芯片的切割技术：
芯片切割的概念，芯片切割的方式，激光切割
芯片切割的概念：晶圆切割（Die saw)，有时也叫“划片”(Dicing)。一个晶圆上做出来的独立的IC有几百个到几千个甚至上万个，切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC通过高速旋转的金刚石刀片切割开来，为后面的工序做准备。芯片的切割是指将晶圆上的多个芯片分离开来，以便在后续的封装中对单个芯片进行粘贴，键合等操作。
左图为芯片切割前，有图为芯片切割后
另一个重要的概念，绷片：绷片（Wafer Mounter)——是一道辅助工序，主要是给晶圆的背面贴上一层有弹性和一定粘性的蓝膜，并固定在一个直径稍大的金属框架上，以利于后面的加工。
为了避免粘贴不牢靠而造成切割过程中的飞片问题，在绷膜的过程中要加60~80度的温度。这是绷片的示意图
飞片：
在切割的过程中，刀片的转速往往达到几万转/分钟，而切割道的宽度往往只有几十到一百微米，所以对于设备的要求也是很高的。如果前面绷膜的时候晶圆粘贴不牢靠或者有气泡存在，切割开来的硅片（Die）就会从蓝膜上飞出来，称作飞片。
飞片是非常危险的，第一是会造成成品率的下降，第二是飞出来的硅片可能会造成临近硅片的物理损伤。这就是为什么刀片需要这么高的转速的一个原因。
这是切割过程钟可能存在的切割损伤
芯片的切割方式：
一般分为两种：
刀片切割/激光切割
刀片切割：用机械的方式对晶圆进行切割，通过空气静压主轴带动金刚石砂轮划切刀具高速旋转，将晶圆或器件沿切割道方向进行切割或开槽。
激光切割：
激光划片是指把高峰值功率的激光束聚焦在硅片（或陶瓷基片、金刚石薄膜等）表面，使硅材料表面产生高温汽化，从而打出连续的盲孔，形成沟槽。
一般采用峰值功率高、模式好的1064nm或532nm波长激光光源
刀片切割：
刀片切割原理是撞击
当工作物是属于硬、脆的材质，钻石颗粒会以撞击（Fracturing）的方式，将工作物敲碎，再利用刀口将粉末移除。（容易产生绷碎：chipping）左边是切割时钻石颗粒的撞击示意图，这是刀片切割的仿真示意。
激光切割：激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。
由于激光在聚焦上的优点, 聚焦点可小到亚微米数量级, 从而对晶圆的微处理更具优越性, 可以进行小部件的加工; 即使在不高的脉冲能量水平下, 也能得到较高的能量密度, 有效地进行材料加工。左图是激光切割示意图，右图是激光切割机。
通过对传统的刀片切割与激光切割对比可以知道：
1.机械划片是机械力直接作用在晶圆表面，在晶体内部产生应力损伤，容易产生晶圆崩边及晶片破损。激光划片是非机械式的，可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。
2.由于刀片具有一定的厚度，由此刀具的划片线宽较大。金刚石锯片划片能够达到的最小切割线宽度一般在25～35微米之间。激光划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性
半导体行业：芯片设计企业的光罩成本大幅上升 本周重点 面板级扇出型封装技术(FO on substrate)在异质整合趋势下的投资机遇 透过台积电看半导体趋势-成也萧何,败也萧何 核心观点 虽然SoC 将更多的功能整合到单颗芯片,在大幅提升芯片性能的同时降低了功耗,但是缺点就是需要更加先进制程工艺的支撑。随着芯片制程向 7nm,5nm 甚至3nm 发展,芯片设计企业的光罩成本大幅上升。而通过系统级封装技术如面板级扇出型封装可以在提升芯片性能的同时大大降低企业的设计 和制造成本,这种异质整合的封装技术有望成为芯片行业新的发展趋势。为了 满足电子产品轻薄短小的发展趋势,未来对于基板的要求更薄,因此封装材料中 的薄基板技术(coreless,ETS 和embedded)值得关注。另外在高性能性能的封装中会大量采用TSV(硅通孔)工艺,这种工艺在封装过程中芯片容易出现细微的 损坏,因此未来细微缺陷检测设备也是行业值得关注的一个发展方向在所有苹果产业链公司从去年11 月初陆续下修其营收预期后,台积电 终于挡不住大趋势,公布低于市场预期的一季度销售环比衰退21.9%-22.9%,43- 45%的毛利预期(vs. 市场预期的47.5%),及31-33%的营业利润率预期(vs. 市场预期的36.8%)。台积电提出2019 年全球晶圆代工达0%同比成长,我们预估证券分析师对世界先进,华虹,长电科技,通富微电,华天科技2019 年营收同比成长的预估将明显下修到0%,+/-5%。虽然7 纳米短期需求不振,但台积电公布其2019 资本开支同比持平,维持100-110 亿美元,其中80%是用在7/5/3 纳米(大多用在5 和3 纳米),另外超过10%用在光掩片及先进封装的投资,剩下的用在特 殊制程。这对全球及中国半导体设备大厂而言,相对有利。
