详解处理器工艺制程：为何20nm芯片更强大

芯片纳米工艺芯片纳米工艺是指将芯片制造工艺的制造尺寸缩小到纳米级别，以实现更高的集成度和更低的功耗。

随着科技的不断进步，芯片纳米工艺已经从20纳米、14纳米、10纳米一直发展到了7纳米、5纳米、3纳米等更小的制造工艺。

芯片纳米工艺的发展对于电子产品的发展和普及起到了重要的推动作用。

芯片纳米工艺的发展历程芯片纳米工艺的发展历程可以追溯到20世纪60年代，当时芯片的制造工艺尺寸还在微米级别。

随着科技的不断进步，芯片制造工艺的制造尺寸逐渐缩小，从1微米缩小到了100纳米、50纳米、20纳米、14纳米、10纳米等。

目前，芯片制造工艺的制造尺寸已经缩小到了7纳米、5纳米、3纳米等更小的制造工艺。

芯片纳米工艺的优势芯片纳米工艺的优势主要体现在以下几个方面：1.更高的集成度：芯片纳米工艺可以将更多的晶体管集成到同一块芯片上，从而实现更高的集成度和更小的芯片尺寸。

2.更低的功耗：芯片纳米工艺可以将晶体管的电压和电流降低，从而实现更低的功耗和更长的电池续航时间。

3.更高的性能：芯片纳米工艺可以提高晶体管的开关速度和频率，从而实现更高的性能和更快的响应速度。

芯片纳米工艺的挑战芯片纳米工艺的发展也面临着一些挑战：1.制造成本高：芯片纳米工艺需要更加精密的制造设备和更高的制造技术，从而导致制造成本更高。

2.制造难度大：芯片纳米工艺需要更加精密的制造工艺和更高的制造技术，从而导致制造难度更大。

3.电路设计难度大：芯片纳米工艺需要更加精密的电路设计和更高的电路设计技术，从而导致电路设计难度更大。

结语芯片纳米工艺的发展对于电子产品的发展和普及起到了重要的推动作用。

随着科技的不断进步，芯片纳米工艺将会继续发展，从而实现更高的集成度、更低的功耗和更高的性能。

同时，芯片纳米工艺也面临着一些挑战，需要不断地进行技术创新和研发，以应对未来的发展需求。

神秘的处理器制程工艺摩尔定律指导集成电路(IC，Integrated Circuit)工业飞速发展到今天已经40多年了。

在进入21世纪的第8个年头，各类45nm芯片开始批量问世，标志着集成电路工业终于迈入了低于50nm的纳米级阶段。

而为了使45nm工艺按时“顺产”，保证摩尔定律继续发挥作用，半导体工程师们做了无数艰辛的研究和改进—这也催生了很多全新的工艺特点，像大家耳熟能详的High-K、沉浸式光刻等等。

按照业界的看法，45nm工艺的特点及其工艺完全不同于以往的90nm、65nm，反而很多应用在45nm制程工艺上的新技术，在今后可能贯穿到32nm甚至22nm阶段。

今天就让我们通过一个个案例，来探索一下将伴随我们未来5年的技术吧。

你能准确说出45nm是什么宽度吗？得益于厂商与媒体的积极宣传，就算非科班出身，不是电脑爱好者的大叔们也能知道45nm比65nm更加先进。

但如果要细问45nm是什么的长度，估计很多人都难以给出一个准确的答案。

而要理解这个问题，就要从超大规模集成电路中最基本的单元—MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)晶体管说起。

我们用半导体制作MOS管就是利用其特殊的导电能力来传递0或者1的数字信号。

在栅极不通电的情况下，源区的信号很难穿过不导电的衬底到达漏区，即表示电路关闭(数字信号0)；如果在栅极和衬底间加上电压，那么衬底中的电荷就会在异性相吸的作用下在绝缘氧化层下大量聚集，形成一条细窄的导电区，使得源区和漏区导通，那么电流就可以顺利从源区传递到漏区了(信号1)。

这便是MOS最基本的工作原理。

在一块高纯硅晶圆上(在工艺中称为“P型半导体衬底”)通过离子扩散的方法制作出两个N型半导体的阱——通俗地讲P型是指带正电的粒子较多，N型则是带负电的粒子比较多。

再通过沉积、光刻、氧化、抛光等工艺制造成如图中所示的MOS管，两个阱的上方分别对应源区(source)和漏区(drain)，中间的栅区(gate)和下方的衬底中间用一层氧化绝缘层隔开。

芯片的级别芯片的级别是指芯片的技术水平和性能等级。

芯片级别的划分主要有三个方面：工艺水平、性能等级和用途范围。

一、工艺水平芯片的工艺水平是指制造这个芯片所使用的工艺技术，包括制造工艺和尺寸等。

不同的工艺水平对芯片的性能、功耗、成本等都有直接的影响。

目前主流的工艺水平有以下几种：1. 20nm工艺：20nm工艺是指芯片的线宽为20纳米（nm），这一工艺水平目前属于比较先进的制程技术，主要应用于高性能的CPU、GPU等芯片。

