LED芯片制程工艺培训

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芯片工艺培训

芯片切割
芯片切割两种方法：
金刚刀切割激光切割
17
德豪润达光电科技有限公司
芯片切割
18
德豪润达光电科技有限公司
测试与分拣
芯片的光电参数： 1、芯片测试 2、芯片分选其中LED芯片测试机对芯片光电参数的一致性起着主要作用，分选机的性能及使用方式也会部分地影响到芯片光电参数的一致性。
19
德豪润达光电科技有限公司
LED 芯片基础知识
刘娉娉
2010-7-19
1
LED及其应用
LED （Light Emitting Diode）是靠电子和空穴的复合,将电能转换成光能的半导体器件。 LED具有寿命长、可靠性高、体积小、功耗低、响应速度快、易于调制和集成等优点。 LED可应用于彩灯、交通灯、数码管、显示屏、手机和笔记本电脑背光源等。
产品生产（制造）成本计算，就是将企业生产过程中位制造产品所发生的各种费用，按照所生产产品的品种（即成本计算对象）进行分配和归集，计算各种产品的总成本和单位成本。
节约成本的方法：
1、提高生产效率，提高产量 2、优化工艺步骤，减少单位原材料损耗 3、原材料的国产化、本地化
25
德豪润达光电科技有限公司
湿法腐蚀
9
德豪润达光电科技有限公司
Mesa干法蚀刻
N-GaN
10
干法蚀刻
蓝宝石衬底不导电，露出部分N-GaN ICP干法蚀刻：影响因素：气体、流量、比例、压力、时间；参数：蚀刻深度、表面状况
德豪润达光电科技有限公司
P、N电极蒸镀
PN电极
undercut 光刻图形
11
•PN打线盘 •N型欧姆接触电极 •金属蒸镀参数：蒸发源纯度、真空度、蒸发速率黏附性、欧姆接触

LED封装培训资料(看封装制程_有图片)

LED电流与亮度关系
LED在可使用的电流范围内﹐发光亮度随着电流的增加而增强
LED电流与温度关系
LED在特定的电流下可承受的环境温度
温度对LED的影响
随着温度的升高，led光强会衰减，波长会变长，电压会下降在超高亮度和功率型LED器件及阵列组件中，不合理的结构设计将导致P/N结的温度升
SMD吸嘴选择
客户在 SMT 时直径尽量选择比 LED（胶体）发光面大的吸嘴防止吸嘴下压高度设置的不当造成对 LED 内部金线的损坏
吸嘴高度：在正面发光二极管 SMT 时吸嘴下压高度是引响 LED 质量的直接因素，因吸嘴下压太深会压迫 LED 胶体导至内部金线变形或断裂，造成 LED 不亮或闪烁﹔LED的焊盘同PCB焊盘刚好接触最好
LED优点
寿命长，一般大于10万小时功耗小，亮度高，可与集成电路匹配体积小，重量轻，可封装成各种类型的显示器坚固耐用，不怕震动多色显示，可实现彩色显示工作温度稳定性好响应时间快，一般为毫微秒(ns)级冷光，不是热光源当与光电晶体结合时可以作为低噪音光开关电压低，可以用太阳能电池作电源，并易与集成电路相匹配
LED在多颗使用时要求发光亮度及颜色的一致性﹐因此对于驱动方式及驱动条件要充分了解﹐正常的条件下我司保証20MA（LAMP部分的材料）或是30mA(食人鱼部分)分光的颜色和亮度的一致性
要获得均匀的亮度和颜色﹐贵司使用电流请与我司分光电流条件一致﹐使用时避免多包混用﹐以免造成电性﹑亮度﹐颜色的差异
﹐60秒以内进行说明︰焊接温度或时间控制不当可能引起灯体的透镜变形或者灯芯内部开路导致死灯
SMD焊接条件
人工焊接 1、烙铁及锡丝选择：建议使用 25-30W 的烙铁或者调温烙铁及选用<0.5mm的锡丝 2、温度调整：根据不同的 PCB 板将温度调整到 280-350℃ 3、焊接时间：整个焊接时问控制在3-5 S，在焊接过程中因胶体处在高温情况下，不可按压胶体，不可给LED引脚施加压力让锡丝自然溶化与引脚结合

