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常用半导体器件 ppt课件

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《常用元器件识别二极管》PPT课件讲义

《常用元器件识别二极管》PPT课件讲义
常用的是发红光、绿光、黄光、 红外光的二极管。
负极
插件极性识别： 插件发光二极管的正负极可从引
脚长短或本体上的缺口来识别。
1）本体上的缺口旁边对应的脚 为负极，另一边为正极。
2）长脚为正极，短脚为负极。
插件发光二极管插装、焊接：
插件装前必须确认元器件是否有高 度要求。如有则必须用定高柱或定 高工装定高焊接。
插件稳压二极管插装、焊接要求 同插件整流二极管。
贴片稳压二极管的贴装、焊接要 求同贴片整流二极管。
5.4、开关二极管
定义：半导体二极管导通时相当 于开关闭合（电路接通），截止 时相当于开关打开（电路切断） ，所以二极管可作开关用。开关 二极管是专门用来做开关用的二 极管，它由导通变为截止或由截 止变为导通所需的时间比一般二 极管短。
。
5）丝印：
2、二极管定义
二极管属于半导体，它由N型 半导体与P型半导体构成，它们 相交的界面上形成PN结。
3、二极管特性
单向导电性！正极接高电位 ，负极接低电位时导通，反之截 止！
所以二极管的方向性是非常重要 的。
4、二极管的主要参数
（1）最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时允许
通过的最大正向平均电流。IF的数
3）玻璃封装的二极管引线的弯曲处 距离管体不能太小，一般至少2mm。
4）安装二极管的位置尽可能不要靠 近电路中的发热元件。
5、二极管的分类
1）按功能分类：整流二极管， 发光二极管，检波二极管，开关 二极管，稳压二极管，变容二极 管。
2）按安装方式分类：插件二极 管、贴片二极管。
各类二极管常见的实物外形见下 图。
值是由二极管允许的温升所限定。
（2）最大反向工作电压URM

晶体管简介ppt课件

晶体管简介ppt课件

接上页
由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电 阻很大,这就是它的单向导电性.从这里可 以看出,PN结具有单向导电性的关键是它 的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
2:外加反向电压
外加电压正端接N区,负端接P区.在这种外 电场作用下,P区的空穴和N区的电子都将 进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
雪崩击穿和齐纳击穿（电击穿）过程是 可逆的，当加在稳压管两端的反向电压 降低后，管子仍可以恢复。但不能出现 热击穿。
热击穿：反向电流和反向电压的乘积不 超过PN结容许的耗散功率，超过了就会 因为热量散不出去而使PN结温度上升， 直到过热而烧毁。
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
面接触型
面接触型二极管的 PN结用合金法或扩 散法做成的
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程

现代半导体器件物理与工艺ppt课件

现代半导体器件物理与工艺ppt课件

桂林电子科技大学
尘埃粒子在掩模版图案上 所造成的不同腐蚀的影响
现代半导体器件物理与工艺
图形曝光与光刻 3
英制系统等级数值是每立方 英尺中直径大于或等于0.5 um的尘埃粒子总数不准超 过设计等级数值。
公制系统等级数值是每立方 米中直径大于或等于0.5um 的尘埃粒子总数不准超过设 计等级数值（以指数计算， 底数为10）。
图形曝光与光刻 15
抗蚀剂
抗蚀剂是对光敏感的化合物，依其对光照的反应分成正性和负性。 正性抗蚀剂：被曝光的区域将变得较易溶解，可以在显影步骤时较容易 被去除。所产生的图案将会与掩模版上的图案一样。 负性抗蚀剂：被曝光区域的抗蚀剂将变得较难溶解，所产生的图案与掩 模版上的相反。
正性抗蚀剂包括：感光化合物、树脂基材和有机溶剂；曝光后，曝光区 的感光化合物因吸光改变了本身的化学结构而可以溶解于显影液中。 负性抗蚀剂包括：聚合物和感光化合物合成。曝光后，感光化合物吸收 光变成化学能而引起聚合物链反应，是聚合物分子发生交联，变得难溶 解于显影液中。缺点：显影中抗蚀剂吸收显影液而膨胀，限制了分辨率。
桂林电子科技大学
现代半导体器件物理与工艺
图形曝光与光刻 12
桂林电子科技大学
IC掩模版
现代半导体器件物理与工艺
图形曝光与光刻 13
缺陷密度是掩模版好坏的主要原因之一。掩模版缺陷可能在制造掩模版 时或是接下来的图形曝光工艺步骤中产生。即使是一个很小的掩模版缺 陷密度都会对IC的成品率产生很大的影响。成品率的定义是：每一晶片 中正常的芯片数与中芯片数之比。若取一级近似，某一层掩模版与成品 率Y之间的关系式为
桂林电子科技大学
简单的成像系统
现代半导体器件物理与工艺
图形曝光与光刻 10

