集成电路工艺制程1

集成电路工艺制程介绍1
集成电路工艺制程介绍1
可以从集成电路工艺流程、设备制造、封装测试等方面进行介绍，涵
盖每一道工艺
摘要
今天，集成电路（IC）是工业界最先进和最重要的技术之一、它可以
在许多领域，如电子，汽车，航空，医疗设备，消费类电子，家用电器，
军事，服务器和数据中心等提供灵活，可靠的集成解决方案。

然而，为了
制造出高质量的集成电路，必须确保各个工艺环节的高质量和可靠性。

因此，本文将系统地介绍集成电路（IC）的制造过程，包括IC的工艺流程，设备制造，封装测试等步骤，使读者能够全面了解集成电路制造工艺。

关键词：集成电路（IC）；工艺流程；设备制造；封装测试
Introduction
今天，集成电路（IC）是工业界最先进和最重要的技术之一、它可以
在许多领域，如电子，汽车，航空，医疗设备，消费类电子，家用电器，
军事，服务器和数据中心等提供灵活，可靠的集成解决方案。

集成电路有
三个基本部分：芯片，封装和封装外壳。

由于集成电路有着如此高的可靠性，所以它对当今社会的商业，工业，军事和日常生活发挥着不可或缺的
作用。

IC Manufacturing Process。

集成电路工艺流程1 光刻工艺流程1.1 光刻前准备光刻前准备主要包括三个部分：模板准备、洗片准备、光刻胶准备，以下介绍各个部分的准备：（1）模板准备：在确定好电路设计的图纸后，首先把图纸给光刻模板工序，由工艺师对给定的模板进行适当的调整，确保模板上的每个线宽精度与电路图纸相符。

（2）洗片准备：这一步是洗片电路前的准备工序，根据集成电路的不同，有不同的洗片流程，为保证集成电路后续工步的品质，在洗片的物理性能上要有较高的要求，在溶液的洗片中，要求洗片工艺到位，洗片时间要精确，洗片液不能有杂质，质量要稳定，特别是洗片液和洗片时间的选择要适当。

（3）光刻胶准备：光刻胶涉及到光刻料及曝光系统，特别是光刻料要求高，不同型号的光刻料的性能差异较大，所以要求采用正确型号的光刻料，选择性能稳定的光刻料。

1.2 光刻工艺流程（1）模板清洗：模板清洗主要是指洗涤模板，模板清洗时要选择合适的清洗剂，并用规定的时间进行清洗，以保证模板的清洁度，并及时进行润滑，以保证模板的耐用度，防止模板划伤。

（2）洗片：洗片分为新片洗片和再洗片，新片洗片要注意去除隐藏性杂质，并将原料珊瑚片清洗干净。

再洗片时要求去除上一步残留的杂质和外界污染物，保证集成电路元件的耐用性，再洗片也可以用来清洗模板。

（3）蒸汽消毒：蒸汽消毒要求使用洁净蒸汽，以防止杂质和微生物污染，确保集成电路的质量。

（4）光刻制程：光刻制程要求在图案和图形绘制操作之前，要经过模板检测，以保证模板的质量，其次要核对图纸和模板，并进行曝光时间设定，最后要进行曝光机操作，以及检查曝光图案的质量，确保曝光结果的完美。

（5）洗涤：洗涤是指精确洗涤光刻后的集成电路图案，可以去除曝光过程中残留的光刻胶，确保电路图案的光洁度和精细度。

此外，还可以使用高级的洗涤工艺，如超声波洗涤、活性弱酸洗涤、高纯水洗涤等，以满足特殊的应用要求。

集成电路制造工艺流程概述集成电路（Integrated Circuit, IC）是由几千个甚至是数十亿个离散电子元件，如晶体管、电容、电阻等构成的电路，在特定的芯片上进行集成制造。

IC制造工艺流程主要包括晶圆制备、晶圆加工、芯片制造、封装测试等几个环节，是一个非常严谨、复杂的过程。

晶圆制备晶圆制备是IC制造的第一步。

晶圆是用硅单晶或其他半导体材料制成的薄片，作为IC芯片的基础材料。

以下是晶圆制备的流程：1.单晶生长：使用气态物质的沉积和结晶方法，使单晶硅的原料在加热、冷却的过程中逐渐成为一整块的单晶硅材料。

2.切片：将生长好的单晶硅棒利用切割机械进行切片，制成形状规整的圆片，称为晶圆。

3.抛光：将晶圆表面进行机械研磨和高温氧化处理，使表面达到极高的光滑度。

4.清洗：用去离子水等高纯度溶剂进行清洗，清除晶圆表面的污染物，确保晶圆的纯度和光洁度。

晶圆加工晶圆加工是IC制造的关键环节之一，也是最为复杂的过程。

在晶圆加工过程中，需要通过一系列的步骤将原始的晶圆加工为完成的IC芯片。

以下为晶圆加工的流程：1.光刻：通过光刻机将芯片图案转移到光刻胶上，然后使用酸洗、去除光刻胶，暴露出芯片的表面。

2.蚀刻：利用化学蚀刻技术，在IC芯片表面形成电路图案。

3.离子注入：向芯片进行掺杂，改变材料的电学性质。

4.热处理：对芯片进行高温、低温处理，使其达到设计要求的电学性能。

5.金属沉积：在芯片表面沉积一层金属，用于连接芯片各个元件。

芯片制造芯片制造是最为核心的IC制造环节，主要将晶圆加工后的芯片进行裁剪、测试、绑定等操作，使其具备实际的电学性能。

以下是IC芯片制造的流程：1.芯片测试：对芯片的性能进行测试，找出不合格的芯片并予以淘汰。

2.芯片切割：将晶圆上的芯片根据需求进行切割。

3.接线：在芯片表面安装金线，用于连接各个器件。

4.包装：将芯片放入封装盒中，并与引线焊接，形成成品IC芯片。

封装测试封装测试是IC制造的最后一步。

集成电路生产工艺流程(一)集成电路生产工艺概述集成电路生产工艺是指将所有电子元件集成在单一芯片上的生产过程。

它被广泛应用于电子设备制造业，如计算机、手机、电视等。

制造流程1.设计–集成电路设计师设计电路–使用EDA软件进行仿真与验证2.掩膜制造–制造掩膜–通过光刻技术将图案转移到硅片上3.投影光刻–使用掩膜将图案投影在硅片上–制造电路的输送4.融合–在高温下将掩膜和硅片融合–形成晶体管5.化学处理–使用化学液体进行蚀刻–将不需要的硅层去除6.金属化–在硅片表面蒸镀金属–形成线路和电极7.包装测试–切割硅片–用陶瓷或塑料封装芯片–测试芯片性能制造技术1.CMOS–基础工艺–低功耗和低噪音2.BJT–晶体管工艺–高频率和高速率3.BCD–模拟与数字工艺结合–适用于汽车、医疗和航空等领域4.MEMS–微电子机械系统–功能丰富的微型机械装置制造挑战1.芯片尺寸缩小–越来越小的芯片尺寸–需要更精密的光刻技术和更高的抗干扰能力2.成本控制–竞争日益激烈–芯片制造成本需要持续降低3.故障排除–单个芯片上有上亿个晶体管–如何排查其中的问题是一个挑战结论集成电路生产工艺是一个非常复杂的过程，需要各个流程相互合作，使用最新的技术和设备。

随着时间的推移，它将继续进化和改进，以满足越来越高的市场需求和更严格的质量控制。

制造趋势1.三维IC制造技术–将多个芯片堆叠在一起，以提高芯片效率和成本效益2.全球晶圆制造技术–分布式制造技术可帮助降低成本–全球晶圆制造可促进产业链的全球化3.自动化技术–机器学习和人工智能将推动制造工艺的自动化–减少人为干扰和错误应用领域1.通信–集成电路的高速率和低功耗等特点十分适合通信应用2.计算机–处理器、内存、存储等都需要集成电路–集成电路的不断进步也推动了计算机性能的提升3.汽车–外部环境复杂，需要集成电路来实现各种功能–集成电路技术适合于汽车电子系统的小型化和高度集成化4.医疗–集成电路技术在医疗成像、生物传感器和仿生器件等方面有广泛应用–提升了医疗设备的精度和可靠性结语随着各种工业领域的发展和需要，集成电路生产工艺将继续前进和改进。

集成电路制造工艺流程引言：集成电路(IC)作为现代电子技术的核心，被广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。

集成电路制造工艺是将原始材料经过一系列加工步骤，将电路图案和其他组件集成到单片硅芯片上的过程。

本文将详细介绍集成电路制造的工艺流程。

一、晶圆制备1.材料准备：通常采用硅作为晶圆基底材料。

硅材料需经过多次高温处理来去除杂质。

2.切割：将硅原料切割成圆片形状，厚度约为0.4毫米。

3.晶圆清洗：通过化学和物理方法清洗硅片表面。

二、晶圆表面处理1.清洗：使用化学物质去除晶圆表面的有机和无机污染物。

2.二氧化硅沉积：在晶圆表面形成一层绝缘层，以保护电路。

3.光刻：通过对光敏材料进行曝光、显影和刻蚀等步骤，将电路图案转移到晶圆表面。

三、激活剂注入1.清洗：清洗晶圆表面以去除光刻过程产生的残留物。

2.掺杂：使用离子注入设备将所需的杂质注入晶圆表面，以改变材料的导电性。

四、金属化1.金属沉积：在晶圆上沉积一层金属，通常是铝或铜，以用作导电线。

2.蚀刻：使用化学溶液去除多余的金属，只保留所需的电路。

3.封装：将晶圆裁剪成多个小片，然后分别进行封装，以提供保护和连接接口。

五、测试1.功能测试：确保电路功能正常。

2.可靠性测试：对电路进行长时间运行测试，以验证其性能和可靠性。

3.封装测试：测试封装后的芯片性能是否正常。

六、成品测试和封装1.最终测试：对芯片进行全面测试，以确保其达到预期的性能指标。

2.封装：在芯片表面添加保护层，并提供引脚用于连接到其他电子设备。

结论：本文详细介绍了集成电路制造的工艺流程，包括晶圆制备、晶圆表面处理、激活剂注入、金属化、测试和封装等环节。

每一步都是为了保证集成电路的性能和可靠性。

随着科技的不断发展，集成电路制造工艺也在不断创新，以提高集成电路的性能和功能。

集成电路的制作工艺与流程
1. 晶圆制备：晶圆是集成电路的基础材料，一般采用硅（Silicon）材料制作。

晶圆的制备工艺包括晶体生长、切割和
抛光等步骤。

2. 晶圆清洗：晶圆清洗是为了去除晶圆表面的污染物，保证后续工艺步骤的顺利进行。

3. 沉积：沉积是指在晶圆表面上沉积一层薄膜，常用的沉积方法包括物理气相沉积（Physical Vapor Deposition, PVD）和化
学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）等。