2. 28nm工艺：28nm工艺是指芯片的线宽为28纳米（nm），这一工艺水平目前还是主流的制程技术，广泛应用于移动设备、通信芯片等领域。

3. 40nm工艺：40nm工艺是指芯片的线宽为40纳米（nm），这一工艺水平已经有些落后，但仍在一些低功耗、低成本的领域有所应用。

4. 65nm工艺：65nm工艺是指芯片的线宽为65纳米（nm），这一工艺水平已经相对较老，一般用于低端的消费电子产品。

二、性能等级芯片的性能等级主要是指芯片在性能方面的表现，包括处理速度、功耗、计算能力等。

不同的性能等级适用于不同的应用场景。

主要有以下几种性能等级：1. 高性能芯片：高性能芯片具备较强的计算能力和处理速度，广泛应用于大型服务器、超级计算机等高性能领域。

2. 中等性能芯片：中等性能芯片适用于一般的计算需求，如个人电脑、笔记本电脑等。

3. 低功耗芯片：低功耗芯片主要用于移动设备、物联网等领域，具备较低的功耗和较好的电池续航能力。

4. 特殊用途芯片：特殊用途芯片是指用于特定领域的芯片，如图形芯片、音频芯片、AI芯片等。

三、用途范围芯片的用途范围是指芯片所应用的领域和场景。

根据不同的用途，芯片可以分为以下几种类型：1. 通用芯片：通用芯片适用于多个领域，性能和功能比较平衡，如通用处理器、通用控制器等。

2. 专用芯片：专用芯片是指为特定的应用场景和应用需求而设计的芯片，针对特定的算法和任务进行优化，如深度学习芯片、数字信号处理芯片等。

现在性能最强的手机，相当于什么样的电脑性能强的手机性能，手机性能主要由几个方面所决定，一，手机的CPU性能，二，手机RAM的性能，三，数据传输性能。

从手机CPU天梯图中可以看到，最强的手机CPU还是骁龙845和苹果的A11处理器，我们就以骁龙845为例，骁龙845采用了三星第二代10nm制程工艺。

制程简单的来讲，制程越小，发热量越小，单位面积上可以集成的芯片越多。

性能也就能越大幅度提升，同时小制程的CPU的性能更好，能稳定在更高的频率上。

核心方面，采用自家kryo架构，4大核最高主频2.8GHz，4小核1.8GHz主频，支持LPDDR4X的闪存。

一眼看去觉得CPU还不错主频很高可以媲美i5，但是手机CPU与PC处理器本来就没有可比性，手机采用精简ARM指令集，PC采用复杂X86指令集，另外高速缓存上，手机处理器完全也和PC处理器不在一个等级上。

如果非要拿出PC处理器分出个高低，那应该和奔腾处理器差不多，甚至奔腾的某些型号骁龙845还赶不上。

RAM性能，如上所述，骁龙845支持LDDR4X，LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。

低功耗、体积小，专门用于移动式电子产品，采用20nm工艺，25.6GB/s的内存带宽，所以大概相当于Pc上DDR3 1600组成双通道的速度，表现还是很不错的，比起CPU上手机与PC的差距，RAM差距还算小的。

最后一项，内存性能，相当于电脑上的硬盘，ufs 2.1是现当下速率最快的闪存，是UFS 2.0的改进版。

理论最大接口速率为5830.4Mbps，1Mbps=131072字节/秒=0.125M/S，所以传输速率为728M/s，也就相当于固态的传输速度。

所以综合看来，市面上的最强性能手机也就相当于十年前的CPU，加上几年前的硬盘和还算凑合的RAM。

放在今天完全是不能用的，其实手机性能和电脑性能孰高孰低，并没有准确的数据支持，但是就目前看来，移动端和桌面CPU还是存在着不小的差距。

手机处理器详解智能手机CPU成了各大厂商，争夺和宣传的焦点．但很多人对手机CPU的厂商和具体产品不是很了解．那么让我们来简单介绍一下这些厂商和他们产品系列以及现在他们目前最炙手可热的产品。

