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![电子技术基础题库(I_II类题)[1]](https://img.taocdn.com/s1/m/0d71ad21192e45361066f55f.png)
第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
电子技术网络授课半导体器件2内容及习题6.2 三极管学习要求：理解掌握三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数，会用万用表判断三极管的管型和管脚极性6.2.1 三极管的基本构造和符号6.2.2 三极管的工作状态1、三极管的工作电压和基本连接方式（观看视频）共射极接法E1为基极电源，又称偏置电源 Rb为基极电阻 VT三极管 Rc集电极电阻 E2集电极电源另外还有共基极和共集电极接法，如下图所示。
最常用的是共发射极接法。
三极管的基本作用是放大电信号。
三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
2、三极管的电流放大作用（观看视频）1）三极管的电流放大作用——基极电流 IB 微小的变化，引起集电极电流 IC 较大变化。
2）交流电流放大系数β——表示三极管放大交流电流的能力ββ=ΔΔII CCΔΔII BB3）直流电流分配关系II EE=II CC+II BB（观看视频）4）直流电流放大系数ββ̄ —— 表示三极管放大直流电流的能力ββ̄=II CC II BB5）通常ββ=ββ̄，II CC=ββ̄II BB，所以可表示为II CC=ββII BB3、三极管的伏安特性（视频：三极管的输出特性）1)伏安特性的概念：2）输入特性曲线是指三极管集电极-发射极电压UU BBEE为某一定值时，输入回路中基极电流II BB和发射结偏压UU BBEE之间的关系曲线。
由于发射结正向偏置，所以等效成一个二极管，因此三极管的输入特性就是二极管的伏安特性。
当UU BBEE很小时，II BB =0，三极管截止，只有UU BBEE大于死区电压（硅管0.5V/锗管0.2V）时，三极管导通。
导通后UU BBEE几乎不变，硅管约0.7V，锗管约0.3V2)输出特性曲线是指三极管基极电流II BB为某一定值时，输出端集电极电流II CC与集电极-发射极间的电压UU CCEE的关系曲线，不同的II BB会得到不同的曲线，故三极管的输出特性曲线是一个曲线族（1）截止区：在II BB＝0这条曲线以下的区域。
第二章半导体三极管及其电路分析题 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。
你以为应选用哪个管子较稳固？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。
题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题 共射电路如图题所示。
现有以下各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；(3)工作在放大状态(工作在放大区)；(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1） 是锗管仍是硅管？（2） 是NPN 型仍是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断仍是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
18、(2-2，低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。
常用的耦合方式有：，，。
19、(2-2，中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。
目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、(2-2，中)在多级放大电路的耦合方式中，只能放大交流信号，不能放大直流信号的是放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电路，放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、(2-3，低)串联负反馈电路能够输入阻抗，电流负反馈能够使输出阻抗。
22、(2-4，低)放大电路中引入电压并联负反馈，可______输入电阻，_______输出电阻。
23、(2-4，中)在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入_______反馈；为了提高输入阻抗，宜引入_________反馈。
24、(2-4，难)正弦波振荡器的振幅起振条件是、相位起振条件是。
25、(2-4，难) 振荡器用来产生低频信号，而振荡器一般用来产生高频信号。
26、(2-4，低)要使电路产生稳定的振荡，必须满足和两个条件。
27、(2-4，低)正弦波振荡电路一般是由和组成，此外电路还应包含有选频网络和稳幅环节。
28、(2-5，低)常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有________，_________，__________几种类型。
29、(2-5，难)功率放大器的性能指标主要有：，和；低频功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型，最常用的是类功率放大器。
30、(2-5，中)甲类、乙类和甲乙类放大电路中，____________电路导通角最大；__________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
1、发射极，集电极，基，集电2、共基电路，共射电路，共集电路。
3、输入特性，输出特性4、I B，V BE5、合适的静态工作点，幅度适中6、截止，减小，增大7、输出电压，输入电压8、基极，集电极9、电压，电流10、发射，集电11、饱和，NPN 12、b，e，c ，NPN，硅13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B 14、增加，上移15、增大，减小16、电容，电源17、信号源，负载18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。