4. 光刻：光刻是将设计好的电路图案转移到晶圆表面的工艺步骤。

首先在薄膜表面涂覆一层光刻胶，然后使用光学投影机将电路图案投影在光刻胶上。

最后通过显影和蚀刻等步骤，在光刻胶上形成所需的电路图案。

5. 清洗：清洗是为了去除光刻胶和表面污染物，保证后续工艺步骤的顺利进行。

6. 金属化：金属化是在晶圆表面上沉积一层金属，常用的金属有铝（Aluminum）等。

金属化的目的是连接不同部分的电路，形成完整的电路连接网络。

7. 划线：划线是将金属化层上的金属切割成所需的电路连线。

8. 封装测试：最后一步是将制作好的芯片进行封装和测试。

封
装是将芯片封装在塑料、陶瓷或金属等材料中，以保护芯片和实现引脚的外接。

测试是通过一系列测试方法和设备来验证芯片的功能和可靠性。

以上是集成电路的制作工艺与流程的基本步骤，不同类型的集成电路可能会有些差异，但整体的工艺流程大致相同。

集成电路的基本制造工艺引言集成电路（Integrated Circuit，缩写为IC）是一种将大量的晶体管、电阻、电容和其他电子元器件集成在一个小芯片上的器件。

它的制造工艺需要经过一系列精密的步骤，以实现高度集成化和微米级的线宽。

本文将介绍集成电路的基本制造工艺，包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散和封装等步骤。

1. 晶圆制备晶圆制备是制造集成电路的第一步。

晶圆通常由硅(Si)材料制成，尺寸一般为4英寸、6英寸、8英寸或12英寸等。

下面是晶圆制备的基本步骤：•净化硅原料：将硅原料经过多道净化处理，以去除杂质，得到高纯度的硅原料。

•溶化硅原料：将净化后的硅原料溶解在高温下，形成熔融硅。

•生长单晶体：通过控制温度和速度，从熔融硅中提取出硅单晶体，形成长达数英尺的硅棒。

•切割晶圆：将硅棒切割成薄片，形成待用的晶圆。

2. 光刻光刻是一种通过光敏感的光刻胶将图案转移到晶圆表面的工艺。

光刻的基本步骤如下：•涂布光刻胶：将光刻胶均匀涂布在晶圆表面，形成一层薄膜。

•预烘烤：将晶圆经过预烘烤，将光刻胶固化。

•曝光：使用光刻机将掩模上的图案通过紫外线照射到晶圆上，使特定区域的光刻胶暴露在紫外线下。

•显影：在显影剂的作用下，溶解未曝光区域的光刻胶，暴露出晶圆表面的目标模式。

•后烘烤：将晶圆经过后烘烤，使光刻胶固化并提高其耐蚀性。

3. 薄膜沉积薄膜沉积是将不同的材料沉积到晶圆上，用于制作电子元件的各个层次。

常见的沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。

以下是薄膜沉积的基本步骤：•清洗晶圆：将晶圆经过化学溶液清洗，去除表面的杂质。

•沉积薄膜：将晶圆放入沉积装置中，通过高温或高压将目标材料沉积在晶圆表面上，形成薄膜。

•薄膜退火：对沉积完的薄膜进行热处理，以提高薄膜的结晶度和电学性能。

4. 离子注入离子注入是通过注入高能量离子到晶圆表面，改变半导体材料的导电性能的工艺。

以下是离子注入的基本步骤：•选择离子种类：根据具体材料和元件要求，选择合适的离子种类。

集成电路生产工艺流程一、引言集成电路是现代电子信息技术的重要产物，它是半导体器件上应用最广泛、具有较高技术含量的产品之一。

集成电路生产工艺流程是指在半导体器件基片上成功地制造出各种功能电路的过程。

本文将对集成电路生产工艺流程进行整体流程描述以及每个环节的详细展开，以期能够全面深入地了解集成电路生产的流程、原理和技术。

二、整体流程集成电路的生产工艺流程一般包括晶体生长、晶圆制备、光刻、腐蚀、离子注入、金属电镀、贴片、封装等环节。

下面将详细介绍每个环节的工艺的流程。

三、晶体生长晶体生长是制造集成电路的第一步。

首先需要选用高纯度单晶硅作为生长晶料，然后将晶料通过物理或化学方法生长成为高纯度的单晶硅棒，再将该单晶棒切成片状即为晶圆。

晶圆的制备质量直接关系到最终集成电路产品的质量。

四、晶圆制备1、晶圆清洗：将晶片表面的油污、灰尘等杂质清洗干净，以确保后续工艺环节的正常进行。

2、研磨：根据晶圆表面的几何形状和粗糙度要求，进行机械化、化学或化学机械平整化处理。

3、光刻：利用光刻胶和掩模，通过曝光、显影等步骤制作出所需电路的图形形状。

4、腐蚀：通过腐蚀能够将未被光刻胶覆盖处的硅层侵蚀掉，以获得所需形状和深度的电路结构。

5、离子注入：透过离子注入设备，将电荷不同的离子束注入晶圆产生导电或隔离效应，以改变晶圆性质。

6、金属电镀：利用蒸镀、电镀等方法将金属材料沉积在晶圆上，以制造出不同部位的电极、线路等。

7、膜沉积：在晶圆表面生长保护膜或制备工艺所需的各种薄膜。

五、贴片贴片是将通过晶圆制备得到的单个芯片分别切割、测试、选中后转移到载体上的过程。

贴片的方式可分为焊接、压装及线键合等方式。

贴片完毕即可进行下一步封装工艺。

六、封装封装是指将芯片与支持部件集成进一个标准化封装器件内的过程。

常用的封装方式有插针式封装、印刷式封装、贴片式封装、直插式封装等。

最终形成的标准化封装器件可直接用于电子产品的组装和制造。

七、总结整个集成电路生产工艺流程是一个复杂的过程，需要在不同的环节中采用各种不同的方法和技术操作。

集成电路生产工艺
集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是由多个电子器件
（如晶体三极管、电阻器、电容器等）和互连线路，通过某种工艺（即集成电路生产工艺）集成到一个硅片上的电子器件。