目前CPU在国际上比较大的有高通、英伟达、三星、倒们仪器．当然还有台湾的MTK 以及中国”芯”华为海思．所以我们今天的主角就是他们啦！1.高通（Qualcomm )高通是目前智能手机普遍采用的芯片厂商之一，高通CPU的特点是性能表现出色，多媒体解析能力强，能根据不同定位的手机，推出为经济型、多煤体型、增强型和融合型四种不同的芯片．高通几乎统治了安卓的半壁江山和WP的几乎全部领土．目前，高通已将旗下的手机处理器统一规划为Snapdragon （骁龙）品牌，根据处理器性能和功能定位的不同，又将其由低到高分为S1 、S2 、S3 、S4 四个类别．其中S1针对大众市场的智能手机产品．也就是我们所熟知的千元内智能手机；S2针对高性能的智能手机和平板电脑：S3 在S2的基础上又对多任务以及游戏方面有更大提升；S4 是高通目前最高端，同时性能也最强的处理器系列，其中的双核以及四核产品主要针对下一代的终端产品，包括WindowS8平板等．高通Snapdragon S1 : 65nm 制程面向低端智能终端高通Snapdragon S1处理器主要是针又士对大众市场的智能手机．高通Snapdragon S1采用65nm 制程，最高配置1GHz 主频和Adreno 200 图形处理器．在这里要说明的是，X为2 时代表只支持WCDMA制式，X 为6时代表同时支持CDMA 和WCDMA 制式，这一规则同样适用于高通Snapdragon其它系列．高通SnaPdragonS2 : 45nm 制程工艺改进/高端标配由于工艺制程的原因，在发热最和待机时间上，高通第一代处理器并不让人满意，所以高通随后推出了第二代处理器，面向高性能的智能手机和平板电脑的Snapdragon S2 处理器．高通SnaPdragon S3 ：异步双核、功耗降低台北国际电脑展上正式推出了其第三代Snapdragon手机芯片产品，新款产品采用双核设计，一个处理器上集成两个运算核心，在处理任务的时不仅具备更强的运算能力，同时在功耗上，也要比单核心低，计算能力得到很大提高，最高1.5GHz 的主频也为其吸引了众多关注．高通SnapdragonS4 ：全新架构和工艺面向下代智能终端代号为Krait（环蛇）的Snapdragon 第四代移动处理器一SnapdragonS4代表的是高通下一代终端的处理器，采用28nm 制程工艺．具备单、双或四核心等多种型号，最高主频可达2.5GHz ，较当前基于ARM 的CPU 内核全面性能提高150 % ，并将功耗降低65% .代表产品：APQ8064（骁龙S4 PRO）【小米手机2 采用此款处理器】APQ8064隶属于高通晓龙S4 pro 系列，采用28nm 工艺制造，集成最新的Adreno 320 GPU ，整合四个Krait 架构CPU 核心，每核主频最高达1.5GH/1.7GHz ．它是全球首款采用28nm 制程的四核移动处理器，同时也是高通首款四核心处理器．APQ8064采用的Krait CPU 微架构是高通公司基于ARMv7-A指令集自主设计的新型高性能架构，采用异步对称式多核处理技术（aSMp ) ，较高通第一代ScorpionCPU 微架构在性能上提升60%以上，功耗降低65 % . Krait 的设计采用了使用新电路技术的定制设计流程以提高性能，降低功耗．Krait 的电源效率也带来了更佳的热曲线，使Krait 多处理器系统与竞争解决方案相比，能够以峰值性能运行更长时间。

22nm制程工艺探索科技前沿——解密22纳米制程工艺的魅力在当今科技高速发展的浪潮中，22纳米制程工艺无疑是半导体行业的一颗璀璨明星，它以其超凡脱俗的“微雕”技艺，引领着芯片制造领域的新纪元。

这不仅仅是一个技术参数，更是一次对微观世界的深度探险，一次挑战物理极限的壮丽征程。

想象一下，当我们谈论“22纳米”，其实就是在探讨一种能把千万个晶体管如同繁星般紧密排列在指甲盖大小空间内的神奇力量。

这种技艺之精妙，简直犹如在原子尺度上翩翩起舞，把微观世界的大门推向了一个全新的维度。

"细如发丝"这个成语在此处已不足以描绘其精度，我们得借用科幻小说中的“纳米王国”来形容，那是一种足以让科技狂热者心跳加速，令科研工作者痴迷不已的创新境界。

这一制程工艺的成功研发与应用，无疑是对“精益求精”精神的最好诠释。

从45纳米到32纳米，再到如今的22纳米，每一次制程节点的突破，都宛如攀登科技高峰时的一次次登顶，每一毫米的进步背后都是无数科研人员夜以继日、披荆斩棘的努力付出。

他们的智慧和汗水，在这片纳米级别的战场上，铸就了一座座科技的丰碑。

同时，22纳米制程工艺的出现，也彻底颠覆了电子设备的设计理念。

更小的尺寸意味着更高的集成度，更低的能耗以及更强的计算性能，使得我们的智能手机、平板电脑、数据中心等各类智能设备得以实现前所未有的飞跃，从而深刻地改变着我们的生活方式和工作方式。

真可谓：“一寸光阴一寸金，纳米之间见真章”。

然而，面对如此卓越的成就，我们不能满足于现状。

要知道，科技进步的步伐永无止境，就像攀登珠穆朗玛峰，每登上一个高度，前方总还有新的挑战等待着我们。

对于22纳米制程工艺来说，如何进一步提升良率，优化设计，解决散热难题，降低生产成本等问题，仍旧是业界亟待攻克的课题。

总而言之，22纳米制程工艺不仅代表着当今芯片制造业的顶尖水平，更是科技创新路上的一个重要里程碑。

它像一首未完的交响曲，用科技的语言谱写出一段段激动人心的乐章，让我们对未来充满期待的同时，也时刻提醒我们：唯有不断创新，才能在这瞬息万变的科技时代勇立潮头，笑傲江湖！哎呀，这可真是让人既热血沸腾又满怀敬畏呢！所以说，当我们在日常生活中享受着各种便捷的科技产品时，不妨偶尔放慢脚步，回首看看那些藏在产品背后的“幕后英雄”——22纳米制程工艺，正是它们在微小而宏大的世界里，悄然书写着属于科技的时代传奇。

浅谈现代集成电路28nm芯片制造工艺A(前端FEOL) 全球90%以上集成电路都是CMOS工艺制造的，经历了半个多世纪发展进化，芯片集成度从一个芯片包含几十个器件进化到几十亿个器件。

从上世纪60年代MOS器件采用铝栅工艺，70年代采用了硅栅工艺，铝线互连，进化到现代集成电路采用高K金属栅、超低k介质多层铜线互连，以及FD-SOI和FinFET立体结构。

