(完整版)半导体三极管及其基本电路试题及答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

第二章练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。

3.三极管是___________控制器件。

4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。

8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

二、选择题：1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。

A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。

A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。

第二章半导体三极管及其电路分析题 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。

你以为应选用哪个管子较稳固？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。

题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。

试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。

题 共射电路如图题所示。

现有以下各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。

图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；(3)工作在放大状态(工作在放大区)；(4)工作在放大状态(工作在放大区)。

题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。

（1） 是锗管仍是硅管？（2） 是NPN 型仍是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断仍是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。

三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。

A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。

A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。

A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。

答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。

答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。

（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。

（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。

答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。

当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。

9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。

五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。

答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。

六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。

已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。

解得X = 100。

因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

三极管试题及答案一、填空题1. 三极管是一种______控制型半导体器件，它由两个PN结组成，分为______极、______极和______极。

答案：电流；发射；基；集2. 三极管的放大作用是通过改变______极电流的大小来控制______极电流的大小。

答案：基；集3. 三极管的三种工作状态分别是______、______和______。

答案：放大区；饱和区；截止区4. 三极管的静态工作点设置在放大区的目的是为了保证三极管的______和______。

答案：稳定性；线性5. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到1倍时的频率，它反映了三极管的______特性。

答案：高频二、选择题1. 三极管的电流放大系数β的物理意义是（）。

A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 基极电流与集电极电流之比2. 在三极管放大电路中，若要使三极管工作在放大区，应满足的条件是（）。

A. U_B > U_BEB. U_B < U_BEC. U_B = U_BED. U_B ≈ U_BE答案：A3. 三极管的饱和区是指（）。

A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ I_B4. 三极管的截止区是指（）。

A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ 0答案：D5. 三极管的截止频率是指（）。

A. 三极管的放大倍数下降到1倍时的频率B. 三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率C. 三极管的放大倍数下降到0.5倍时的频率D. 三极管的放大倍数下降到0.1倍时的频率三、判断题1. 三极管的放大作用是通过改变集电极电流的大小来控制基极电流的大小。

（ ×）2. 三极管的三种工作状态分别是放大区、饱和区和截止区。

（√ ）3. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率。

2020秋季电子技术基础第二次月考半导体三极管基础知识测试题（满分100分，时间：1.5小时）一、填空题（每空0.5分，共32分）1、三极管有两个PN结，即结和结；有三个电极，即极、极和极,分别用符号、、或、、表示。

2、半导体三极管有型和型,前者的图形符号是，后者的图形符号是。

3、某半导体三极管的（集电极与发射极之间的电压）UCE 不变，基极电流IB=30μA时，Ic=1.2 mA。

则发射极电流IE = mA.如果基极电流IB增大到50μA时, IC增加到2 mA,则发射极电流IE= mA,三极管的电流放大系数β= 。

4、三极管基极电流IB 的微小变化，将会引起集电极电流IC的较大变化,这说明三极管具有作用。

5、当UCE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性。

6、硅三极管发射结的死区电压约为 V。

锗三极管的死区电压约为 V。

半导体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为 V，锗管的约为 V。

7、三极管工作在放大状态时,其结必反偏，结必正偏。

集电极电流与基极电流的关系是，其中最大，最小。

由于IB的数值远远小于Ic，如忽略IB ，则Ic IE。

8、当三极管的发射结，集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或，集电结时，工作在截止区。

9、半导体三极管放大的实质是。

10、三极管工作在饱和区时，IC决定于，而与无关，这时三极管（有,无)电流放大作用。

11、三极管的输出特性分为、放大、三个区。

工作在放大区时必须使三极管的结保持正向偏置，结保持反向偏置。

12、当温度升高时，三极管的β将，反向饱和电流ICEO，正向结压降UBE ，,三极管的输入特性曲线将。

13、半导体三极管的ICEO，是指极开路的情况下，电流。

14、三极管电流放大系数太小,电流放大作用；电流放大系数太大，会使三极管的性能。

15、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

16、三极管的极限参数分别是、和、。

半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，（）。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由（）构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在（）。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是（）器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是（）器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是（）。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（）。

A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。

《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名：学号：一、填空题：1、放大电路设置静态工作点的目的是。

2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。

3、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压u i相位。

4、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im，并且要大于发射结的。

5、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路交流通路时，把和看成短路。

6、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。

7、小功率三极管的输入电阻r be= 。

8、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真。

基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。

9、若放大电路的电源电压U CC增大，其他条件不变，这放大器的静态工作点将移。

10、共射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，R C=3Ω，U CC=12V，β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ，I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。

11、在分压偏置电路中，已知R B1=20kΩ，R B2=10kΩ，R C=2kΩ，R E=2kΩ，U CC=12V,β=50,R L=2kΩ，设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。

12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。

13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un，则总的电压放大倍数为A u= 。

二、选择题：1、三极管构成放大器时，根据公共端不同，可有（）种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指（）A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指（）A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号（）三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（）A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是（）A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指（）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图中（）A B C12、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（）A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图所示，则引起波形失真的原因是（）A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻的自动调节，会使（）A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为（）A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（）A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2= —50，A u3=1，则总的电压放大倍数是（）A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题：1、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真（）2、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升（）3、放大器具有能量放大作用（）4、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器（）5、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量（）6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡（）7、放电电路静态工作点过高时，在U CC和R C不变情况下，可增加基极电阻R B（）8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动（）9、放大电路的静态工作点一经设定后，不会守外界因素的影响（）10、实际放电电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大（）11、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响（）12、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点相互牵制（）13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C （）四、综合题：1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R C=3KΩ,R L=3kΩ，晶体三极管的β=50，求：（1）放大单路的静态工作点（2）放电电路的输入电阻、输出电阻（3）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示，已知U CC=12V，R B=200kΩ，R C=4kΩ，RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线，并确定静态工作点（2）当RC由4kΩ增加到6kΩ，工作点将移至何处（3）当RB由200kΩ变为100kΩ时，工作点将移至何处（4）当电源电压由12V变为6V时，工作点将移至何处（5）在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中，RB1=60kΩ,RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=16V，β=50。

第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。

2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。

3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。

4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。

5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。

6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。

7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。

8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。

9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。

二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。

A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。

2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。

A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。

A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。

A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。

A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。