ATE33153-说明书-中文

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6.5
7.0
V
ISI
-1.4 -10 µA
电流源(Vpin8=0V, Vpin4=0V)
放电电流(Vpin8=15V, Vpin4=5.0V)
器件整体 电源电流 待机(Vpin4=VCC, 输出开路)
工作(CL=1.0nF, f=20kHz)
Ichg Idschg
-200 -270 -300 µA
1.0 2.5
管脚图
丹东奥拓电子有限公司
共4页 第1页
201505
ATE/QB 01.03-2015
版本号 A/201505
ATE33153
最大额定值
参数 电源电压 VCC 至 VEE
开尔文地至 VEE 逻辑输入
电流检测Байду номын сангаас入
消隐/去饱和输入 栅极驱动输入 拉电流
灌电流 二极管箝位电流 故障输出 拉电流 灌电流 功耗和热特性 SOP8 封装 最大功耗@Ta=50°C
mA
7.2 14
ICC
mA 7.9 20
丹东奥拓电子有限公司
共4页 第3页
201505
封装信息
DIP8 单位:mm
ATE/QB 01.03-2015
版本号 A/201505
ATE33153
SOP8 单位:mm
丹东奥拓电子有限公司
共4页 第4页
201505
TJ
TA
Tstg
0.56 180 1.0 100 150
-40~+105
-65~+150
W °C/W
W °C/W



电参数 (VCC=15V,VEE=0V,开尔文地接至 VEE,TA=25℃,除非另外说明)
参数
缩写 最小值 典型值 最大值 单位
逻辑输入
输入门限电压 高电平状态(逻辑 1) 低电平状态(逻辑 0)
特点
系列信息
● 大电流输出端口:1A 拉电流/2A 灌电流 ● 对常规型和感应型 IGBT 都有保护电路 ● 可预设故障消隐时间 ● 过流和短路保护 ● 为 IGBT 优化的欠压锁定 ● 负栅驱动能力 ● 是驱动大功率 MOSFET 和双极型晶体管的低成本解决方案
内部方框图
封装 SOP8 DIP8
说明 管装,编带,无铅
V
VCC dis 10.4 11 11.7
V
过流门限电压(Vpin8>7.0V) 短路门限电压(Vpin8>7.0V) 故障销隐/去饱和门限(Vpin1>100mV) 电流检测输入电流(VSI=0V) 故障销隐/去饱和输入
VSOC
50
65 80 mV
VSSC
100 130 160 mV
Vth(FLT) 6.0
高电平状态(ISource =20mA) 开关特性
传输延迟(50%输入至 50%输出,CL=1.0nF) 逻辑输入至驱动输出上升 逻辑输入至驱动输出下降
驱动输出上升时间(10%至90%,CL=1.0nF)
驱动输出下降时间(90%至10%,CL=1.0nF) 传输延迟 电流检测输入至驱动输出
故障消隐/去饱和输入至驱动输出
热阻,结至环境 DIP8 封装 最大功耗@Ta=50°C
热阻,结至环境 工作结温
工作环境温度范围
储存温度范围
缩写
数值
单位
VCC-VEE
20
V
KGND-VEE
20
VIN
VEE-0.3 至 VCC V
VS
-0.3 至 VCC
V
VBD
-0.3 至 VCC
V
1.0
IO
2.0
A
1.0
25
IFO
mA 10
PD RθJA PD RθJA
RPD
100 200 kΩ
丹东奥拓电子有限公司
共4页 第2页
201505
ATE/QB 01.03-2015
版本号 A/201505
ATE33153
电参数续 (VCC=15V,VEE=0V,开尔文地接至 VEE 地,TA=25℃,除非另外说明)
参数
缩写 最小值 典型值 最大值 单位
故障输出 输出电压 低电平状态(ISink =5.0A)
UVLO
VFL
0.2 1.0
VFH 12.0 13.3
V
TPLH(in/out) TPHL(in/out)
tr
tf tp(OC) tp(FLT)
80 300
ns
120 300
17 55
ns
17 55
ns
0.3 1.0 µs
0.3 1.0
起动电压 禁用电压 比较器
VCC start 11.3 12 12.6
输入电流 高电平状态(VIH =3.0V) 低电平状态(VIL =1.2V)
驱动输出
输出电压 低电平状态(ISink =1.0A) 高电平状态(ISource =500mA)
输出下拉电阻
VIH
2.7 3.2 V
VIL
1.2 2.3
IIH
130 500 µA
IIL
50 100
VOL
2.0 2.5 V
VOH 12.0 13.9
版本号 A/201505
ATE/QB 01.03-2015
ATE33153
单 IGBT 栅极驱动器
简介
ATE33153(替代 MC33153)是专为 IGBT 驱动器设计的,用于包括交流感应电机控制、无刷 直流电机控制和不间断电源(UPS)的大功率应用。虽然为驱动分立式和模块式 IGBT 而设计,该器 件也可以为驱动功率 MOSFET 和双极型晶体管提供低成本的解决方案。器件的保护功能包括去饱和 或过流检测选择和欠压检测。该器件提供双列直插和表面贴装封装。