19、第一级，输入级，差动放大电路20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合22、提高（增加），增加22、降低，降低23、直流，负，串联24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）25、RC，LC 26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类，乙类，甲乙类29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类二、选择题1、(2-1，中)下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、(2-1，中)工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10B、50C、80D、1003、(2-1，低)NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、(2-1，难)三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、(2-1，低)当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、(2-1，低)为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、(2-1，中)检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量A、I BQB、U BEC、I CQD、U CEQ8、(2-1，中)对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定9、(2-1，低)某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V，U B=3V，U C=0V，则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管10、(2-1，难)电路如图所示，该管工作在。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定11、(2-1，中)测得三极管I B=30μA时，I C = 2.4mA ；I B=40μA时，I C = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
A、80B、60C、75D、10012、(2-1，中)当温度升高时，半导体三极管的β、穿透电流、U BE的变化为A、大，大，基本不变B、小，小，基本不变C、大，小，大D、小，大，大13、(2-1，低)三极管的I CEO大，说明该三极管的。
A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差14、(2-1，低)用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。
A、1为e 2为b 3为cB、1为e 3为b 2为cC、2为e 1为b 3为cD、3为e 1为b 2为c15、(2-1，低)晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
A、i CB、u CEC、i BD、i E16、(2-1，低)某晶体管的发射极电流等于1 mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于A、0.98 mAB、1.02 mAC、0.8 mAD、1.2 Ma17、(2-1，中)下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法18、(2-1，中)下图所示为三极管的输出特性。
该管在U CE=6V，I C=3 mA处电流放大倍数β为。
A、60B、80C、100D、10U CE/V19、(2-1，低)放大电路的三种组态。
A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用20、(2-1，中)三极管参数为P CM=800 mW，I CM=100 mA，U BR(CEO)=30 V，在下列几种情况中，属于正常工作。
A、U CE =15 V，I C =150 mAB、U CE =20 V，I C =80 mAC、U CE =35 V，I C =100 mAD、U CE =10 V，I C =50 mA21、(2-1，低)晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是22、(2-1，中)三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是。
A、V B = 0.7 V，V E = 0 V，V C = 0.3 VB、V B = - 6.7 V，V E = - 7.4 V，V C = - 4 VC、V B = -3 V，V E = 0 V，V C = 6 VD、V B = 2.7 V，V E = 2 V，V C = 2 V23、(2-1，中)在单管共射固定式偏置放大电路中，为了使工作于截止状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是A、增大RcB、减小RbC、减小RcD、增大Rb24、(2-1，难)晶体管放大电路如图所示。
若要减小该电路的静态基极电流I BQ，应使A、Rb减小B、Rb增大C、Rc减小D、Rc增大25、(2-1，难)如图为某放大电路的输入波形与输出波形的对应关系，则该电路发生的失真和解决办法是A、截止失真，静态工作点下移B、饱和失真，静态工作点下移C、截止失真，静态工作点上移D、饱和失真，静态工作点上移26、(2-1，低)放大电路中，微变等效电路分析法。
A、能分析静态，也能分析动态B、只能分析静态C、只能分析动态D、只能分析动态小信号27、(2-1，低)温度影响了放大电路中的，从而使静态工作点不稳定。
A、电阻B、电容C、三极管D、电源28、(2-1，难)电路如下图所示，其输出波形发生了失真。
A、饱和B、截止C、交越D、线性29、(2-2，低)某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为KV，则总放大倍数为。
A、3KVB、（KV）3C、（KV）3/3D、KV30、(2-2，低)在多级放大电路中，经常采用功率放大电路作为。
A、输入级B、中间级C、输出级D、输入级和输出级31、(2-2，低)一个三级放大器，各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1MΩ，Ri2=100KΩ，Ri3=200KΩ，则此多级放大电路的输入阻抗为。