LED芯片的制造工艺流程简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFi nal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需
等离子切割 等离子弧切割是利用高温等离子电弧的热量使工件切口处的金属局部熔化(和蒸发)，并借助高速等离子的动量排除熔融金属以形成切口的一种加工方法。等离子切割配合不同的工作气体可以切割各种氧气切割难以切割的金属，尤其是对于有色金属（不锈钢、铝、铜、钛、镍）切割效果更佳；其主要优点在于切割厚度不大的金属的时候，等离子切割速度快，尤其在切割普通碳素钢薄板时，速度可达氧切割法的5~6倍、切割面光洁、热变形小、几乎没有热影响区！ 等离子切割发展到现在，可采用的工作气体（工作气体是等离子弧的导电介质，又是携热体，同时还要排除切口中的熔融金属）对等离子弧的切割特性以及切割质量、速度都有明显的影响。常用的等离子弧工作气体有氩、氢、氮、氧、空气、水蒸气以及某些混合气体。等离子切割机广泛运用于汽车、机车、压力容器、化工机械、核工业、通用机械、工程机械、钢结构等各行各业。 一、等离子弧切割工艺参数 各种等离子弧切割工艺参数，直接影响切割过程的稳定性、切割质量和效果。主要切割规范简述如下： 1．空载电压和弧柱电压 等离子切割电源，必须具有足够高的空载电压，才能容易引弧和使等离子弧稳定燃烧。空载电压一般为120-600V，而弧柱电压一般为空载电压的一半。提高弧柱电压，能明显地增加等离子弧的功率，因而能提高切割速度和切割更大厚度的金属板材。弧柱电压往往通过调节气体流量和加大电极
内缩量来达到，但弧柱电压不能超过空载电压的65%，否则会使等离子弧不稳定。 2．切割电流 增加切割电流同样能提高等离子弧的功率，但它受到最大允许电流的限制，否则会使等离子弧柱变粗、割缝宽度增加、电极寿命下降。 3．气体流量 增加气体流量既能提高弧柱电压，又能增强对弧柱的压缩作用而使等离子弧能量更加集中、喷射力更强，因而可提高切割速度和质量。但气体流量过大，反而会使弧柱变短，损失热量增加，使切割能力减弱，直至使切割过程不能正常进行。 4．电极内缩量 所谓内缩量是指电极到割嘴端面的距离，合适的距离可以使电弧在割嘴内得到良好的压缩，获得能量集中、温度高的等离子弧而进行有效的切割。距离过大或过小，会使电极严重烧损、割嘴烧坏和切割能力下降。内缩量一般取8-11mm。 5．割嘴高度 割嘴高度是指割嘴端面至被割工件表面的距离。该距离一般为4~10mm。它与电极内缩量一样，距离要合适才能充分发挥等离子弧的切割效率，否则会使切割效率和切割质量下降或使割嘴烧坏。 6．切割速度 以上各种因素直接影响等离子弧的压缩效应，也就是影响等离子弧的温度和能量密度，而等离子弧的高温、高能量决定着切割速度，所以以上的各
金属切削加工工艺守则 文件编号：CY/QG03-19-2003 编制： 审核： 标准化： 会签： 批准： 常州液压成套设备厂有限公司 二００三年一月
金属切削加工工艺守则 一、总则 1、主题内容与适用范围 本标准规定了各种切削加工应共同遵守的基本规则。适用于本企业的切削加工。 2、引用标准 GB4863 机械制造工艺基本术语 ZB/J 38001 切削加工通用技术条件。 3、加工前的准备 3.1操作者接到加工任务后，首先要检查加工所需要的产品图样、工艺规程和有关技术资料是否齐全。 3.2要看懂、看清工艺规程、产品图样及其技术要求，有疑问之处应找有关人员问清后再进行加工。 3.3按产品图样或(和)工艺规程复核工件毛坯或半成品是否符合要求，发现问题应及时向有关人员反映，待问题解决后才能进行加工。 3.4按工艺规程要求准备好加工所需的全部工艺装备，发现问题及时处理，对新夹具、模具等，要先熟悉使用要求和操作方法。 3.5加工所用的工艺装备应放在规定的位置，不得乱放，更不能放在机床的导轨上。 3.6工艺装备不得随意拆卸和更改。 3.7检查加工所用的机床设备，准备好所需的各种附件，加工前机床要按规定进行润滑和空运转。
4、刀具与工件的装夹 4.1刀具的装夹 4.1.1在装夹各种刀具前，一定要把刀柄、刀杆、导套等擦拭干净。 4.1.2刀具装夹后，应用对刀装置或试切等检查其正确性。 4.2工件的装夹 4.2.1在机床工作台上按装夹具时，首先要擦净其定位基面，并要找正其与刀具的相对位置。 4.2.2工件装夹前应将其定位面、夹紧面、垫铁和夹具的定位、夹紧面擦拭干净，并不得有毛刺。 4.2.3按工艺规程中规定的定位基准装夹，若工艺规程中未规定装夹方式，操作者可以自行选择定位基准和装夹方法，选择定位基准应按以下原则： (一)尽可能使定位基准与设计基准重合； (二)尽可能使各加工面采用同一定位基准； (三)粗加工定位基准应尽量选择不加工或余量较小的平整表面，而且只能使用一次； (四)精加工工序定位基准应是已加工表面； (五)选择的定位基准必须使工件定位、夹紧方便，加工时稳定可靠。 4.2.4对无专用夹具的工件，装夹时应按以下原则进行找正： (一)对划线工件应按划线进行找正 (二)对不划线工件，在本工序后需继续加工的表面，找正精度，应保证下道工序有足够的加工余量； (三)对在本工序加工到成品尺寸的表面，其找正精度应小于尺寸公差和位置