集成电路的生产工艺是将电子器件制造和互连线路形成的过程。

集成电路生产工艺主要包括以下几个步骤：
1.晶圆制备：晶圆是指用高纯度的单晶硅片制成的圆片状基片。

晶圆制备是集成电路制造的第一步，通常通过晶体生长、切割、抛光等工艺步骤完成。

2.杂质掺入：为了改变硅片的电学性能，需要通过掺入杂质元
素来实现。

这一步骤通常通过扩散、离子注入等工艺完成。

3.光刻：光刻是将电路图形投射到硅片上的过程。

通过镀上一
层光刻胶，然后使用光刻机将光刻胶光刻成电路图形，最后使用化学溶解胶液去掉未曝光的部分。

4.沉积：沉积是在硅片表面涂覆材料的过程。

常用的沉积方法
有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。

5.蚀刻：蚀刻是将沉积的材料刻蚀掉的过程，用来形成电路的
结构。

蚀刻方法主要有湿蚀刻和干蚀刻两种。

6.金属化：金属化是通过电镀等方法在硅片上加上一层金属，
用来形成电路的互连线路。

7.封装测试：最后一步是将制成的芯片进行封装，形成最终的
集成电路产品。

封装工艺通常包括焊接、封装、测试等步骤，以确保芯片的质量和可靠性。

集成电路生产工艺是一项非常精密和复杂的工艺，需要高水平的工程技术和设备。

随着科技的不断进步，集成电路的生产工艺也在不断改进和创新，以满足不断增长的集成电路市场需求。

集成电路的基本制造工艺集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术中的重要组成部分，它将数百万个电子元件集成在一个微小的芯片上。