LED基础知识培训(芯片)

LED基础知识培训
二、外延片

外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。一般外延层厚度为2-20微米，作为衬底的单晶硅片厚度为610微米左右。外延工艺：外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺，常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中，也可采用红外辐照加热。为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展：减压外延、低温外延、选择外延、抑制外延和分子束外延等。外延生长可分为多种，按照衬底和外延层的化学成分不同，可分为同质外延和异质外延；按照反应机理可分为利用化学反应的外延生长和利用物理反应的外延生长；按生长过程中的相变方式可分为气相外延、液相外延和固相外延等。

LED基础知识培训
三、LED外延片工艺流程如下：

衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级重点设备：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于 GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。

led培训计划方案(2篇)

第1篇一、前言随着科技的飞速发展，LED照明产品在我国市场得到了广泛的应用。

为了提高我国LED行业的技术水平和人才素质，满足市场需求，特制定本LED培训计划方案。

本方案旨在通过系统的培训，提升LED从业人员的专业技能，促进我国LED产业的发展。

二、培训目标1. 提高LED从业人员的专业技能和综合素质；2. 培养一批具备LED设计、研发、生产、销售、售后服务等能力的专业人才；3. 促进LED产业链的协同发展，推动我国LED产业的转型升级。

三、培训对象1. LED行业从业人员；2. 对LED行业感兴趣的人员；3. 大专院校、职业学校等相关专业学生。

四、培训内容1. LED基础知识（1）LED行业概述（2）LED原理及特性（3）LED材料与器件（4）LED应用领域2. LED设计（1）LED电路设计（2）LED驱动电路设计（3）LED散热设计（4）LED照明设计3. LED制造工艺（1）LED芯片制备（2）LED封装工艺（3）LED器件制造（4）LED产品组装4. LED测试与检测（1）LED器件测试（2）LED产品测试（3）LED照明性能检测（4）LED节能性能检测5. LED销售与售后服务（1）LED产品市场分析（2）LED销售技巧（3）LED售后服务体系（4）LED客户关系管理6. LED行业发展趋势（1）LED产业政策及法规（2）LED市场前景分析（3）LED技术创新趋势（4）LED产业链发展动态五、培训方式1. 理论培训：邀请行业专家、学者进行授课，讲解LED相关知识；2. 实践操作：组织学员进行实际操作，提高学员的动手能力；3. 案例分析：分析实际案例，帮助学员更好地理解理论知识；4. 交流互动：组织学员进行交流互动，分享经验，提高学员的综合素质。

六、培训时间与地点1. 培训时间：每月举办一期，每期培训时间为10天；2. 培训地点：我国LED产业基地或相关培训机构。

七、培训师资1. 邀请国内知名LED企业技术专家、教授担任主讲教师；2. 邀请具有丰富实践经验的工程师进行现场指导；3. 组建一支专业的培训团队，为学员提供全方位的培训服务。

LED芯片制程_五邑大学课件

2019/12/5
系列讲座-LED
2、发光二极管的基本结构
球透镜
P层
环氧树脂
有源层
L
N层
发光区
(a)正面发光型
N型限制层
有源层
P型限制层
波导层
微透镜
(b)侧面发光型
2019/12/5
系列讲座-LED
3、发光二极管的工作特性-光谱特性
相
Δ λ =70nm
对
光
强
1300
波长/nm
发光二极管发射的是自发辐射光，没有光学谐振腔对
Ve
( Thomas Swan)
E)
NH 3
TM G
Hor izontalQuar t z F)
TMG NH
3
Principle of MOCVD H 2
gas blending
reactor
scrubbing system
H , N P=10-200 mbar 22
TMGa, AsH 3
Ga (CH ) + AsH
2019/12/5
系列讲座-LED
MOCVD反應原理
• MOCVD内部反应过程 Ⅲ 族的(CH3)3Ga TMGa (三甲基镓) 、(CH3)3In TMIn (三
甲基铟)等，与Ⅴ族特殊气体如：AsH3 (arsine) 砷化氢、 PH3 (phosphine)磷化氢、NH3等，通过特殊载体气流送到高温的GaAs晶片、人造蓝宝石等晶片上，在Reactor反应器內的高温下，這些材料发生化学反应，並使反应物沉积在晶片上，而得到磊晶片上形成一层半导体结晶膜，这样就能做成半导体发光材料，如发光二极管等
• 长有外延层的GaN片也就是常称的外延片，长完外延片，接下来就在外延片做测试，符合要求的就是良品，其余为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。这样就完成了LED产业链条的上游部分。

LED芯片制造工艺基础培训

身边的LED
LED种类
LED构造
认识制造二部
去胶、清洗、湿法腐蚀
化学站
产品光电参数、外观、打线、推力、热膜等测试
综合测试
合格品
研磨
（制造三部）
综合站
黄光站
薄膜、干刻、熔合
在外延片表面形成指定图形的光刻胶保护膜
LED芯片制程简表
前处理综合站黄光站 3Mesa光刻 Mesa工艺 ITO工艺 6ITO蒸镀 7ITO光刻 10 P/N Pad光刻 P/N Pad工艺 SiO2工艺 14SiO2沉积 15光刻SiO2 检测 18电性 19打线 20推力 21拉膜 22外观
前处理综合站黄光站化学站综合站 1去铟球
Mesa工艺
ITO工艺
P/N Pad工艺
SiO2工艺
检测
化学站
2外延清洗
为了确保ITO薄膜与外延片的充分接触，在镀膜前需要进行铟球剔除与一系列的清洗作业（1）ITO蚀刻液去除铟球（2）511具有极强的氧化性，能够有效去除外延表面的有机杂质与金属离子（3）稀HCl外延表面去除金属离子
PR
PR
前处理综合站黄光站化学站综合站 1去铟球
Mesa工艺 3Mesa光刻 4Mesa刻蚀
ITO工艺 6ITO蒸镀 7ITO光刻 8ITO蚀刻、去胶 9ITO熔合
P/N Pad工艺 10 P/N Pad光刻 11Plasma清洗 12 P/N Pad蒸镀
SiO2工艺
检测
化学站
2外延清洗
5去胶、清洗
P/N Pad工艺 10 P/N Pad光刻 11Plasma清洗 12 P/N Pad蒸镀
SiO2工艺 14SiO2沉积 15光刻SiO2 16 SiO2蚀刻、去胶

LED制程相关知识培训

四、固晶
4.5 固晶常见不良：
覆晶（双晶）
银胶过少
银胶过多
产线胶量控制：单电极需要三面包胶，不小于1/5晶片高度，不高于1/3高度双电极需要底部沾胶，不可有空洞，不高于2/3晶片高度检验手法：1、外观如上述检验描述规范之内 2、固晶短烤后晶片推力大于80g
银胶过少
四、固晶
晶片沾胶
固晶偏移（歪斜）
＋
－
晶片固反
晶片固反
漏固
固晶固反判断：1、检查固晶方向与制规是否相同 2、晶片正极（圆形pad）是否对应PCB正极
五、焊线
5.1 焊线准备 5.1.1 电浆清洗（使用镂空料盒）：主要作用为电离子与板材表面部分电解质进行反应，使金线更好的直接与板材接触。 5.1.2 金线准备 5.2 焊线作业注意事项 5.2.1 第一焊点位置，必须100%在电极范围内； 5.2.2 第二焊点位置（鱼尾），必须在焊线区域，不得超出胶体覆盖区域 5.2.3 鱼尾大小（大于2.5倍线径，小于4倍线径） 5.2.4 线弧高度（小于晶片高度）