芯片生产工艺流程 现今世界上超大规模集成电路厂（台湾称之为晶圆厂，为叙述简便，本文以下也采用这种称谓）主要集中分布于美国、日本、西欧、新加坡及台湾等少数发达国家和地区，其中台湾地区占有举足轻重的地位。 晶圆厂所生产的产品实际上包括两大部分：晶圆切片（也简称为晶圆）和超大规模集成电路芯片（可简称为芯片）。前者只是一片像镜子一样的光滑圆形薄片，从严格的意义上来讲，并没有什么直接实际应用价值，只不过是供其后芯片生产工序深加工的原材料。而后者才是直接应用在计算机、电子、通讯等许多行业上的最终产品，它可以包括CPU、内存单元和其它各种专业应用芯片。 一、芯片生产工艺流程： 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）、测试工序（InitialTestandFinalTest）等几个步骤。其中晶圆处理 1
工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 2
LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品 LED芯片的制造工艺流程：
《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》 学习笔记 整理：Anndi 来源：电子胶水学习指南（https://www.doczj.com/doc/d01377368.html,） 本人主要从事IC封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解IC封装产业的动态和技术，自学了《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子胶水学习指南”博客中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨之！ 前言及序言（点击链接查看之）-----------------------------------1第1章半导体工业-----------------------------------------2—3第2章半导体材料和工艺化学品---------------------------4—5第3章晶圆制备-----------------------------------------------6第4章芯片制造概述---------------------------------------7—8第5章污染控制-------------------------------------------9—10第6章工艺良品率----------------------------------------11—12第7章氧化-----------------------------------------------13—14第8章基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光------------15—17第9章基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验------------18—20第10章高级光刻工艺-------------------------------------21—23第11章掺杂----------------------------------------------24—26第12章淀积----------------------------------------------27—29第13章金属淀积-----------------------------------------30—31第14章工艺和器件评估----------------------------------32—33第15章晶圆加工中的商务因素---------------------------34—35第16章半导体器件和集成电路的形成-------------------------36第17章集成电路的类型----------------------------------37—38第18章封装----------------------------------------------39—41 个人感慨----------------------------------------------------------41
( 安全技术 ) 单位：_________________________ 姓名：_________________________ 日期：_________________________ 精品文档 / Word文档 / 文字可改 金属切削机床安全技术(标准 版) Technical safety means that the pursuit of technology should also include ensuring that people make mistakes
