电磁炉特征电路简介1、电磁炉开机保护电路电磁炉开机保护电路的作用是保证电磁炉在待机状态下IGBT不工作，防止电磁炉一开机（未按加热键）就加热的现象出现。
该电路主要由主控IC（局部）、晶体管Q1 等构成。
其具体工作原理如下：1）电磁炉开机瞬间，主控IC自动送出一个高电平控制信号到晶体管Q1的基极，晶体管Q1导通，拉低IGBT栅极电位，1GBT不能工作，从而保证了电磁炉在待机状态下不能加热的工作状态。
2）按下加热键后，主控IC又输出一个低电平信号给晶体管Q1的基极，使晶体管截止，IGBT栅极电位受控于功率控制模块，并按照同步信号及PWM调节信号进行工作，如下图所示。
2、电磁炉整流滤波电路电磁炉整流滤波电路是进行AC-DC变换的集成电路，核心元器件是整流桥堆。
其具体工作原理如下：1）它将输入的220V交流电变换成脉动直流电。
2）再经过L形滤波电路（由电感线圈L和电容C2）进行滤波，输出平滑的直流电。
3）由于电感对脉动电流产生反电动势的作用，对交流阻值很大，而对直流阻值很小。
在整流电路中串入L形滤波电路，可以使电路中的交流成分大部分降落在电感上，而直流成分则从电感线圈流到负载上，从而起到了进一步滤波的作用。
相关电路如下图所示。
3、电磁炉浪涌保护电路电磁炉浪涌保护电路的作用是对浪涌冲击进行感知和保护，该电路主要由电阻、电容、稳压二极管和电压比较器构成。
其具体工作原理如下：1）整流电路的电压经分压电阻R1、R2降压、电容C1滤波后送到电压比较器IC1。
2）通过电压比较器IC1与稳压管ZD1提供的稳定参考电压进行比较，当浪涌电压大于参考电压时，比较器就输岀一个低电平信号，该低电平信号使钳位二极管导通VD1、VD2,从而使IGBT停止工作，保护IGBT不被烧坏。
4、电磁炉复位电路电磁炉复位电路的作用是使电磁炉在开始工作时进行程序复位，大多数电磁炉采用低电平复位。
该电路主要由晶体管、电阻、电容、稳压管等构成。
其复位工作原理如下：1）开机瞬间，由于晶体管Q1还没有导通，集电极送到主控IC的RESET引脚的电平为低电平。
电磁炉各功能块电路原理为帮助大家有效掌握电磁炉维修相关技术，本文特地带来九阳三款电磁炉的电路图，并做出详细解释。
九阳电磁炉电路图(一) 九阳JYC-21CS21型电磁炉电源电路如下图所示，由以下几个部分组成：1.IGBT管供电从下图中可以看到，AC220V电源通过接线螺钉Jl、J2，保险丝FUSEl/10A(大电流保护)，压敏电阻CTRl/10D561(过压保护)，再经过高频滤波电路(共模变压器L2、C1、C2)后分为两路，其中，主电路通过串联互感器T1(感应电压用于监测主电路电流)，桥堆DB1整流，L1、C3(LC)滤波得到，约300V的直流电压加至电磁线圈和IGBT管上，C4和线圈构成谐振回路。
2.电网监测从共模变压器L2输出的AC220V电压经过D200、D201整流后，一路通过R200、R201、R202、C200组成的分压、滤波电路取得电网监测电压送给CPU，用于监测电网电压。
如果电网电压不正常，CPU将及时切断振荡电路。
需要说明的是，部分偏远地区或超负荷工业园区会因电网电压极不稳定而导致电磁炉不能正常工作。
此时，可将R202做成可调电阻，通过调整分压比来解决此类问题。
3.开关电源部分D200、D201整流后的另一路经过D500、R503、C500降压滤波后提供给本机开关电源，这一部分电路是本文要重点讨论的。
在实际使用中，由于开关电源处在高电压状态下，造成此部分电路损坏元件较多，故障率较高。
下面介绍此部分电路的工作原理。
D500、C500整流滤波后输出约300V的直流电压，加到开关变压器T500初级，通过开关模块IC500(ACT30B)控制开关管Q502(13002)，起振后在开关变压器初级产生20kHz左右的高频高压脉冲，耦合到开关变压器次级，次级输出较高的脉冲电压，通过快速’恢复二极管D503整流、C504电容滤波后，得到直流电压VCC(+18V)，给三路电路供电：一路送IGBT管驱动电路(Q300、Q301)。
电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析(一)一.电磁加热原理电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。
在电磁灶内部，由整流电路将 50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为 20-40KHz 的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿 ( 导磁又导电材料 ) 底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。
二、电磁炉电路工作原理分析常用元器件简介LM339 集成电路LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器 , 当电压比较器输入端电压正向时 (+ 输入端电压高于 - 入输端电压 ), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止 , 此时输出端相当于开路 ; 当电压比较器输入端电压反向时 (- 输入端电压高于 + 输入端电压 ), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管导通 , 将比较器外部接入输出端的电压拉低 , 此时输出端为 0V 。
IGBT绝缘双栅极晶体管 (Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。
在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