制造工艺也越来越复杂。

下面就纳米级体硅平面型CMOS集成电路工艺流程，展现芯片先进制程不断丰富现代集成电路制造工艺。

1）现将几种先进制程工艺简介如下：50多年发展，集成电路制造过程工艺越来越复杂，先进制程不断完善。

首先为了抑制短沟道效应，提高栅极对沟道的控制能力，提高栅极电容，栅氧化层厚度不断减薄。

对于厚度大于4nm的栅氧化层，SiO2是理想的绝缘体，不会形成栅漏电流。

当纯二氧化硅厚度小于3nm时，衬底的电子以量子形式穿过栅介质进入栅极，形成栅极漏电流。

（量子隧穿）栅极漏电导致功耗增加，IC 发热且阈值电压飘移，可靠性降低。

为提高介质绝缘特性，当特征尺寸达到0.18μm时采用氮氧化硅代替二氧化硅。

特征尺寸进入90nm节点，单纯缩小厚度不能满足器件性能的要求了，于是采用提高氮氧化硅含氮量以增加介电常数k，但SiON厚度低于14Å会严重遂穿，栅极漏电剧增。

45nm节点之后氮氧化硅已经不能满足mos器件正常工作的要求，开始使用高k介质HfO2代替SiON来改善栅极漏电问题，同时采用金属栅解决费米能级钉扎和多晶硅栅耗尽问题。

尽管在0.35μm技术节点开始采用掺杂多晶硅与金属硅化物（WSi）鈷（镍）多晶硅化物栅叠层代替多晶硅栅，降低了多晶硅栅的电阻。

但金属栅电阻要比金属硅化物还要小。

高k金属栅HKMG.采用高k介质材料替代SiO2。

二氧化硅k=3.9,氮氧化硅k=4~7，高K介质(HfO2和,HfSiON）=15~25。

同样等效氧化层厚度时，高k材料的物理厚度是SiO2的3~6倍。

Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！在英特尔Accelerated 活动中，英特尔表⽰正在考虑到 2025 年的⽬标。

⾸席执⾏官 Pat Gelsinger在今年早些时候表⽰，英特尔将在 2025 年重返产品领导地位，但⼀直没有解释如何实现。

直到今天，英特尔披露了其到 2025 年的未来五代⼯艺节点技术的路线图。

英特尔相信它可以采取积极的战略来匹配并超越其代⼯竞争对⼿，同时开发新的封装服务为外部客户开展代⼯业务。

最重要的是，英特尔重命名了其⼯艺节点。

以下是英特尔今天的披露的路线图。

技术⽤于⽣产和进⼊零售之间是有区别的；英特尔将某些技术称为“准备就绪”，⽽其他技术则称为“加速”，因此这个时间表只是提到的那些⽇期。

正如您想象的那样，每个⼯艺节点都可能存在数年，此图只是展⽰了英特尔在给定时间的领先技术。

英特尔定义了⼀个强⼤的未来：台积电是否⾯临风险？今年早些时候，⾸席执⾏官 Pat Gelsinger 宣布了英特尔的新 IDM 2.0 战略，包括三个要素：1.建⽴ (7nm)2.扩张（台积电）3. 产业化（英特尔代⼯服务）这⾥的⽬标是继续致⼒于英特尔的⼯艺节点技术开发，超越⽬前⽣产中的当前 10nm 设计，但同时使⽤合作伙伴（或竞争对⼿）的其他代⼯服务来重新获得/保持英特尔在其处理器中的地位的公司收⼊。

第三个要素是 IFS，即英特尔的代⼯服务，英特尔正在⼤⼒承诺向外部半导体业务开放其制造设施。

⽀撑建⽴和产业化⽬标的是英特尔如何执⾏⾃⼰的⼯艺节点开发。

虽然在英特尔最近的 2021 年第三季度财报电话会议中，⾸席执⾏官 Gelsinger 证实，英特尔现在每天⽣产的 10nm 晶圆⽐ 14nm 晶圆多，这标志着两种设计之间的信⼼发⽣转变，但英特尔难以从 14nm ⼯艺过渡到其 10nm ⼯艺已不是什么秘密。