金属切削机床安全技术(标准版) 金属切削机床（以下简称机床）是利用切削方法将毛坯加工成机器零件的装备。在操作机床过程中，操作者与机床形成了一个运动体系。当这个体系处于协调状态时，几乎没有发生事故的可能性。当这一体系的某一方面超出正常范围，就会发生意想不到的冲突造成事故。 （一）机床伤害事故的原因。发生机床伤害事故的原因主要有以下五方面。 1.安全操作规程不健全或管理不善，对操作者缺乏基本训练。例如，操作者不按安全操作规程操作，没有穿戴合适的防护服，工件或刀具没有夹持牢固就开动机床，在机床运转中调整或测量工件、清除切屑等。 2.机床在非正常状态下运转。例如，机床的设计、制造或安装
存在缺陷，机床部件、附件和安全防护装置的功能失效等。 3.工作场地环境不好。例如，工作场地照明不良，温度不适宜，噪声过高，地面或踏板被乳化液弄脏，设备布局不合理，以及零件半成品堆放不整齐等。 4.工艺规程和工艺装备不符合安全要求，采用新工艺时无安全措施。 5.对切屑或砂轮所采取的防护措施不当。 （二）机床伤害事故种类。机床伤害事故的种类主要有以下五种。 1.操作者的局部卷入或夹入机床旋转部件和运动部件造成的伤害事故。发生这类伤害事故，多是因为机床旋转部分凸出部位，加之没有很好的防护装置，以及操作者的错误操作。例如，车床上旋转着的鸡心夹、花盘上的紧固螺针端头、露在机床外面的挂轮、传动丝杠等，均可能将操作者的衣服袖口、领带、头巾角等卷入；车床操作者留有长发，又不带工作帽，致使长发卷入而造成的头皮脱落的严重伤害事故；钻床操作者戴手套操作，被旋转着的钻头或切
气体火焰切割工艺及参数 影响气割过程的主要参数 影响气体火焰切割过程（包括切割速度和质量）的主要工艺因素有： ①切割氧的纯度； ②切割氧的流量、压力及氧流形状； ③切割氧流的流速、动量和攻角； ④预热火焰的功率； ⑤被切割金属的成分、性能、表面状态及初始温度； ⑥其他工艺因素。 其中切割氧流起着主导作用。切割氧流既要使金属燃烧，又要把燃烧生成的氧化物从切口中吹掉。因此，切割氧的纯度、流量、流速和氧流形状对气割质量和切割速度有重要的影响。 ⑴切割氧的纯度 氧气的纯度是影响气割过程和质量的重要因素。氧气纯度差，不但切割速度大为降低、切割面粗糙、切口下缘沾渣，而且氧气消耗量的增加。氧气纯度从99.5%降到98%，即下降1.5%，切割速度下降25%，而耗氧量增加50%。一般认为，氧气纯度低于95%，就不能气割，要获得无粘渣的气割切口，氧气纯度需达到99.6%。 ⑵切割氧流量 切割厚度12mm钢板时氧气流量对切割速度的影响如图1所示。由图可见，随着氧流量的增加，切割速度逐渐增大，切割速度提高，但超过某个界限值反而降低。因此，对某一钢板厚度存在一个最佳氧流量值，此时不但切割质量最高，而且切割质量最好。 ⑶切割氧压力 随着切割氧压力的提高，氧流 量相应增加，因此能够切割板厚度随之增大。但压力增加到一定值，可切割的厚度也达到最大值，再增大压力，可切割的厚度反而减小。切割氧压力对切割速度的影响大致相同。如图2所示。
由图2可见，用普通割嘴气割时，在压力较低的情况下，随着压力增加，切割速度也提高，但当压力超过0.3MP以后，切割速度反而下降；再继续加大压力，不但切割速度降低，而且切口加宽，切口断面粗糙。用扩散形割嘴气割时，如果切割氧压力符合割嘴的设计压力，则压力增大时，由于切割氧流的流速和动量增大，所以切割速度比用普通割嘴时也有所增加。气割工艺参数 气割的工艺参数包括预热火焰功率、氧气压力、切割速度、割嘴到工件的距离以及切割倾角等。 ⑴预热火焰的选择 预热火焰是影响气割质量的重要工艺参数。气割时一般选用中性焰或轻微的氧化焰。同时火焰的强度要适中。应根据工件厚度、割嘴种类和质量要求选用预热火焰。 ①预热火焰的功率要随着板厚的增大而加大，割件越厚，预热火焰功率越大。氧-乙 炔预热火焰的功率与板厚的关系见表1。 表1 氧-乙炔预热火焰的功率与板厚的关系 板厚/mm 火焰功率/L.min-1 3-25 4-8.3 25-50 9.2-12.5 50-100 12.5-16.7 100-200 16.7-20 200-300 20-21.7 ②在切割较厚钢板时，应采用轻度碳化焰，以免切口上缘熔塌，同时也可使外焰长一些。 ③使用扩散行割嘴和氧帘割嘴切割厚度200mm以下钢板时，火焰功率选大一些，以加速切口的前缘加热到燃点，从而获得较高的切割速度。 ④切割碳含量较高或合金元素教多的钢材时，因为他们燃点较高，预热火焰的功率要大一些。 ⑤用单割嘴切割坡口时，因熔渣被吹向切口外侧，为补充能量，要加大火焰功率。 气体火焰切割的预热时间应根据割件厚度而定，表2列出火焰切割选定预热时间的经验数 据。
