行尺寸、重量、外观以及其他性能指标的检测，以确定其质量和可用性。

10.包装和贮存
对于符合质量要求的多晶硅铸锭，进行包装，并将其分别存放在特定的贮存场所中，以便后续的晶体生长和硅片切割工艺。

以上是多晶硅铸锭炉的操作与生产流程的基本步骤，每个步骤都需要严格控制和操作，以确保多晶硅铸锭的质量和性能。

在实际生产中，还需要根据具体的设备型号、工艺要求和质量标准进行相应的调整和改进。

YE DE LI JIE第三章节多晶铸锭1基本介绍从字面上了解，当然是用经改良西门子法生产出的多晶硅料，将其放入到方形坩埚熔融而制得所需的方形铸锭。

这就是所谓的铸锭，一下就是铸锭的图片。

铸锭要用到的坩埚，其图片如下其要用到的设备，其图片如下YE DE LI JIEYE DE LI JIE2多晶铸锭的生产过程如何去描述着多晶铸锭，它是一种柱状晶体，它的生长方向是向上且是垂直向上的，它是通过定向凝固形成，至于如何定向凝固形成，它是通过控制温度而形成的。

在我们现实生活当中，很多公司是采用热交换法来制得多晶铸锭。

还有布尔曼法、浇铸法，等等。

我也不是很清楚。

就比如热交换法也只是知其一二点，将多晶硅料置于坩埚，坩埚底部有一热开关，当融化时，其主要作用是起到隔热作用这个时候，热开关是关闭状态，当装置开始凝固时，热开关打开，主要是增强坩埚底与热源的散热强度，长晶的速度是受散热强度来控制，如水温控制。

由于晶体的生长方向是向上，而热流的方向是向下，为此坩埚侧壁的温度不受影响从而热场温度会逐渐上升，所以说温度的控制成了多晶铸锭的问题。

3多晶铸锭的检验标准从来就没有接触过多晶铸锭的检验，根本就不知道其检验标准，为此也只有靠自己的理解。

按照类似的检验标准，那么它应该是外观就是颜色铸锭的尺寸范围铸锭的平整度铸锭的杂质铸锭的包装我想无非就是这些等等如下是从网上摘抄过来的资料开方：最脏啦！负责开机子的嘛，就是把铸锭好的锭开开，俗称开方。

要做的事粗略的分一下就是粘锭，上机，开机，卸锭，那些都是非常重的东西，会很累。

切片：声音大，也是负责开机子，也很脏但比开方好一些，工艺要求最高的，很多细节要注意，换上百斤重的绕线两个人抬上去。

负责把开方开出的小锭切成片，如果切的片子质量不好直接影响工资。

但是切片的工资还是比开方要高一点。

脱胶清洗：声音大，没开方和切片那么累，就是拖片子去清洗，要自己上片子去机子里（也有上百斤），最不好的就是清洗区域使用工业乳酸，空气会很酸，一般人承受不了。

铸造多晶硅的具体工艺如下.1 装料将装有涂层的INNOCERAM陶瓷坩埚放置在热交换台（冷却板）上，放入适量的硅原料，然后安装加热设备、隔热设备和炉罩，将炉内抽真空，使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。

通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。

2 加热利用石墨加热器给炉体加热，首先使石墨部件（包括加热器、坩埚板、热交换台等）、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发，然后缓慢加温，使INNOCERAM陶瓷坩埚的温度达到1200-1300℃左右，该过程约需要4-5h.3 化料通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。

逐渐增加加热功率，使INNOCERAM陶瓷坩埚内的温度达到1500℃左右，硅原料开始熔化。

熔化过程中一直保持1500℃左右，直至化料结束。

该过程约需要9～11h.4 晶体生长硅原料熔化结束后，降低加热功率，使INNOCERAM陶瓷坩埚的温度降至1420~1440℃硅熔点左右。

然后INNOCERAM陶瓷坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得INNOCERAM 陶瓷坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，并呈柱状向上生长，生长过程中固液界面始终保持与水面平行，直至晶体生长完成，该过程约需要20-22h.5 退火晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加工和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。

所以，晶体生长完成后，晶锭保持在熔点附近2-4小时，使晶锭温度均匀，以减少热应力。

6 冷却晶锭在炉内退火后，关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降晶锭，炉内通入大流量氩气。

使晶体温度逐渐降低至室温附近；同时，炉内气压逐渐上升，直至达到大气压，最后去除晶锭，该过程约需要10h.对于重量为250-300kg的铸造多晶硅而言，一般晶体生长的速度约为0.1-0.2 mm/min,其晶体生长的时间约35-45h。