今年 6 ⽉ 29 ⽇，英特尔还表⽰，其下⼀代 10nm 产品需要额外的验证时间，以简化 2022 年在企业系统上的部署。

14nm芯片14nm芯片是一种由英特尔公司开发和制造的微处理器芯片，目前已经广泛应用于计算机、移动设备、物联网和人工智能等领域。

14nm（纳米）指的是芯片制造工艺所用的晶体管尺寸。

纳米是一种衡量尺寸的单位，1纳米相当于十亿分之一米。

14nm芯片相较于之前的制程工艺，拥有更小的晶体管尺寸，意味着更多的晶体管可以被集成在芯片上，从而提升了芯片的性能和功耗表现。

14nm芯片的制造过程中采用了一系列复杂的技术，包括光刻、化学蚀刻和沉积、离子注入、金属化和封装等步骤。

其中，光刻技术是一种通过使用光刻胶和光罩将电路的图案转移到芯片上的制造过程。

化学蚀刻和沉积技术则用于在硅片上构建微小的电路结构和导线。

离子注入技术则用于在晶体管中注入不同类型的离子，以改变晶体管的导电性能。

金属化和封装技术是将芯片连接到外部器件的步骤，使得芯片可以正常工作和交换信息。

14nm芯片相较于之前的制程工艺，带来了许多显著的优势。

首先，14nm芯片相对于较大的制程工艺，拥有更高的集成度，可以在相同尺寸的芯片上容纳更多的晶体管。

这使得芯片可以拥有更强大的计算能力和处理速度。

其次，14nm芯片的功耗表现更好，能够在相同的能源消耗下提供更高的性能。

这对于移动设备和物联网设备等对电池寿命和能源效率要求高的应用非常重要。

此外，14nm芯片还具备更好的散热能力和更高的可靠性，增加了芯片的稳定性和寿命。

14nm芯片在各种应用领域都有广泛的应用。

在计算机领域，14nm芯片被用于制造高性能的中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU），提供卓越的计算能力和图形渲染性能，用于进行复杂的计算和游戏。

在移动设备领域，14nm芯片被用于制造手机和平板电脑的处理器，提供高效的移动计算和多媒体体验。

在物联网领域，14nm芯片被用于制造用于物联网设备和传感器的低功耗芯片，用于连接和控制各种智能设备。

在人工智能领域，14nm芯片被用于制造用于深度学习和机器学习的芯片，提供强大的计算和处理能力。

ap芯片分类
AP芯片（Application Processor）是手机中的主要处理器，负责执行操作系统、用户界面和应用程序。

以下是AP芯片的分类：
1. 按照制造厂家来分，主要有苹果公司的A系列芯片、高通公司的骁龙系列芯片、华为的麒麟系列芯片、三星的Exynos系列芯片等。

2. 按照功能来分，AP芯片可以分为通用处理器（General-Purpose Processor）和专用处理器（Special-Purpose Processor）。

通用处理器强调处理器的通用性，可以执行多种任务，如智能手机中的AP芯片；专用处理器则针对特定任务进行优化，如图像处理、语音识别等。

3. 按照核心数量来分，AP芯片可以分为单核、双核、四核、六核、八核等。

核心数量越多，处理器的性能越强。

4. 按照工艺制程来分，AP芯片可以分为28nm、20nm、14nm、10nm等。

工艺制程越小，处理器的功耗越低，性能越高。

5. 按照指令集来分，AP芯片可以分为ARM架构和x86架构。

ARM架构是一种流行的移动处理器架构，具有低功耗、高性能的特点；x86架构则多用于桌面和服务器领域。

总之，AP芯片的分类方式有多种，不同的分类方式可以更好地理解AP芯片的特点和应用场景。

[三星Exynos,8895处理器详细规格] 联发科x302017年2月23日，三星正式发布了旗下最新的旗舰9系也就是Exynos8895处理器，采用最新的10nm制程工艺，搭载5载波聚合基带，最高支持1Gbps的下载速率，GPU方面使用的是Mali-G71 mp20，性能相当给力。

三星Exynos 8895处理器详细规格三星Exynos9(8895)正式发布：10nm制程，5载波聚合基带三星Exynos8895处理器采用三星最新的10nm制程工艺，拥有更小的核心面积，三星称与14nm相比，CPU性能提升最高可达27%，而功耗则降低40%。

Exynos8895采用三星自主研发的第二代猫鼬架构，八核心处理器包括了四颗M2核心和四个A53核心，第二代猫鼬核心拥有更加强大的性能和更低的功耗，尤其对AI助手和深度学习进行了专门的优化，内存方面支持最新的LPDDR4X。

GPU方面三星Exynos8895采用了最新的Mali-G71架构，核心数达到了20个，也就是Mali-G71 mp20。

据悉和上一代相比性能提升可达60%，不过具体的频率尚没有公布，全新的GPU支持最新的图形API。

而存储方面支持的是eMMC 5.1, UFS 2.1, SD 3.0。

三星Exynos9(8895)正式发布：10nm制程，5载波聚合基带基带方面，三星采用了最新5载波聚合基带，下载为Cat16，速率可达1Gbps，上传为Cat.13，速率为150Mbps。

摄像方面，三星Exynos8895支持前置2800万，后置2800万像素摄像头或者2800万+1600万双摄像头，支持4K@120帧拍摄。

屏幕方面，三星Exynos8895最高支持3840*2400WQUXGA或者4096*2160的4K屏。

安全方面，三星Exynos8895为用户带来的是芯片级安全加密。

三星Exynos9(8895)正式发布：10nm制程，5载波聚合基带这个全新的SOC率先使用在了三月份发布的三星Galaxy S8和Galaxy S8+上面。

logic芯片制程节点技术Logic芯片制程节点技术是计算机芯片制造过程中的一种重要技术。

它主要是指制造芯片所使用的制程节点技术，制程节点技术的发展能够提高芯片的性能表现、尺寸和功耗的控制等方面优化。

在现代计算机技术的发展中，制程节点技术是计算机发展的核心技术之一。

随着技术的不断发展，计算机领域对于功能和性能上的需求也不断提高，而芯片技术的发展也不断地迎合市场需求的变化。

目前主流制程节点技术主要集中在28nm、20nm、14nm、10nm和7nm等五个层次。

28nm是当时主流的集成电路制程，它弥补了22nm节点的缺陷，推出后被广泛应用。

20nm的推出则是为了进一步提高芯片的尺寸、功耗和性能等方面的表现。

14nm则是新一代集成电路制程节点技术的起点，它的出现结果进一步提升芯片表现。

10nm则是现代计算机领域的跨越式发展；7nm则是一个重大的突破，采取新一代台阵技术，实现了更高的电子移动速度。

从28nm到7nm的制程节点技术的变化，主要是核心技术的迭代、改良和集成的不断升级。

制程的精度、衬底和电极的制作都得到了全面的完善和改善。

除此，还有一些其他技术的应用和改进，如Self-Aligned Double Patterning技术、FinFET技术、Extreme-ultraviolet Lithography技术等。