李经理: 请查看附件.环评要求你们的工艺流程及说明也要像附件中我们的芯片流程这样描述详细.(流程右边的代号是表示废水或废气,你可以用文字表述. 另外你们的原材料中有一种含氰的化学品,请你们说明其无害特点.如确实有害,则要说明处理方案. 上面的事很急,请你帮忙这两天就给出来. 芯片工艺流程图及说明 工艺流程图 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点见图4-2、
W 废水产出点 注：G 废气产出点 S 固废产出点 氢氟酸、S2-9、S2-7 、G 2-9 硫酸红、黄光外延片 金钛铝图4－2 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点
工艺流程说明 （1）外延片检测：用荧光测试仪快速测量外延片的光电参数。 （2）清洗：将外延生长好的外延片依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液、异丙醇中对外延片表面进行清洗，每次清洗后使用纯水进行冲洗。此过程在通风柜里密闭进行，冲洗使用通风柜内的专用清洗槽，使用纯水进行漂洗直至槽中纯水达到工艺要求的较低离子浓度。 （3）蒸镀：清洗后的外延片放入密封蒸镀设备中，根据产品品种要求，蒸发上钛金或钛铝电极薄膜。 （4）光刻：将镀好金属的外延片在涂胶机上涂上光刻胶后，在曝光机上曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，再放入显影液中，溶解去曝过光的光刻胶，未经曝光的光刻胶保留下来，得到所需的电极图形。 （5）腐蚀：将光刻后的外延片依次采用磷酸、氢氟酸与硝酸的混合液来腐蚀钛、金和铝等金属，腐蚀后用纯水冲洗外延片携带的酸液、再用去胶液去除光刻胶，得到所需的金属电极。用纯水冲去外延片携带的去胶液。 （6）高温合金：腐蚀后的外延片放在合金炉中进行热处理，使金属层与外延层形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。 （7）研磨：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，采用三氧化二铝研磨粉，通过机械研磨的方式，减薄衬底，使外延片易于切割，并降低芯片的热阻，提高器件的可靠性。 （8）研磨后清洗：研磨后的外延片先用去蜡液、丙酮和异丙醇去除蜡，再依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液进行清洗、去蜡以及每次清洗后使用纯水进行冲洗。 （9）清洗干净后的外延片，放入密闭的蒸镀机内，根据产品需要蒸发上金、镍。 （10）高温合金：蒸镀后的外延片放在合金炉中再次进行热处理，使金属层与衬底形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。 （11）半切：用切割机将制作好电极的外延片切至衬底，但不把整个衬底切穿。 （12）点测：将半切好的外延片放在芯片测试机上，测试每个芯片的光电参数，并对不符合要求的芯片点墨水做出标记。 （13）切穿：用切割机将测试过的外延片切穿，切成一个个芯片。 （14）目检：在显微镜下用真空吸笔将外观不合格和点墨水的芯片剔除掉。废芯片统一保存并交由固体废物处置公司处置。 （15）包装入库：将目检过的芯片用包装膜包装后，计数并贴上有光电参数、产品规格等的标签，再交由生管成品库入库。
LED芯片制程 LED的发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子 （多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
2．芯片： ⑴芯片的结构：芯片的结构为五个部分，分别为正电极、负电极、P 层、N 层和PN 结，如下图： 单電極 P 电极 P 层 P/N 结合层 N 层 N 电极 双电极 ⑵芯片的生产工艺： （１）长晶（CRYSTAL GROWTH ）： 长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅，制造过 程是将硅石(Silica)或硅酸盐 (Silicate) 如同冶金一样，放入炉中熔解提炼，形成冶金级硅。冶金级硅中 尚含有杂质，接下来用分馏及还原的方法将其纯化，形成电子级硅。虽然电子级硅所含的電極 層 接合層 層 電極
河北建筑工程学院 毕业设计（论文）外文资料翻译 系别：机械工程系 专业：机械设计制造及其自动化 班级： 082班 姓名：石会辉 学号： 2008307230 外文出处：Cutting tool applications 附件：1、外文原文；2、外文资料翻译译文。 指导教师评语： 签字： 年月日
