《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷

第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。

导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。

单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。

0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。

最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。

导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。

单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）N２、二极管是线性元件。

（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。

（）N４、二极管具有单向导电性。

（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。

（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。

（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。

第一章 半导体二极管I 类题一、简答题 1．杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3．导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题 1．b 不亮2．（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I3． a ）图中，二极管导通，U AO =-6V ；b ）图，二极管截止，U AO =-12V ；c ）图V1导通，V2截止，U AO =0V 。

II 类题一、简答题1．硅管死区电压为0.5V 左右而锗管为0.2V 左右；硅管的正向管压降为0.7V 左右而锗管为0.3V 左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．因二极管的非线性。

加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。

二、计算题1．2．表b)3．串联二极管，目的是防止电源极性接反；并联二极管目的是防止电流过大而损坏。

第二章.半导体三极管及其放大电路I 类题一、简答1．电流放大。

放大的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。

2．截止区、饱和区、放大区。

截止区：IB=0，IC=0，UCE=UCC ，类似开关断开。

饱和区：IC 很大，UCE 很小，类似开关闭合。

放大区：IC 受IB 的控制，IC/IB=β，为线性关系。

3．（1）NPN 型硅管1-B ，2-C ，3-E ；（2）PNP 型硅管1-E ，2-C ，3-B ；（3）PNP 型锗管1-C ，2-B ，3-E ；（4）NPN 型锗管1-B ，2-E ，3-C 。

第一章整流滤波电路一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。

2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。

3、利用二极管的，可将交流电变成。

4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。

5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。

6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。

7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。

8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。

9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。

11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。

12、整流是把转变为。

滤波是将转变为。

电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。

13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。

14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。

15、常用的整流电路有和。

16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。

17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。

18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。

二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。

A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。

１电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。

5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA 和3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V 、-8V 、-2.2V ，则该管为_________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V 、6V 、-2.2V ，则该管_________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是_________ 放大电路。

第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。

2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。

3.三极管各电极电流的分配关系是。

4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。

当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。

6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。

7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。

8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。

10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。

11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。

12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。

13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。

14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。

共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。

15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。

16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。

17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。

18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。

第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。

2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。

3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。

6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。

7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。

10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。

11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。

14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。

15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。

16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。

17、(2-2，低)在多级放大器里。

前级是后级的，后级是前级的。

第二章半导体三极管及其放大电路一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（）（8）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2R＝100k 三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的β＝100，'bΩ。

填空：要求先填文字表达式后填得数。

U ＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，（1）当iR和R W之若要基极电流I B Q＝20μA，则'b和R b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。

U=5mV时，（2）若测得输入电压有效值iU＝0.6V，则电压放大倍数输出电压有效值'oA ＝≈。

图T2.3uU＝若负载电阻R L值与R C相等，则带上负载后输出电压有效值o＝V。

四、已知图T2.3所示电路中V C C＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U C E Q＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

（1）该电路的最大不失真输出电压有效值U o m≈；A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小R W，则输出电压的幅（2）当i值将；A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将R w调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。