这些技术的应用更是直接影响了芯片的性能表现、尺寸和功耗控制的能力等多方面，如FinFET技术的应用，增加了电流密度，提高了功率密度，这些都能够使芯片获得更高的效能表现。

总的来说，Logic芯片制程节点技术是芯片技术中不可或缺的一部分，是芯片发展不断推进的一个重要驱动力，从28nm到7nm的发展历程证明了其重要性。

未来，在半导体领域，Logic芯片制程节点技术的应用将会越来越广泛，而且还将不断更新和进化。

它在计算机技术发展的路上将起到非常重要的作用。

骁龙芯片性能排行骁龙芯片是高通公司的移动处理器品牌，广泛应用于智能手机、平板电脑和其他设备中。

各代骁龙芯片在性能方面有所不同，下面是一份1000字的骁龙芯片性能排行榜。

1. 骁龙888：骁龙888是高通公司2020年推出的旗舰芯片，采用5nm制程工艺，拥有三个Kryo 680 Cortex-X1超大核心，提供强大的性能表现。

此外，骁龙888还集成了Adreno 660 GPU，支持最高144Hz的屏幕刷新率和8K分辨率视频录制。

2. 骁龙865：骁龙865是2019年推出的旗舰芯片，采用7nm制程工艺，搭载了Kryo 585 Cortex-A77架构的超大核心，性能强劲。

配备的Adreno 650 GPU 提供了卓越的图形处理能力，支持90Hz屏幕刷新率和8K分辨率视频录制。

3. 骁龙855：骁龙855是2018年发布的旗舰芯片，采用了7nm制程工艺，配备了Kryo 485 Cortex-A76架构的超大核心。

这款芯片搭载了Adreno 640 GPU，性能表现出众，能够支持超过60Hz的屏幕刷新率和4K分辨率视频录制。

4. 骁龙845：骁龙845是2017年发布的旗舰芯片，采用了10nm制程工艺，搭载了Kryo 385 Cortex-A75架构的超大核心。

它配备了Adreno 630 GPU，具备强大的图形处理能力，支持30Hz屏幕刷新率和4K分辨率视频录制。

5. 骁龙835：骁龙835是2016年发布的旗舰芯片，采用了10nm制程工艺，搭载了Kryo 280 Cortex-A73架构的超大核心。

这款芯片配备了Adreno 540 GPU，能够支持超过60Hz的屏幕刷新率和4K分辨率视频录制。

6. 骁龙820：骁龙820是2015年发布的旗舰芯片，采用了14nm制程工艺，搭载了Kryo 280 Cortex-A72架构的超大核心。

该芯片配备了Adreno 530 GPU，性能出色，支持60Hz屏幕刷新率和4K分辨率视频录制。

什么是半导体工艺制程，16nm、10nm都代表了什么
随着智能手机的发展，半导体工艺也急速提升，从28nm、16nm、10nm到7nm 这些半导体代工厂们每天争相发布最新的工艺制程，让很多吃瓜群众一脸懵逼不知道有啥用。

半导体行业离我们似乎很遥远，FinFET是什么东西，EUV又是什么新技术，每次看到这种相关的新闻都让我们如同云里雾里，不知所谓。

其实它离我们很近，无论是FinFET还是EUV都是为了完善制程工艺所做的努力。

而一款处理器的性能表现、散热效率、功耗等等都和制程息息相关。

今天，我们来聊聊手机处理器的这些事。

●16nm、10nm，这些数字到底是啥?
说起这个话题，我们要先搞清楚什么是制程。

那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。

其实这些数值所代表的都是一个东西，那就是处理器的蚀刻尺寸，简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。

手机处理器不同于一般的电脑处理器，一部手机中能够给它留下的尺寸是相当有限的。

蚀刻尺寸越小，相同大小的处理器中拥有的计算单元也就越多，性能也就越强。

这也是为何厂商会频繁强调处理器制程的原因。

同时，因为随着频率的提升，处理器所产生的热量也随之提高，而更先进的蚀刻技术另一个重要优点就是可以减小晶体管间电阻，让CPU所需的电压降低，从而使驱动它们所需要的功率也大幅度减小。

所以每一代的新产品不仅是性能大幅度提高，同时还有功耗和发热量的降低。

综合以上，可以发现处理器的制程对于手机十分重要，更高的性能带来更流畅的游戏体验，而一个保持正常温度的机身更是能保证大家拥有一个良好的使用体验。

一次制程的升级，带来了散热效果与计算性能的双重提升。

手机处理器芯片详解（一）文字整理：董海礁 (MCA) 制表：王毅（T echFaith）新浪微博：@Joyce_董海礁 @TF_王毅纰漏之处，欢迎指正 智能手机自面世以来，就迅速掠夺功能手机市场，占据了手机市场的半壁江山。

随着3G网络的爆发，越来越多的消费者开始关注手机的性能，同时手机芯片厂商也开始逐渐走进大众视野。

然而面对国内外众多的芯片厂商以及琳琅满目的处理器型号，再加上一些拗口的复杂命名会让许多大众用户看花了眼，本文将针对这个问题，为大家详细介绍目前国内外主要的手机处理器芯片厂商以及产品命名规则、特性等。

第一章:高通（Qualcomm）高通是目前智能手机普遍采用的芯片厂商之一，高通CPU的特点是性能表现出色，多媒体解析能力强，能根据不同定位的手机，推出为经济型、多媒体型、增强型和融合型四种不同的芯片。

目前，高通已将旗下的手机处理器统一规划为Snapdragon（骁龙）品牌，根据处理器性能和功能定位的不同，又将其由低到高分为S1、S2、S3、S4四个类别。

其中S1针对大众市场的智能手机产品，也就是我们所熟知的千元内智能手机；S2针对高性能的智能手机和平板电脑；S3在S2的基础上对多任务以及游戏方面有更大提升；S4是高通目前最高端，同时性能也最强的处理器系列，其中的双核以及四核产品主要针对下一代的终端产品，包括Windows8平板等。

高通Snapdragon S1：65nm制程 面向低端智能终端高通Snapdragon S1处理器主要是针对大众市场的智能手机，所包括的处理器型号含Snapdragon QSD8x50、MSM7x25、MSM7x27、MSM7x25A和 MSM7x27A系列。

Snapdragon S1采用65nm制程，最高配置1GHz主频和Adreno 200图形处理器。

在这里要说明的是，X为2时代表只支持WCDMA制式，X为6时代表同时支持CDMA和WCDMA制式，这一规则同样适用于高通Snapdragon 其它系列。

半导体中的10nm、20nm、30nm、40nm等指的是半导体的工艺尺寸。

工艺尺寸是指制造半导体芯片时使用的最小线宽。

这个线宽越小，意味着可以在同样大小的芯片上集成更多的电路和元件，从而提高芯片的性能和能效。

以下是半导体工艺尺寸的一些解释：
10nm工艺：10nm工艺是指制造半导体芯片时使用的最小线宽为10纳米。

这种工艺可以在同样大小的芯片上集成更多的电路和元件，从而提高芯片的性能和能效。

目前，10nm工艺已经被广泛应用于高端智能手机、平板电脑、服务器等设备的处理器和显卡中。

20nm工艺：20nm工艺是指制造半导体芯片时使用的最小线宽为20纳米。

这种工艺相对于10nm工艺来说，集成度稍低，但成本也相对较低，因此被广泛应用于中端智能手机、平板电脑等设备的处理器和显卡中。

30nm工艺：30nm工艺是指制造半导体芯片时使用的最小线宽为30纳米。

这种工艺相对于20nm工艺来说，集成度更低，但成本也更低，因此被广泛应用于低端智能手机、电视、机顶盒等设备的处理器和显卡中。

40nm工艺：40nm工艺是指制造半导体芯片时使用的最小线宽为40纳米。

这种工艺相对于30nm工艺来说，集成度更低，但成本也更低，因此被广泛应用于一些对性能要求不高的设备中，如物联网设备、可穿戴设备等。

需要注意的是，随着半导体工艺的不断进步，新的工艺尺寸不断涌现，如7nm、5nm等。

这些新工艺尺寸可以进一步提高芯片的性能和能效，但同时也需要更高的制造成本和技术难度。

因此，在选择半导体产品时，需要根据具体需求和预算来选择合适的工艺尺寸。

28NM、40NM、55NM，从制程谈ARM国字派兵团在硬件领域，“制程”一直以来都是非常敏感的名词，它可能是除去设计以外最重要的因，因此处理器制程技术的每一次更新都会引起大家关注。