第二章 金属去除方法 图2.19机械切屑瘤和图2.20被焊接的切屑瘤不一样常用，像被焊接的切屑瘤。有更多零件介入与机械切屑瘤，增加了费用， 并且切屑瘤阻碍改变和标注插入物。然而，机械 切屑瘤是极端有效的在控制机械瘤,尤其在重金 属的去除操作期间。 有种机械切屑瘤，坚实和可调整，如图2.21 所显示。坚实切屑瘤是可利用以各种各样的长度 和角度，适合每种金属切口应用。可调整的切屑瘤可能消灭对库存坚实切屑瘤的各种各样的大小的需要。 被焊接的切屑瘤可利用在许多不同的配置，一些被设计的为轻型的需要，一些为重型的需要和仍然其他为处理轻型和重型需 要。图2.22各种各样的被焊接的切屑瘤配置的展 示例子可得到唯一需求。有被焊接的切屑瘤插入 物单边和两面的设计。许多设计将极大减少切削 力并且控制分屑。通常使用两面的插入物是更加 经济的，因为附加的切削刃可用。 图2.21坚实和可调整切屑瘤 然而，这并不是总是如此。在某些情况下，因为其附加的切削刃完成切削,双面刀片是更经济适度，单面设计自圆其说，从成本的角度来看，需要有效地控 图2.19机械切屑瘤 图2.20 焊接的机械瘤
制切屑瘤，减少切削的力量。 图2.22各种各样的被焊接的切屑瘤配置，以应用推荐
图2.23显示五种插入物样式与被焊接的切屑瘤。图2.22所示，单面插入是平坦的底部相比，一个双面插入。此平底提供单个的双面的插入，切削刃在严重切割情况更好的支持切削。单面的插入，由于添加的支持，具有能够更容易地移除较大数量的材料和效率，使其使用更 经济。单面的插入可能是更经济的另一 个原因是，在重型机械加工条件下，是 罕见的切削刃的双的双面插入所有可以 使用的。激烈的热冲击和机械冲击插入，通常会损坏它对面的尖端是无法使用的 点，在一定意义上，白白浪费了。图2.24 a ， b 显示二方形的插入物与专用切屑瘤。 统计数据已经证明，恶劣条件下单面 插入更多的时候是最经济的选择，因为其更高的效 率将在更短的时间内去除 更多的金属。 此外，如果可用切削 刃的双面插入一半是不可 用的，前面所说的原因，然 后更高效的单面刀片，基本 上有相同数量的可用切削刃，是最经济的插入使用。 除了图2.22所示还有切屑瘤设计的许多其他配置。每个制造商都有自己的推荐程序，范围一般都在每个制造商的产品目录中列出。然而，对于具体的建议和特殊应用,则最好还是请向制造商咨询。 图2.25显示每天遇到零件的各种各样的类型。研究这种零件,都是出自一个工件将使很多情况,了解作业的良好走势,如何工具磨损工作正在进行,而为什么过早工具发生故障或出现短刀具寿。 直向切屑：直向切削通常是最麻烦的事情。 这些零件在机床串起，并粘合, 图2.24 a ， b 二方形的插入物与专用切屑瘤 图 2.23 五种遇到的插入物样式与被焊的切屑瘤
晶圆（Wafer）制程工藝學習 晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。 光学显影 光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。 干式蚀刻技术 在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。 电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。 晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。 基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行： 1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。 2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。 化学气相沉积技术 化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有： ■二气化硅（通常直接称为氧化层） ■氮化硅
半导体工艺流程中的前段（F）后段（B）一般是如何划分的，为何要这样划分？ 浏览次数：1016次悬赏分：10|解决时间：2009-5-14 12:37 |提问者： xiaoyz1986 工艺流程中的前段（F）后段（B）一般是如何划分的，为何要这样划分（注意，不是指bank前后 分2份runcard的前后段） 最佳答案 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、 构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序 和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开 关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗， 再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等 反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便 于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后， 将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒 则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引 接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即 我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装 后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，