IC的制造工艺是一个复杂而精密的过程，涉及到多个步骤和工艺。

下面将介绍IC的基本制造工艺。

首先是晶圆制备。

晶圆是IC的基础材料，一般使用硅单晶材料。

制备晶圆的过程包括：取得高纯度的硅单晶材料，通过化学反应降低杂质含量，将硅单晶材料熔化后拉出圆柱形，再将其切割成片状。

这些片状的硅单晶材料就是晶圆。

接下来是晶圆洗净。

在IC制造过程中，晶圆表面不能有任何的杂质，因此需要对晶圆进行洗净处理。

这一步骤中，晶圆经过一系列的化学和物理过程，将表面的尘土、油脂等污染物清除，确保晶圆表面干净。

然后是层压。

IC芯片是通过在晶圆表面上涂覆多个材料层来制造的。

层压过程中，使用光刻技术将特定图案的光掩膜映射到晶圆表面，然后用化学物质将非光刻区域的材料去除，形成所需的材料层。

在层压完成后，还需要进行增强。

增强是通过在晶圆上施加高温和高压的方式加强不同材料层之间的结合。

这样可以确保材料层之间的粘合强度，提高整个芯片的可靠性。

接下来是金属沉积。

在IC制造的过程中，需要在晶圆上电镀一层金属，用于形成电子元件的导线。

金属沉积可以通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法来实现，将金属材料沉积在晶圆表面。

最后是切割和封装。

在芯片制造完成后，需要将晶圆切割成一个个独立的芯片。

切割可以通过机械切割或者激光切割来完成。

然后，将这些独立的芯片封装在塑料或陶瓷封装体中，以保护芯片不受环境影响。

综上所述，IC的基本制造工艺包括晶圆制备、洗净、层压、增强、金属沉积、切割和封装等步骤。

这些步骤需要高精度的设备和复杂的工艺控制，以确保制造出高质量的集成电路芯片。

IC制造工艺是现代电子工业中的核心技术之一，通过将多个电子元件集成在一个微小的芯片上，实现了电子设备的高度集成和小型化。

IC的制造过程非常复杂，需要精密的设备和高度精确的工艺控制，下面将详细介绍IC制造的相关内容。

集成电路的工艺流程集成电路的工艺流程简单来说就是将电子元器件和电路图案制造成芯片的过程。

整个工艺流程可以分为多个步骤，如下：1. 晶圆准备：集成电路的基础是硅晶圆，它需要经过各种处理来准备成为芯片的基底。

首先，使用化学方法清洗晶圆表面的杂质和氧化物，然后使用高温石英管进行退火处理，使晶圆表面平整。

2. 晶圆涂层：将经过准备的晶圆放入涂胶机中，在其表面涂敷一层光刻胶。

光刻胶用于制作光刻层，以便进行后续的图案转移。

3. 曝光和显影：将涂有光刻胶的晶圆放在曝光机中，在其表面投射图形化的紫外线。

经过曝光，光刻胶的化学性质发生了变化。

然后，将晶圆放入显影机中，通过化学液体去除未暴露于光的部分光刻胶。

4. 电子束雕刻：如果需要更高的精度和分辨率，可以使用电子束雕刻技术。

电子束雕刻机使用电子束来直接刻画晶圆表面的图案。

5. 清洗和干燥：在图案转移完成后，晶圆需要进行清洗和干燥，以去除残留的光刻胶和其他杂质。

6. 氧化层形成：将晶圆放入高温石英管中，在高温和氧气环境中进行氧化处理。

这样可以在晶圆表面形成一层氧化层，用于隔离电路之间的互相干扰。

7. 金属薄膜沉积：使用物理或化学方法，在晶圆表面沉积一层金属薄膜。

这层金属薄膜用于电子元件之间的连接。

8. 隔离层形成：通过光刻和蚀刻等技术，在晶圆表面形成一层隔离层，以便隔离不同的电子元件。

9. 电子元件形成：使用光刻、蚀刻等技术，在晶圆表面形成各种电子元件，如晶体管、电容器和电阻器等。

10. 金属线连接：使用光刻和蚀刻等技术，在晶圆表面形成金属线路，将不同的电子元件连接在一起，形成电路。

11. 封装和测试：最后，将整个晶圆切割成小的芯片，然后将芯片封装在塑封或陶瓷封装中。

最后，进行测试和质量检查，以确保芯片的正常工作。

以上是集成电路的基本工艺流程。

随着技术的不断进步和创新，工艺流程可能会有所调整和改变，但总的来说，这些步骤是集成电路生产的基础。

集成电路工艺的发展，不断推动了电子行业和信息技术的进步。

集成电路制程简论
集成电路制程是指在硅片上制造电子元器件和电路的过程。

整个制程包括晶圆制备、掩模制造、光刻、蚀刻、沉积、扩散、离子注入、金属化等一系列工艺流程。

晶圆制备是集成电路制程的第一步，它是指将硅晶片制成平整且无明显缺陷的晶圆，以便进行后面的工艺加工。

晶圆的制备通常包括以下几个步骤：硅原料的制备，晶圆的生长、切割、打磨和抛光等。

掩模制造是指根据电路图案设计，在光刻掩膜上制造出电路图案。

掩模制造的过程包括五个主要步骤：掩膜材料的选定和加工、电路图案数据制作、电路图案轮廓的转移、掩模测试和修正，以及最终的掩模制作。

光刻是将掩模上的图案进行传递到硅片上的关键工序，它将图案通过光学或其他方式映射到硅片表面上。

光刻的过程可以分为四个阶段：光刻胶涂覆、曝光、显影和烘烤退胶。

蚀刻是指将光刻后形成的图案通过化学反应压郎到硅片上。

在蚀刻过程中，硅片表面被注入气体，气体与表面反应产生化学反应，形成图案。

蚀刻的种类有湿法蚀刻和干法蚀刻两种。

沉积是指通过化学反应将金属或者其他材料沉积到硅片上，形成各种电路和元器件。

扩散是为了改变硅片表面的杂质浓度，从而获得特定的电学性能而采用的一种工艺。

扩散的方法通常有高温扩散和离子注入等。

离子注入是一种通过离子轰击硅片表面，将杂质注入硅片达到改变电学性能的目的。

这种方法可以在较短的时间内对硅片进行改变，基本上可以不变形。

金属化是指将各种金属密集的在硅片表面上沉积，形成电子元器件。

通常使用的有金属薄膜、金属线材等。

综上所述，集成电路制程中包含的工艺流程十分复杂，需要专业的技术人员进行严密的控制。