现在制程竞争也早已延续到ARM处理器阵营。

如ARM处理器的制程仅仅三四年的时间，芯片间的工艺从55nm到40nm再到28nm，经历让人“心惊肉跳”的三级跳过程。

不过在这个进化过程中，大家往往更多只是认识高通、NVIDIA、三星这样的大佬级人物——这些公司的新一代产品都已经纷纷步入新潮的28nm时代。

其实在这背后有着不少的国内ARM处理器厂商对ARM制程进程起到推波助澜的作用。

只不过无论硬件怎样改变，制造技术怎么升级，国产ARM厂商都要考虑到成本因素和制程技术的成熟程度，这也更得我们更容易从制程技术的层面看清国产ARM阵营的流派。

因此今天，我们将介绍28nm、40nm、55nm这三种nm级制程工艺，以平板电脑芯片方案为例，让大家从中了解当前国字派ARM阵营发展的基本情况。

一、新潮派：28nm制程制程工艺就是通常我们所说的CPU的“制作工艺”，如28nm、40nm就是我们常听到的CPU制作工艺。

我们这样理解，修自行车和修手表是两种对工作精度要求不同的事情，你可以认为修自行车是粗活，而修手表是精细活。

而CPU工艺制程同理，我们可将CPU看成一块电路板，晶体管就如同电路板上“焊”的组件，而处理器厂商就是要将这些“组件”按照他们的设计思路挨个排列。

我们都知道CPU的核心面积比指甲还小，要在面积有限的情况下，容纳更多的“组件”，这工作得有多精细呀，所以就有了CPU工艺制程的说法。

目前ARM处理器领域，最新的技术是28nm工艺制程，它能将晶体管“制”得更细，自然而然就能在有限的核心面积上集成更多的晶体管，从而达到性能更强、功能更强的目的。

不过，相对于X86 CPU领域，ARM处理器方面的制程要相对混乱一些。

除了三星产品直接采用自家的28nm生产线生产Exynos 5处理器外，其它品牌的28nm ARM处理器生产都是采用代工模式——包工头就是大名鼎鼎的台积电。

经常能听到有人争论40nm工艺、28nm工艺哪个好，那么这个多少nm指得是什么呢？它指的是mos管在硅片上的大小，mos管就是晶体管，它是组成芯片的最小单位，一个与非门需要4个mos管组成，一般一个ARM四核芯片上有5亿个左右的mos管。

世界上第一台计算机用个是真空管，效果和mos管一样，但是真空管的大小有两个拇指大，而现在最先进工艺蚀刻的mos管只有7nm大。

说到这里，大家一定和我一样，非常好奇如何在一个15mm*15mm的正方形硅片上制作出5亿个大小仅为40nm的mos管。

如果要用机械的方法完成这一过程，世界上很难有这么精密的仪器，可以雕刻出nm级的mos管，就算有，要雕刻出5亿个，所需要的成本、时间也是难以估计的。

借助光可以在硅片上蚀刻下痕迹，掩膜就可以控制硅片上哪些部分会被蚀刻。

掩膜覆盖的地方，光照不到，硅片不会被蚀刻。

硅片被蚀刻后，再涂上氧化层和金属层，再蚀刻，反复多次，硅片就制造好了。

一般来说，制作硅片需要蚀刻十几次，每次用的工艺、掩膜都不一样。

几次蚀刻之间，蚀刻的位置可能会有偏差，如果偏差过大，出来的芯片就不能用了，偏差需要控制在几个nm以内才能保证良品率，所以说制作硅片用的技术是人类目前发明的最精密的技术。

芯片可以靠掩膜蚀刻，批量生产，但是掩膜必须用更高精度的机器慢慢加工制作，成本非常高，一块掩膜造价十万美元。

制造一颗芯片需要十几块不同的掩膜，所以芯片制造初期投入非常大，动辄几百万美元。

芯片试生产过程，叫做流片，流片也需要掩膜，投入很大，流片之前，谁都不知道芯片设计是否成功，有可能流片多次不成功。

所以国内能做高端芯片的公司真没几家，光是掩膜成本就没几个公司支付得起。

芯片量产后，成本相对来说就比较低了，好的掩膜非常大，直径30厘米，可以同时生产上百块芯片。

芯片如果出货量很大，利润还是非常高的，像英特尔的芯片，卖1000多一块，可能平均制造成本100不到。

但如果出货量很少，那芯片平均制造成本就高得吓人，几百万美元打水漂是很正常的。

CPU的架构和工艺四十多年前，Intel的创始人戈登摩尔（Gordon Moore）通过长期的对比，研究后发现：CPU 中的部件（我们现在所说的晶体管）在不断增加，其价格也在不断下降。

“随着单位成本的降低以及单个集成电路集成的晶体管数量的增加；到1975年，从经济学来分析，单个集成电路应该集成65000个晶体管。

”Intel此后几年的发展都被摩尔提前算在了纸上，使人们大为惊奇，“摩尔定律”也名声大振。

为了让人们更直观地了解摩尔定律，摩尔及其同事总结出一句极为精练的公式“集成电路所包含的晶体管每18个月就会翻一番”。

从摩尔定律之诞生后，芯片产业有了前进的方向：为了不断提升性能，工程师要做的是不断向芯片中添加足够多的晶体管。

但这个方向很快就受到了挑战，Intel在70年代末就发现摩尔定律的预测偏离了实际，并做出了少许修改。

其实摩尔定律起初只是简单观察的结果，不过却由Intel不断扩充和执行下以及成为他们最喜欢的方式，同时也是这家技术水平高、生产潜力大的企业的最有利可图的模式。

在2003年ISSCC大会上，摩尔本人就指出了摩尔定律中的另一个错误，即晶圆尺寸的发展并没有按照摩尔定律预测在2003年发展到53英寸，现在只发展到12英寸（300mm）。

2003年摩尔本人提出对摩尔定律质疑的主要原因，就是半导体生产工艺在0.18mm后漏电率快速上升，到0.13mm后更为严重。

漏电率快速上升现象的出现，使得90nm、65nm及以后的半导体生产工艺、尤其是需要高速运行的CPU生产工艺面临严峻挑战。

摩尔定律在拉动着芯片产业飞奔的同时，在现实中的表现也常常让人们担心。

国际半导体技术蓝图机构(ITRS)为IC组件的发展起草了一份雄心勃勃的发展规划，同时也提出警告，晶体管数目的增长速度显著快于设计能力的提高速度。

不过，ITRS认为在设计技术之外，设计成本才是对半导体技术可持续发展的最大威胁，并导致设计和生产力之间产生鸿沟。