大学物理稳恒磁场理论及习题
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衡水学院 理工科专业 《大学物理B 》 稳恒磁场 习题解答一、填空题(每空1分)1、电流密度矢量的定义式为:dI j n dS ⊥=v v,单位是:安培每平方米(A/m 2) 。
2、真空中有一载有稳恒电流I 的细线圈,则通过包围该线圈的封闭曲面S 的磁通量? = 0 .若通过S 面上某面元d Sv的元磁通为d ?,而线圈中的电流增加为2I 时,通过同一面元的元磁通为d ?',则d ?∶d ?'= 1:2 。
3、一弯曲的载流导线在同一平面内,形状如图1(O 点是半径为R 1和R 2的两个半圆弧的共同圆心,电流自无穷远来到无穷远去),则O 点磁感强度的大小是2020100444R IR IR IB πμμμ-+=。
4、一磁场的磁感强度为k c j b i a B ϖϖϖϖ++= (SI),则通过一半径为R ,开口向z 轴正方向的半球壳表面的磁通量的大小为πR 2c Wb 。
5、如图2所示通有电流I 的两根长直导线旁绕有三种环路;在每种情况下,等于:对环路a :d B l ⋅⎰v v Ñ=____μ0I __;对环路b :d B l ⋅⎰vv Ñ=___0____; 对环路c :d B l ⋅⎰v v Ñ =__2μ0I __。
6、两个带电粒子,以相同的速度垂直磁感线飞入匀强磁场,它们的质量之比是1∶4,电荷之比是1∶2,它们所受的磁场力之比是___1∶2__,运动轨迹半径之比是_____1∶2_____。
二、单项选择题(每小题2分)( B )1、均匀磁场的磁感强度B v垂直于半径为r 的圆面.今以该圆周为边线,作一半球面S ,则通过S 面的磁通量的大小为A. 2?r 2BB.??r 2BC. 0D. 无法确定的量( C )2、有一个圆形回路1及一个正方形回路2,圆直径和正方形的边长相等,二者中通有大小相等的电流,它们在各自中心产生的磁感强度的大小之比B 1 / B 2为A. B. C. D.( D )3、如图3所示,电流从a 点分两路通过对称的圆环形分路,汇合于b 点.若ca 、bd 都沿环的径向,则在环形分路的环心处的磁感强度A. 方向垂直环形分路所在平面且指向纸内B. 方向垂直环形分路所在平面且指向纸外C .方向在环形分路所在平面内,且指向aD .为零( D )4、在真空中有一根半径为R 的半圆形细导线,流过的电流为I ,则圆心处的磁感强度为A.R 140πμ B. R120πμ C .0 D .R140μ ( C )5、如图4,边长为a 的正方形的四个角上固定有四个电荷均为q 的点电荷.此正方形以角速度??绕AC 轴旋转时,在中心O 点产生的磁感强度大小为B 1;此正方形同样以角速度??绕过O 点垂直于正方形平面的轴旋转时,在O 点产生的磁感强度的大小为B 2,则B 1与B 2间的关系为A. B 1 = B 2B. B 1 = 2B 2 C .B 1 =21B 2 D .B 1 = B 2 /4 ( B )6、有一半径为R 的单匝圆线圈,通以电流I ,若将该导线弯成匝数N = 2的平面圆线圈,导线长度不变,并通以同样的电流,则线圈中心的磁感强度和线圈的磁矩分别是原来的 (A) 4倍和1/8. (B) 4倍和1/2. (C) 2倍和1/4. (D) 2倍和1/2. 三、判断题(每小题1分,请在括号里打上√或×)( × )1、电源的电动势是将负电荷从电源的负极通过电源内部移到电源正极时,非静电力作的功。
第六章稳恒磁场作业集第37讲毕奥-萨伐儿定律一、Ⅰ类作业:解:根据毕奥萨伐尔定律20sin d 4d r l I B θπμ=,方向由右手定则决定。
(1)202020d 490sin d 4sin d 4d L l I L l I r l I B πμπμθπμ=︒==方向垂直纸面向里(沿z 轴负向)。
(2)00sin d 4sin d 4d 2020=︒==L l I r l I B πμθπμ(3)202020d 490sin d 4sin d 4d L l I L l I r l I B πμπμθπμ=︒==,方向沿x 轴正向。
(4)因为2245sin sin ,2222=︒==+=θL L L r ,所以2020d 82sin d 4d Ll I r l I B πμθπμ==,方向垂直纸面向里(沿z 轴负向)。
37.2教材223页第6.2、6.4、6.6题解:(1)6.2:(2)6.4:(3)6.6:二、Ⅱ类作业:解:根据磁场叠加原理可知,中心点O 的磁感应强度是两根半无限长载流导线的B 和41载流圆弧的B 的矢量和。
即321B B B B ++=其中,半无限长载流导线在其延长线上的031==B B ,41载流圆弧的R I B 802μ=,方向垂直纸面向外。
所以RI B B 802μ==,方向垂直纸面向外第38讲磁场的性质一、Ⅰ类作业:38.1一块孤立的条形磁铁的磁感应线如图所示,其中的一条磁感线用L 标出,它的一部分在磁铁里面,你能根据安培环路定理判断磁铁里面是否有电流吗?如果有穿过L 的电流方向是怎样的?解:因为磁感应强度沿L 的线积分不为零,即环量不为零,根据安培环路定理,有电流穿过环路L 。
根据右手定则,电流是垂直纸面向里。
38.2教材229页6.7、6.9题二、Ⅱ类作业:38.3如图所示,有一根很长的同轴电缆,由两层厚度不计的共轴圆筒组成,内筒的半径为1r 1,外筒的半径为r 2,在这两导体中,载有大小相等而方向相反的电流I ,计算空间各点的磁感应强度.解:该电流产生的磁场具有轴对称性,可用安培环路定理计算磁感应强度。
稳恒磁场一、选择题1. 一圆电流在其环绕的平面内各点的磁感应强度B 【 】 (A) 方向相同, 大小相等; (B) 方向不同,大小不等; (C) 方向相同, 大小不等; (D) 方向不同,大小相等。
2. 电流由长直导线流入一电阻均匀分布的金属矩形框架,再从长直导线流出,设图中321O ,O ,O 处的磁感应强度为B B B 123,,,则 【 】(A)B B B 123==; (B) 0B 0B B 321≠== ;(C) 0B ,0B ,0B 321=≠= ; (D) 0B ,0B ,0B 321≠≠=3. 所讨论的空间处在稳恒磁场中,对于安培环路定律的理解,正确的是 【 】(A) 若⎰=⋅L0l d B ,则必定L 上B 处处为零(B) 若⎰=⋅L0l d B, 则必定L 不包围电流(C) 若⎰=⋅L0l d B, 则L 所包围电流的代数和为零(D) 回路L 上各点的B 仅与所包围的电流有关。
4. 在匀强磁场中,有两个平面线圈,其面积21A 2A =, 通有电流21I 2I =, 它们所受的最大磁力矩之比M M 12/等于 【 】 (A) 1 (B) 2(C) 4(D) 1/45. 由N 匝细导线绕成的平面正三角形线圈,边长为a , 通有电流I , 置于均匀外磁场B中,当线圈平面的法向与外磁场同向时,该线圈所受的磁力矩M m 值为: 【 】(2)选择题(A) 2/IB Na 32,(B)4/IB Na 32, (C) 60sin IB Na 32,(D) 06. 一带电粒子以速度v 垂直射入匀强磁场 B 中,它的运动轨迹是半径为R 的圆, 若要半径变为2R ,磁场B 应变为: 【 】 B 22)D (B 21)C (B 2)B (B 2)A ( 7. 图中所示是从云室中拍摄的正电子和负电子的轨迹照片,均匀磁场垂直纸面向里,由两条轨迹可以判断【 】(A) a 是正电子,动能大; (B) a 是正电子, 动能小; (C) a 是负电子,动能大; (D) a 是负电子,动能小。
稳恒磁场一、选择题1.一个半径为r 的半球面如右图放在均匀磁场中,通过半球面的磁通量为 (A )22r B π; (B )2r B π;(C )22cos r B πα; (D )2cos r B πα。
2.下列说法正确的是:(A )闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内一定没有电流穿过; (B )闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内穿过电流的代数和必为零; (C )磁感应强度沿闭合回路的积分为零时,回路上各点的磁感应强度必为零;(D )磁感应强度沿闭合回路的积分不为零时,回路上任意一点的磁感应强度都不可能为零。
3.如图,在一圆形电流I 所在的平面内,选取一个同心圆形闭合回路L ,则由安培环路定理可知(A )0=⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点0=B 。
(B )0=⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点0≠B 。
(C )0≠⋅⎰Ll d B ,且环路上任意一点0≠B 。
(D )0≠⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点=B 常量。
4.图中有两根“无限长” 载流均为I 的直导线,有一回路L ,则正确的是(A )0=⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点0=B ;(B )0=⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点0≠B ;(C )0≠⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点0≠B ;(D )0≠⋅⎰Ll d B,且环路上任意一点0=B 。
5.取一闭合积分回路L ,使三根载流导线穿过它所围成的面,现改变三根导线之间的相互间隔,但不越出积分回路,则:·LOI图(A )回路L 内的I ∑不变,L 上各点的B不变;(B )回路L 内的I ∑不变,L 上各点的B改变;(C )回路L 内的I ∑改变,L 上各点的B不变; (D )回路L 内的I ∑改变,L 上各点的B改变。
6.在球面上竖直和水平的两个载流圆线圈中,通有相等的电流I ,方向如图所示,则圆心处磁感应强度B的大小为(A )R I 0μ(B )R I20μ (C )RI 220μ(D )R I40μ7.一长直载流I 的导线,中部折成图示一个半径为R 的圆,则圆心的磁感应强度大小为 (A )R I 20μ;(B )RIπ20μ; (C )RIRIπ2200μμ+;(D )0。