晶体三极管37页PPT

T (C)
iB (μA)
10o
100

iB不变，uBE
将减小。80
60
uBE不变，iB将增大。4200
0
0o
(v)
0.4 0.7
vBE
不同温度下的输入特性曲线
iC（mA）
}30μ A
}20μ A }10μ A
} 0μ A
不同温度下的输出特性曲线
VCE
— 25度； 45度 iB相同
T(C)
ICIB8.6m AIC SV R cc c5m A管子工作在饱和状态
V 或 IC CE I B V Ic c B V ccI R 8 C .B V 6 m B R E A C 5 5 5 0 0 8 .. 7 6 1 8 6u A 3 .6 V V子C工E不作能在为饱负和，状管态
(锗管,截止）
（ NPN管 ，c极电位高于e极，否则反向应用,很小)
2）PNP管：(1) -0.2V 0V -0.1V
c
•
(2) -3V -0.2V 0V
b
•
(3) 1V 1.2V -2V
解：
(1) b~ -0.2V e~ 0V c~ -0.1V（锗管 饱和） e
(2) c~ -3V b~ -0.2V e~0V （锗管 放大）
解：be结加正偏，管子导通，故其工作在放大或饱和。
IBVccR B VBE5 50 0.786uA
IBSVccR V C CES1 50 00 .3 147uA
IB IBS 管子工作在饱和状态;
VCE= 0.3v
或 IBV ccR B V B E5 50 0.786uA
例题
1、由电极电位判断三极管的工作状态。

3、三极管放大电路的组成； 难点：1、三极管的电流分配关系及放大原理；2、三极管放大电路的组成；3Βιβλιοθήκη 一、预习案完成情况 小组名称
优 秀
良 好
完成较好的个人：
获得奖 励
+5
+4
4
预习案展示
1、三极管的图形符号（PNP和NPN），并标注引脚名称；
2、三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 结和 结 组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极和 极。
（NPN，PNP）；
3、下图所示为三极管的输出特性。该管在UCE=6V，IC=3 mA处电流放大倍数β为 。
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2019/9/18
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探究案展示点评
展示内容 展示人员 展示要求 点评人员 点评要求
任务二 任务二
1、书面展 示
2、动作迅 速
3、书写规 范
4、格式正 确
5、声音洪 亮
6、尽量脱 稿
1、声音洪 亮 2、语言精 简 3、点评步 骤：判断正 误-规范思路 -征求意见
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布置作业
• 书本P46页-复习思考题；
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2019/9/18
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任务二：三极管的基本放大电路
1、设置静态工作点的原因是什么？ 2、分析题下图各电路能否正常放大，并说明理由。
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【巩固训练】
1、图所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并 根据所给出的参数进行分析计算。 （1）UCE=3V，IB=60μA，IC=？ （2）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？ （3）UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？
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7、观看右侧基本放大电路组成，完成下表：
元器件
作用
放大条件

接上页
由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电 阻很大,这就是它的单向导电性.从这里可 以看出,PN结具有单向导电性的关键是它 的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
2:外加反向电压
外加电压正端接N区,负端接P区.在这种外 电场作用下,P区的空穴和N区的电子都将 进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
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雪崩击穿和齐纳击穿（电击穿）过程是 可逆的，当加在稳压管两端的反向电压 降低后，管子仍可以恢复。但不能出现 热击穿。
热击穿：反向电流和反向电压的乘积不 超过PN结容许的耗散功率，超过了就会 因为热量散不出去而使PN结温度上升， 直到过热而烧毁。
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
面接触型
面接触型二极管的 PN结用合金法或扩 散法做成的
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程

输出特性曲线
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主
要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
电流iB经放大后获得对应的集电极电流iC，如图（d）所示。集—射极电压vCE 波形与输出电流iC变化情况相反，如图（e）所示。 vCE经耦合电容C2隔离直流成分 ，输出的只是放大信号的交流成分vo，波形如图（f）所示。
放大电路的电压和电流波形
第三节 放大电路的分析方法
一、主要性能指标 1．放大倍数 电压放大倍数
在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方 式。
共发射极接法
共基极接法
共集电极接法
三、三极管的特性曲线 1．输人特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压 VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。
当输入电压vBE较小时，基极电流iB很
第一节 晶体三极管
晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件，它由两个PN 结构成，在电路中主要作为放大和开关元件使用。
一、结构与分类
1．外形
近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率三极管多采用金属封 装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管制成螺栓形状。
塑料封装小功率管 塑料封装中功率管
集电极最大允许电流ICM 若三极管的工作电流超过ICM，其ß值将下降到正

之间的反向击穿电压。
• VCBO（集电极—基极击穿电压）发射极开路，C、B
之间的反向击穿电压。
• VEBO（发射极—基极击穿电压）集电极开路，E、B
之间的反向击穿电压。
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• HFE(共发射极正向电流传输比)：在共发射极电路
中，输出电压保持不变时，直流输出电流与直流 输入电流之比。
• ICBO（集电极—基极截止电流）：当发射极开路
• 国内命名方法： 3DG1815-Y • 第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目 • 2：表示二极管；3：表示三极管 • 第二部分表示器件的材料和极性 • A：PNP锗 ； B：NPN锗 ；C：PNP硅 ；D：NPN硅 ；E：
化合物材料
• 第三部分表示器件的类型 • G：高频小功率；D：低频大功率；A：高频大功率；K：
开关管；X：低频小功率
• 大于等于1W为大功率管，小于1W为小功率管，功率不是
很大，封装比较大为中功率管
• 第四部分用阿拉伯字表示序号（型号） • 第五部分表示器件的规格（放大档次）
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4
• 国外命名方法（如日本工业标准（JIS）规定命
名）：2SC1815-Y
• 第一部分用数字表示类型或有效电极数
晶体管的四大零部 件和原材料：
• 管芯 • 框架 • 内引线（金丝或铝丝） • 塑封料
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• 双极型三极管管芯结构示意图
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制造工艺（双极型）
• 1、前工序
• 衬底制备（多晶硅 溶解+掺杂 拉单晶、磨、
切、抛等） 外延 氧化 基区光刻
基区扩散 发射区光刻 发射区扩散
引线孔光刻 蒸铝
反刻铝 合金
淀积钝化膜 刻蚀压焊孔减薄 背面金
• Cob（共基极输出电容）：在共基极电路中，

0.4 0.8 UBE(V)
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3、三极管共射组态的输入特性曲线
iB=f(uBE ,uCE)
以 VCE为参变量的输入特性曲线 ：
iB=f(uBE)| uCE=常数
ibU(μCEA=)0UCEU=C1E=10
BJT的输入特性曲线为一组曲线
U（BR）EBO
uBE
ICBO＋ICEO
（1）正向特性：
IB + -+ V1 V2
从结构看：
无论是NPN还是PNP管，都有两个PN结，三个区， 三个电极。
从电路符号看：
除了发射极上的箭头方向不同外，其他都相同， 但箭头方向都是由P指向N，即PN结的正向电流方向。
三、三极管的工作状态及其外部工作条件
发射结正偏，集电结反偏：放大模式（最常用）
发射结正偏，集电结正偏：饱和模式 （用于开关电路中）
在放大状态下的三极管输出的集电极电流IC ，主要 受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE 近似无关。
注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于
它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流
方向相反，加在各极上的电压极性相反。
IE
N+ P N
IC IE
P+ N P
IC
IB - +- + V1 V2
ic=f (iB,uCE)
当 iB为某一常数时，可相应地测出一条输出特性曲线。 ic=f (uCE)|iB=常数。
故 NPN 三极管的输出特性曲线为一簇曲线。
饱合区：集电结正偏，发射结正偏 截至区：集电结和发射结都反偏。 iC 击穿区：uCE> U（BR）CEO
放大区：集电结反偏，发射结正偏