第二章 半导体三极管练习

第一章 半导体二极管

I类题

一、简答题

1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？

答杂质半导体有P型半导体和N半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？

答；P型半导体和N型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN结。PN结最基本的特性是单向导电性。

3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？

答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题

1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？

答：b不亮

2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y的电位UY及各元件（R，VDA，VDB）中通过的电流；（1）UA=UB=0V；（2）UA=+3V，UB=0V；

答：（1）VY=0V

mA33.9KΩ12VRI mA5.1232RDBDAIII （2）DB导通，DA截止 VY=0V

mA39.312RI V0DAI mA3DBI

3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求UAO=？

答：a）图中，二极管导通，UAO=-6V；b）图，二极管截止，UAO=-12V；c）图V1导通，V2截止，UAO=0V。

II类题

一、简答题

1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？

答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？

答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3． 为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。

二极管三极管练习题

一、选择题

1. 二极管的主要功能是：

A. 放大信号

B. 开关电路

C. 电压稳定

D. 电流放大

2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：

A. 电阻增大

B. 电阻减小

C. 电流增大

D. 电流减小

A. 半导体器件

B. 电子元件

C. 电阻元件

D. 电容元件

4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：

A. 输入端、输出端、控制端

B. 控制端、输出端、输入端

C. 输入端、控制端、输出端

D. 输出端、输入端、控制端

5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：

A. 集电极电流等于基极电流 B. 集电极电流小于基极电流

C. 集电极电流大于基极电流

D. 集电极电流与基极电流无关

二、填空题

1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题

1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。（ ）

2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。（ ）

3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。（ ）

4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。（ ）

四、简答题

1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题

1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。 3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

第二章 半导体二极管及其基本电路

2-1．填空

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入 ；P型半导体是在本征半导体中掺入 。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会

。

（3）PN结的结电容包括

和

。

（4）晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大电路中，晶体管通常工作在 区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该

。（正偏、反偏）

答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。

2-2．判断下列说法正确与否。

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ）

（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）

（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（ ）

（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ）

（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ ）

（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）

答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。

（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

第 1 页 共 4 页 晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习（2015.6）

一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ）

1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压；（ ）

2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位；（ ）

3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用；（ ）

4、三极管的穿透电流ICEO的大小不随温度而变化；（ ）

5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（ ）

6、对于NPN型三极管，当VBE﹥0时，VBE﹥VCE，则该管的工作状态是饱和状态；（ ）

7、已知某三极管的发射极电流IE＝1.36mA，集电极电流IC＝1.33mA，则基极电流IB＝30μA；（ ）

8、某三极管的IB＝10μA时，IC＝0.44mA；当IB＝20μA时，IC＝0.89mA，则它的电流放大系数β＝45；

9、三极管无论工作在何种工作状态，电流IE＝IB＋IC＝（1＋β）IB总是成立；（ ）

10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（ ）

11、三极管是一种电流控制器件；（ ）

12、同一只三极管的β和数值上很接近，在应用时可相互代替；（ ）

13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（ ）

14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（ ）

15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响；（ ）

16、在单管放大电路中，若VG不变，只要改变集电极电阻RC的值就可改变集电极电流IC的值；（ ）

17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ）