电路与模拟电子技术基础习题及实验指导(第2版)1.2.3章填空题及选择题答案

第二章电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。

解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：(b)(a)(c)(d)6Ω7Ω3Ωa aabbbddcb(a)(d)(c)(b)6Ωb4Ω（a ）图 R ab =8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω（b ）图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω（c ）图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω（d ）图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。

解：为方便求解，将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。

（a ）R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω（b ） R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。

baba(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图b abΩ(b)解：（a ）两电源相串联，先将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，最后再变换成电流源；等效电路为（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去（短接）。

两电源相并联，先将电压源变换成电流源，再将两并联的电流源变换成一个电流源，等效电路如下：2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。

解：（a ）与10V 电压源并联的8Ω电阻除去（断开），将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，再变换成电流源，最后变换成电压源，等效电路如下：（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与2A 恒流源串联的4Ω亦可(a)(b)题2.4图aa bababababbbb b除去（短接），等效电路如下：2.5 用电源等效变换的方法，求题2.5图中的电流I 。

uo1
R2 R1
ui1
R2 R3
UM
1
R2 R1 // R3
E1
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图2-4 例2-3的分解电路
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
由图2-4(b)，根据叠加原理，得
uo
R7
// 1
jC
R3
Ua
R7
// 1
jC
R4
uo1
1
R7
//
1
jC
R3 // R4
RL=
Ro 10
。
第一章 绪 论
图P1-1
第一章 绪 论
解
(1)
Ui
Ri Rs
Ri
Us
10Rs Rs 10Rs
Us
10 11
Us
Uo
AuoUi
Ro
RL RL
10
10 11
Us
10Ro Ro 10Ro
10
10 11
10 11
Us
因此 (2)
Aus
Uo Us
1010 10 11 11
8.264
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图2-1 例2-1的电路图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
解 (1) (a)图引入了负反馈，故
Auf
uo ui
R2 R1
(2) (b)图引入了负反馈。因为uo与ui反相，uo经A2、R3、
R2构成的反相比例放大器反相放大，再经R4和R5分压后加到
A1的同相输入端，U+与U－同相相减，所以是负反馈。可根
解 因为uo(t)=－uC(t)，所以uo(0)=uC(0)。该电路为理想 反相积分器，输入输出关系式为

《模拟电子技术基础》典型习题第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图P1.6解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。

1.7 电路如图P1.7所示，试问β大于多少时晶体管饱和？图P 1.7解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb CBE CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥RRβ时，管子饱和。

1.8 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图P1.8解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。

（e）可能第二章基本放大电路2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

图P2.1解：（a ）将－V CC 改为＋V CC 。

（b ）在＋V CC 与基极之间加R b 。

（c ）将V BB 反接，且在输入端串联一个电阻。

（d ）在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c 。

2.3电路如图P2.3所示，晶体管的β＝80，'bb r=100Ω。

分别计算R L ＝∞和R L ＝3kΩ时的Q 点、u A、R i和R o。

图P2.3解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQb BEQ CC BQ I r r I I RU R U V I ββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebe be b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥βR L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为47115V3.2)(bes bebe'LL c CQ Lc LCEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusu A r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.4 电路如图P2.4所示，晶体管的β＝100，'bb r=100Ω。

1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。

4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。

5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。

1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。

2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。

3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。

4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。

5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。

7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。

1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。

2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。

3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。