COB工艺制程简介 1.芯片的焊线连接： 1.1芯片直接封装简介： 现代消费性电子产品逐渐走向轻、薄、短、小的潮流下，COB（Chip On Board）已成为一种普遍的封装技术。COB的关键技术在于Wire Bonding（俗称打线）及Molding （封胶成型），是指对裸露的集成电路芯片(IC Chip)，进行封装，形成电子组件的制程，其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding；简称TAB)等技术，将其I/O经封装体的线路延伸出来。 集成电路芯片必须依照设计和外界的电路连接，方能成为具有一定功能的电子组件就如我们所看到的"IC"就是这种已封装好、有外引脚的封装的集成电路。 1.2芯片的焊线连接方式简介： IC芯片必须与封装基板完成电路连接才能发挥既有的功能，现时市面上流行的焊线连接方式有三类 :打线接合(Wire Bonding)、卷带自动接合(Tape Automated Bonding，TAB)与覆晶接合(Flip Chip，FC)，分述如下： 1.2.1打线接合（Wire Bonding） 打线接合是最早亦为目前应用最广的技术，此技术首先将芯片固定于导线架上，再以细金属线将芯片上的电路和导线架上的引脚相连接。而随着近年来其它技术的兴起，打线接合技术正受到挑战，其市场占有比例亦正逐渐减少当中。但由于打线接合技术之简易性及便捷性，加上长久以来与之相配合之机具、设备及相关技术皆以十分成熟，因此短期内打线接合技术似乎仍不大容易为其它技术所淘汰。 图1.2a打线接合的示意图
1.2.2卷带式自动接合（Tape Automated Bonding，TAB） 卷带式自动接合技术首先于1960年代由通用电子（GE）提出。卷带式自动接合制程，即是将芯片与在高分子卷带上的金属电路相连接。而高分子卷带之材料则以polyamide为主，卷带上之金属层则以铜箔使用最多。卷带式自动接合具有厚度薄、接脚间距小且能提供高输出/入接脚数等优点，十分适用于需要重量轻、体积小之IC产品上。 图1.2a 卷带式基本架构 1.2.3覆晶接合（Flip Chip） 覆晶式接合为IBM于1960年代中首先开发而成。其技术乃于晶粒之金属垫上生成焊料凸块，而于基版上生成与晶粒焊料凸块相对应之接点，接着将翻转之晶粒对准基版上之接点将所有点接合覆晶接合具有最短连接长度、最佳电器特性、最高输出/入接点密度且能缩小IC尺寸，增加单位晶圆产能，已被看好为未来极具潜力之封装方式。 图1.2b 覆晶接合技术示意图 1.3芯片的焊线连接的应用和优点： 封装是指电子产品的生产过程中，将各种电子组件，依需要组装接连的所有制程，其功能在于电源分布，讯号分布，散热功能，保护功能并提供足够的机械强度.
T—0908--11 车工工艺规范 编制/日期： 审核/日期： 批准/日期：
车工工艺规范 1、总则 1.1、车工工艺规范适用于本公司产品的零部件的车加工。凡图纸工艺文件上无特殊要求的，均按本工艺规范执行。 1.2、技术要求 1.2.1、加工表面不能有降低零件强度及寿命的沟浪、碰伤等缺陷。 1.2.2、在本工序完工后出现的毛刺、尖角，由本工序去除。 1.2.3、毛坯为铸件，当加工到成品后，对影响质量的表面不准有砂眼、气孔、缩孔、裂纹等及其他缺陷。 1.2.4、对有公差要求的尺寸，在加工时应尽量按其中间公差加工。 1.2.5、对于圆车零件未注的尖角按0.5×45°倒角执行，热处理前粗加工未注倒角按3×45°。 1.2.6、零件的加工自由尺寸公差按GB1804，IT14级精度制造（如下表）， 一般孔用H ，轴用h ，长度用±2 1IT 。 IT14级精度公差数值表（单位：mm ） 说明：1、孔径及凹槽采取单向正号（+）公差 2、轴径、零件外径、垫圈厚度、轴套长度、、隔环长度以及所有零件 的总长度均采取单向负号（-）公差。 3、孔距、退刀槽、空刀槽及其他直线尺寸均采取双向（±）公差。