固晶胶的区分：按导电性分导电胶：银胶，如本诺8280 不导电胶：绝缘胶（环氧型/硅胶型），如DT208、KER3000
4.导线：用来连接晶片电极与底板，使其相连按照导线的材质进行区分：金线、合金线、银线、镀钯铜线、铝线我们公司主要使用的导线厂商有：贺利氏、佳博、伟创等
三、LED相关原物料
十一、包装
放位不正
料带刮伤
放位不正
静电粘料
静电粘料
产品破损
混料（颜色）
十一、包装
6.2 点胶准备：配胶
配胶需要将A胶、B胶、荧光粉按制规要求的比例进行混合，搅拌均匀，并将气泡排除。 6.3 点胶注意事项： 6.3.1 未点支架需要放置在加热台上进行预热，防止支架内有湿气进入，影响品质； 6.3.2 支架摆放的方向：支架的方向对点胶的品质同样有影响，部分不对称的支架必须保持方向一致； 6.3.3 点白光产品时应在点胶完成后的1小时内进烤，防止荧光粉沉淀影响测试参数； 6.3.4 点胶站湿度不得超过50%，防止硅胶吸湿。 6.4 点胶烘烤 6.3.5 点胶后的产品需进行烘烤，根据胶的种类不同，烘烤条件也不同

【精品】LED晶片、芯片及制造工艺流程PPT课件

芯片晶粒种类表
晶粒种类类别颜色波长结构
红
高亮度红橙高亮度橙
645nm~655nm
630nm~645nm 605nm~622nm
AlGaAs/GaAs
AlGaInP/GaAs GaAsP/GaP AlGaInP/GaAs
黄
可见光高亮度黄黄绿高亮度黄绿
585nm~600nm
GaAsP/GaP
芯片按组成元素可分为：
☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等；
☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色 GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等；
☆ 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、 UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。
Chip Size： 14mil×14mil±0.5mil Emitting Area： 12mil×12mil±0.5mil Bonding Pad : 3.8mil±0.5mil Chip Thickness： 7mil±0.5mil Electrode material ：Au 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Cathode N-Cladding CART MQW* P-Cladding Transparent layer Reflective layer Substrate Anode

LED芯片制造的工艺流程课件

长寿命
LED芯片的使用寿命长，可达到数万小时，减少了更换灯具的频
率和维护成本。
多样化设计
LED芯片可以制作成各种形状和大小，方便应用于各种照明场景，
满足不同的设计需求。
显示领域
高亮度
LED芯片能够产生高亮度，使得显示屏幕在强光下也能清晰可见。
色彩鲜艳
LED芯片可以发出多种颜色的光，使得显示屏幕能够呈现更加鲜艳和真实的色彩。
详细描述
封装与测试阶段包括将LED芯片粘贴到散热基板上，然后进行必要的焊接和引脚连接。最后进行性能测试，如亮度、色温、稳定性等，以确保产品符合规格要求。这一阶段也是对前面工艺流程质量的最终检验。
03
LED芯片制造的关键技术
MOCVD技术
MOCVD技术是制造LED芯片的核心技术之一，它通过将金属有机物和气相化合物输送到反应室内，在衬底表面进行化学反应，形成所需的薄膜。
可靠性和稳定性。
改进封装工艺
02
通过改进封装工艺，降低封装成本，提高产品的质量和一致性。
强化测试环节
03
对外延片、芯片、封装品等各个阶段进行严格的质量检测和控
制，确保产品的性能和质量。
05
LED芯片制造的应用与前景
照明领域
节能环保
LED芯片具有高效节能和环保的特点，能够替代传统照明灯具，降低能源消耗和减少环境污染。
LED芯片的特点
LED芯片具有高效、节能、环保、寿命长等优点，广泛应用于照明、显示、指示等领域。
LED芯片制造的重要性
推动产业发展
满足市场需求
LED芯片制造是LED产业的核心环节，其技术水平和产能直接决定了整个 LED产业的发展水平。
随着人们对LED照明和显示需求的增加，LED芯片制造能够满足市场对高效、节能、环保照明产品的需求。