1.3、其它要求 1.3.1 车床钻深孔时应先打中心孔，再用短钻头钻一个导向孔，以保证良好定心。要选择适当的切削速度。冷却液应有足够的压力并保证压力稳定。随时注意排屑情况和刀具情况，防止阻塞，扭断钻头。 1.3.2高速精车孔时，应根据孔径和孔深，选择合适尺寸的刀杆和切削规范，刀尖应在零件中心或稍高于零件中心，刀具应取负刃倾角，使切屑呈弹簧形，不得擦伤已加工面。 1.3.3用弯板装夹零件加工或车偏心轴之类的零件时，应在卡盘上加配重，以保证回转时平衡，并且零件转速不宜过高。 1.3.4成形刀加工零件： 1.3.4.1 掌握成形刀的刀具角度，加工铸铁件前角取0°～5°左右，加工钢件前角取15°～25°左右，后角一般为2°～5°，后角过大会引起振动。 1.3.4.2 成形刀刃磨时应符合样板形状。样板刀装刀位置不能过高或偏低。 1.3.5齿轮轴、蜗杆或其它轴类零件，凡下道工序需要磨者，必须打两端中心孔（带护锥）并按工艺留出淬火或不淬火的磨削留量。凡需磨轴颈的蜗杆，车削时必须使用死顶尖。 1.3.6 需要磨的轴类零件，其轴肩端面，圆角半径和轴台同心度≥0.1mm，粗糙度低于或等于Ra3.2的外圆一般均在磨前由车床工序完成。 1.3.7有键槽的零件套其内外圆及一端面应在一次装夹中加工出，并在端面上刻基准线。 1.3.8凡需要磨平面的零件，如垫、套、隔离套等要求平行度和垂直度较高的，加工时应内外圆及一端面在一次装夹中车出，并刻线，以标示基面，另一端面留量。 1.3.9凡加工四方孔、六方孔、八方孔时，如果是自由公差，则按内接圆钻孔，如果有公差要求者，钻孔时应留量0.5～1.5mm。 2、工作前的准备 2.1、操作者应仔细看清、看懂图纸与工艺文件。有疑问之处找有关技术人员问清后再进行加工。保持图纸与工艺文件的整洁和完整，并严格按照设计图纸、工艺规程和技术标准，进行零部件的加工，不得自行更改。 2.2、按产品图样及工艺要求复核工件毛坯或上道工序是否符合图纸工艺要
霍尔元件的晶圆制造的工艺技术 霍尔元件的晶圆，始于薄的圆柱型晶硅，直径一般分150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）、300毫米（12英寸），通过在晶圆上镀上各种材料成为多层膜和几何图形，最终产生出成千上万很小的电子器件。 霍尔IC晶圆的制造过程可划分为前道（Front-end）和后道（Back-end），前道包括晶圆处理工序（Wafer Fabrication）和晶圆针测工序（Wafer Probe），后道包括封装工序（Packaging）和测试工序（Initial Test and Final Test）。晶圆的整个制造过程中会涉及到很多物理、化学过程。 一、霍尔IC元件晶圆制造的前道（Front-end） 1、晶圆处理工序Wafer Fabrication 本工序的主要工作是在晶圆上制作磁路和电路，其处理程序的基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化和物理/化学气相沉积，然后进行镀膜、光刻、刻蚀、回火等反复步骤，最终在晶圆上完成磁性传感器霍尔芯片的加工与制作。
晶圆处理工序 工艺过程注释： 【光刻Lithography】：光刻的过程包括涂胶、曝光和显影。涂胶是在基片表面均匀涂上一层光刻胶。光刻胶主要由对光与能量非常敏感的感光高分子聚合物和有机溶剂（稀释剂）组成，前者是光刻胶的主体，主要成分为脂肪质酰亚胺聚合物、聚酰胺等，后者是光刻胶的介质，主要成分为环戊酮，丙二醇单甲醚等。为使光刻胶牢固附着在基片表面，均匀涂胶后要进行烘干。在烘干过程当中，光刻胶中的有机溶剂挥发成为有机废气，而光刻胶中的高分子聚合物和光敏剂等作为涂层牢固地附着在基片表面。光刻胶对紫外光敏感，被光照过后发生化学变化，从而变得容易被显影液去除，而没有被光照过的光刻胶则不会在显影工序中去掉。曝光就是利用光刻胶的这种特性，使用光刻机将事先设计好的电路通过掩膜版将电路图案转移到基片表面。显影是用显影液将感光的光刻胶去除，在光刻胶上形成沟槽，使下面的基片表面暴露出来，以便于下一道工序进行操作。 【离子刻蚀Ion Milling】：离子刻蚀是用离子轰击的方法去除基片表面所不需要部分的工艺。其具体流程为刻蚀气体通入反应室（通常为氩气），在反应室两端高电压作用下，电场将氩气分解电离，形成正的氩离子和负的电子。正的氩离子在电场的作用下向放置有基片的负极移动，在移动过程中不断加速，最终轰击在基片的表面上，将基片表面的原子吸附并带走，最终实现基片表面材料刻蚀这一步骤。
LED 芯片的制造工艺流程 来源：深圳市鑫荣电子科技有限公司作者：浏览：3305人次发布：2007-11-13 注：其他网站转载须注明出处，转载而不注明出处者，一经查实，将追究其法律责任外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 介绍： 金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD ）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN （氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED 芯片的制造工艺流程： 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N 极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割LED 外延片（以前