LED生产培训资料

产品寿命测试：通过加速寿命测试等方法，评估LED应用产品的使用寿命，以确保其满
足客户要求。
LED应用产品是LED产业链的终端环节，以下是质量控制关键点
产品性能测试：进行性能测试，如工作电压、电流、亮度、色温等，确保其符合设计要求和客户标准。
05
LED生产安全防护
LED生产现场安全规定
进入生产现场必须按规定穿戴劳动保护用品，包括但不限于安全帽、防护眼镜、工作服等。
操作方法及注意事项。
LED检测技能
培训学员掌握LED产品的各项检测技能，包括外观检查、电性能测试、可靠性试验等。
LED维修与保养
教授LED产品的维修方法，包括更换部件、调整参数等，同时介绍了 LED产品的日常保养与维护技巧。
LED生产故障排除与维护培训
LED故障诊断
01
介绍常见的LED故障现象及诊断方法，帮助学员快速定位并解
操作过程中，必须严格遵守操作规程，不得随意更改设备参数和操作程序。
设备出现故障或异常情况时，必须立即停机并报告相关人员进行处理。
LED生产过程中的危险源和应对措施
高温及热辐射
LED生产过程中，高温及热辐射可能对操作人员造成伤害。应对措施包括合理安排作业时间，避免长时间暴露在高温环境下，同时加强通风设施，降低室内温度。
LED应用产品制造设备包括LED 显示屏、LED照明等产品的制
造设备。
LED显示屏制造设备涉及模组组装、箱体组装、控制系统组
装等环节。
LED照明产品制造设备涉及散热器加工、灯罩加工、灯具组
装等环节。
04
LED生产质量控制
LED芯片质量控制
芯片质量对LED产品的性能至关重要，以下是关键控制点

led的工艺培训教材

LED封装工艺一.LED封装流程二.LED原材料介绍1.芯片我司生产用芯片按发光颜色分可分为红光、黄光、绿光、蓝光芯片，按电极可分双极和单极芯片。

芯片的结构图2.我司目前固晶胶分为两种，银胶，84-1LM适用于小功率红光、黄光（单极）芯片；HD20A/B 胶适用于大功率。

另一种为绝缘胶F1000，适用于蓝光、绿光（双极）芯片的固晶。

3.支架我司目前使用的支架主要有LAMP：2002N2，2002A5-1 ，2004-1，2002A7，2002-1，2002-2，2003S11，2003D11等，贴片：3528，3020，5050K，5050N，5050M等。

大功率：1619-1272AWGM4-3027（有杯折弯），1619-1272AWGM4-3027（有杯不折弯），1619-1274AWGW6-T18D等4.荧光粉我司目前使用的荧光粉主要有5.环氧树脂我司目前使用的环氧树脂有HD-3747A/B胶和胶800A/B-9三.各站工艺注意事项1．固晶站注意事项：固晶胶1）．保存：84-1LM与F1000刚请购回来的瓶装胶水放置冰箱中冷藏。

（-20℃保存六个月），一瓶胶水回温次数不可超过四次。

HD-20A/B胶保存条件：瓶装胶水在A/B没有胶混合前放常温下贮藏有效期为半年。

HD-20A/B使用前先按1：1比例进行混合充分搅拌，用小针筒分装出来的胶量一次为整瓶胶量的四分之一左右，这样一瓶胶水就刚好回温四次。

小针筒分装出来的胶水用防静电袋抽真空包装。

避免空气进入里面。

放入冰箱中0-5℃中保存，用小针筒分装出来的胶水使用期限不可超过15天，超过15天必须上报主管以上人员，待工程人员评估后方可作业。

2）．解冻方式：放常温中回温解冻。

3）．解冻时间30min以上。

解冻过程中不打开瓶装盖子，避免水珠掉入，打开盖子之前必须将瓶子表面的水珠擦拭干净。

4）．搅拌：84-1LM与F1000瓶装胶水使用前要充分搅拌，使胶水充分混合均匀。

40_LED芯片制程工艺培训课件

SIO2
Al2O3(430um)
2023/11/16
SIO2 SIO2 ITO
P-GaN AlGaN
MQW
SI02 SI02 ITO
n-GaN GaN缓冲层
SI02 n-GaN
24
8.5 SIO2光刻 –腐蚀
设备:清洗机台工艺参数：浸泡BOE 60s 冲水甩干
光刻胶 SIO2 ITO P-GaN AlGaN MQW
MQW
Cr/Pt/Au
光刻胶 SI02 ITO
n-GaN GaN缓冲层
SI02
SI02 n-GaN
26
10、金属剥离
设备:清洗机工艺参数：丙酮超声3min，晾干后蓝膜拉，85度去胶液①泡10min，80度去胶液②泡10min，冲水，甩干，过氧10min
光刻胶 SIO2 ITO P-GaN AlGaN MQW
AlG良aN现象，所以对版后需
要
AlGaN MQW
4、显影MQ液W 温度和更换频率也会影响显影，故亦需进行监控……
n-GaN
n-GaN
GaN缓冲层
GaN缓冲层
Al2O3(430um)
2023/11/16
11
3.2 ITO光刻-曝光
设备：尼康曝光机25s、ABM曝光机15s 工艺：手动曝光：光刻版：LP-0709A-2E
AlGaN
MQW
n-GaN GaN缓冲层
15
5、ITO合金
设备：聚智合金退火炉 P001上管工艺：560度合金20min（543/550/576）N2流量开（同ITO BK7玻璃一起合金）注意项：合金操作时不能用橡胶手套，防止因温度过高使橡胶手套熔化而污染；合金时合金炉内测温为550℃，氧气和氮气流量是否符合要求（PV值是否达到SV值）。

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SiO2腐蚀
P/N电极蒸镀
金属剥离
ITO腐蚀去胶、清洗
COW测试
ITO合金
研磨（减薄、抛光）
N光刻（甩胶、曝光、显影）
划片、裂片
ICP刻蚀去胶、清洗
手选
SiO2沉积
点测
SiO2光刻（甩胶、曝光、显影）
中游成品
下游封装
2019/4/1
1、外延片的认识
公司采用的外延衬底片分2种：平面衬底、PSS衬底外延片的区别方式：平面外延片目测比较透，PSS目测颜色偏深平面外延片号后缀-BF，PSS的后缀-PF
光刻胶 3、对版容易出现失误，导致对偏、破胶、显影不干净等不良现象，所以对版后需要 ITO P-GaN 进行仔细检验AlGaN ; 光刻胶 ITO P-GaN AlGaN MQW
4、显影液温度和更换频率也会影响显影，故亦需进行监控……
n-GaN n-GaN GaN缓冲层 GaN缓冲层
MQW
Al2O3(430um)
半导体介绍： P型空穴 N型电子 PN结厚度约为10-7 m
+ 一
供体硅
光发射的电子跃迁 E=
+ + + +
一一一一
载流子 P N
hγ= h ——
c
通电后，电子、空穴复合发光 λ跟材料有关系能带工程，大原子结合能带小如InSn、GaP、GaAs 小原子结合能带大如GaN、AlGaN
2019/4/1
蓝宝石产品介绍
LP产品及工艺版本
产品类型 LP-TS0709B1 LP-TS0709B1 LP-TP0709B2 LP-TS1213B1 LP-TP1213B1 LP-TP1023B1 LP-TP1023B2 LP-TP1023B3 生产类型对应代码产品及工艺外延版本 A1 A2 A3 C1 C2 D1 D2 D3 生产批 C 尺寸 7*9 7*9 7*9 12*13 12*13 10*23 10*23 10*23 工程批 G 外延类型（平面 /PSS）平面衬底平面衬底 PSS程序 PSS衬底平面衬底 PSS衬底 PSS衬底 PSS衬底 PSS衬底例试批 L 工艺类型颜色蓝色蓝色蓝色蓝色蓝色蓝色蓝色蓝色 mesa 无柱子无柱子无柱子 5um柱子无柱子无柱子无柱子无柱子焊盘金属钝化 AU AU AU AU AU AU AU AU SIO2 SIO2 SIO2 SIO2 SIO2 SIO2 SIO2 SIO2 其他 / / / / / 互补正切腐蚀隐形切割次品批 D
P-GaN AlGaN P-GaN AlGaN应力释反晶格层（防止高温应力损坏） MQW-发光层 MQW
n-GaN GaN缓冲层
n-GaN GaN缓冲层
Al2O3(430um)
2019/4/1
2、ITO蒸镀
设备：富临蒸发台
p-GaN(Mg) 0.3
m
m
p-AlGaN(Mg) 0.02-0.15 InGaN MQW
外延工程批芯片实验批外延研发批验证批 W S R Y
2019/4/1
PSS蓝宝石衬底图片
2019/4/1
主要产品图像展示
7*9 10*23 12*13
1、尺寸大小不同
光刻版的选择
图片解析
2、图形不同
1023多一层互补SIO2
2019/4/1
芯片结构
SIO2圈
俯视图一
ITO圈 P电极
沟槽
N电极上：SIO2 下：N-GaN
工艺：真空度：3.0e-6Torr，温度310℃，005程序，蒸镀时每个行星盘搭蒸1片BK7
测试参数：BK7玻璃T%＞90%，方块RS＜10欧姆
ITO铟锡氧化物 P-GaN AlGaN MQW
ITO P-GaN AlGaN MQW
n-GaN n-GaN GaN缓冲层 GaN缓冲层
Al2O3(430um)
蓝宝石工艺制程培训资料
2019/4/1
LED：Light Emitting Diode的简称，即发光二极管，是一种将电转化为可见光的物质，其核心是PN结，当P区的空穴和N区的电子复合，将多余的电势能以辐射光子的形式释放出来。 LED芯片分二元，三元，四元芯片的主要是看：所用的材料里含几种元素两个元素，称二元片（GaP磷化镓）, 三个元素称三元片（GaAlAs 镓铝砷），四个元素称四元片（ InGaAsP 磷化铝铟镓），现目前LED主要使用四元片
2019/4/1
3.2 ITO光刻-曝光
设备：尼康曝光机25s、ABM曝光机15s 工艺：手动曝光：光刻版：LP-0709A-2E
自动曝光：光刻版：LP-LBS-0709C-2A-1010 ，坚膜110 ℃ 10min
光刻胶光刻胶（感光胶体） ITO P-GaN AlGaN MQW
光刻胶 ITO P-GaN AlGaN MQW
2019/4/1
3、ITO光刻-甩胶
设备：甩胶机烘箱工艺：手动甩胶：正胶、前烘 100 ℃ 20min 自动甩胶：粘胶剂、正胶、前烘 100 ℃ 20min
p-GaN(Mg) 0.3
m
m
p-AlGaN(Mg) 0.02-0.15 InGaN MQW
注意项：1、光刻需注意甩胶时外延片与甩胶头之间不能偏移太多，否则会导致光刻胶甩不均匀，直接影响曝光显影； 2、前烘温度时间一定要控制好，不能变化，否则会导致光刻胶太软或太硬，影响曝光显影；
ITO铟锡氧化物半导体透明导电膜扩流层
P-GaN
俯视图二
SIO2 ITO
SI02氧化硅 ITO铟锡氧化物 P-GaN AlGaN MQW量子阱
互补 SIO2层 n-GaN
GaN缓冲层
SI02 n-GaN
SI02
互补SIO2层
切面图三
2019/4/1
7*9制程工பைடு நூலகம்流程
外延片清洗
ITO蒸镀外延片清洗 ITO光刻（甩胶、曝光、显影）
n-GaN n-GaN GaN缓冲层 GaN缓冲层
Al2O3(430um)
2019/4/1
3.3 ITO光刻-显影
工艺：90s，每次只显25片
平面外延片500倍正常表面 PSS外延片500倍正常表面
蓝宝石目测体
平面外延片镜检下无图形，PSS于500倍下有图形
蓝宝石基板 Al2O3(430um)
2019/4/1
1、外延片清洗
设备：清洗机台甩干机超声器工艺：丙酮超声5min，无水乙醇超声2min，冲DI水，BOE泡5min，冲水甩干目的：杂质会影响光刻及镀膜等工艺的质量，导致显影不良或接触不牢。