半导体器件的基础知识PPT课件

半导体器件的基础知识PPT课件
管约为0.7V，锗管约为0.2～0.3V。
（2）反向特性：反向电压小于击穿电压时二极管截止，电流几乎为零，这个区域称为反向截止区；
反向电压达到或超过击穿电压时反向电流急剧增大，二极管击穿，失去单向导电特性，这一区域称为
反向击穿区。
考纲解读
3.主要参数
（1）最大整流电流 ：指二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。
接的电极为阴极，红表笔接的电极为阳极。
6.其他二极管
（1）稳压二极管
特性：管子两端需加上一个大于其击穿电压的反向电压，采取适当措施限制击穿后工作的反向电
流值。
主要参数：稳定电压 、稳定电流 、耗散功率 。
（2）光电二极管
特性：是一种将光信号转变成电信号的半导体器件，工作在反向偏置状态。
射极电流 较大的变化，即用较小的基极电流的变化去控制较大的集电极电流的变化。
考纲解读
3.三极管的输入特性曲线与输出特性曲线
（1）输入特性曲线
输入特性：在 一定条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压 和它产生的基极电流 之间
的关系。
输入特性曲线如图1-1所示，它与二极管的伏安特性曲线十分相似，当 大于导通电压时，三极
（或阳极），N极引出端叫负极（或阴极）。根据制造工艺不同，按二极管内部结构可分为点接触型、
面接触型、平面型三种。
2.伏安特性
（1）正向特性：正向电压小于死区电压（硅管约为0.5V，锗管约为0.1～0.2V）时二极管截止，
电流几乎为零；正向电压大于死区电压时二极管导通，电流较大。二极管导通后管压降基本不变，硅
管才出现明显的基极电流。导通电压：硅管0.7V，锗管0.2V。
（2）输出特性曲线
输出特性：在 一定条件下，集电极与发射极之间的电压 与集电极电流 之间的关系。输出特

《半导体器件物理专题HEMT》PPT课件讲义

《半导体器件物理专题HEMT》PPT课件讲义

三.HEMT的应用
Applications are similar to those of MESFETs – microwave and millimeter wave communications, imaging, radar, and radio astronomy – any application where high gain and low noise at high frequencies are required. HEMTs have shown current gain to frequencies greater than 600 GHz and power gain to frequencies greater than 1 THz. (Heterojunction bipolar transistors were demonstrated at current gain frequencies over 600 GHz in April 2005.) Numerous companies worldwide develop and manufacture HEMT-based devices. These can be discrete transistors but are more usually in the form of a 'monolithic microwave integrated circuit' (MMIC). HEMTs are found in many types of equipment ranging from cell-phones and DBS receivers to electronic warfare systems such as radar and for radio astronomy.

半导体器件物理 教案 课件

半导体器件物理 教案 课件

半导体器件物理教案课件PPT第一章：半导体简介1.1 半导体的定义与特性1.2 半导体材料的分类与应用1.3 半导体的导电机制第二章：PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性2.2 二极管的结构与工作原理2.3 二极管的应用电路第三章：晶体三极管3.1 晶体三极管的结构与类型3.2 晶体三极管的工作原理3.3 晶体三极管的特性参数与测试第四章：场效应晶体管4.1 场效应晶体管的结构与类型4.2 场效应晶体管的工作原理4.3 场效应晶体管的特性参数与测试第五章：集成电路5.1 集成电路的基本概念与分类5.2 集成电路的制造工艺5.3 常见集成电路的应用与实例分析第六章：半导体器件的测量与测试6.1 半导体器件测量基础6.2 半导体器件的主要测试方法6.3 测试仪器与测试电路第七章：晶体二极管的应用7.1 二极管整流电路7.2 二极管滤波电路7.3 二极管稳压电路第八章：晶体三极管放大电路8.1 放大电路的基本概念8.2 晶体三极管放大电路的设计与分析8.3 晶体三极管放大电路的应用实例第九章：场效应晶体管放大电路9.1 场效应晶体管放大电路的基本概念9.2 场效应晶体管放大电路的设计与分析9.3 场效应晶体管放大电路的应用实例第十章：集成电路的封装与可靠性10.1 集成电路封装技术的发展10.2 常见集成电路封装形式与特点10.3 集成电路的可靠性分析与提高方法第十一章：数字逻辑电路基础11.1 数字逻辑电路的基本概念11.2 逻辑门电路及其功能11.3 逻辑代数与逻辑函数第十二章：晶体三极管数字放大器12.1 数字放大器的基本概念12.2 晶体三极管数字放大器的设计与分析12.3 数字放大器的应用实例第十三章：集成电路数字逻辑家族13.1 数字逻辑集成电路的基本概念13.2 常用的数字逻辑集成电路13.3 数字逻辑集成电路的应用实例第十四章：半导体存储器14.1 存储器的基本概念与分类14.2 随机存取存储器（RAM）14.3 只读存储器（ROM）与固态硬盘（SSD）第十五章：半导体器件物理在现代技术中的应用15.1 半导体器件在微电子技术中的应用15.2 半导体器件在光电子技术中的应用15.3 半导体器件在新能源技术中的应用重点和难点解析重点：1. 半导体的定义、特性及其导电机制。

三极管ppt课件完整版


常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊

电力电子半导体器件SCR介绍 ppt课件


ppt课件
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ppt课件
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国产快速晶闸管：KK系列
ppt课件
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国产高频晶闸管：KG系列
ppt课件
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高频晶闸管的特点： ①工作频率高，di/dt大。 ②关断时间短，最高允许结温下10us左右。 ③短时间内（3us）承受尖峰反向电压高，抗过电压能力强，
dv/dt大。 ④重复阻断电压较低，800—1000V。 ⑤抗直通电流能力差，需配置快速过电流保护环节。
门极开路，额定结温下，允许50次/s，持续时间不大于10ms， 重复施加在阳极上的正向最大脉冲电压。
VDRM ≈ 90% VDSM
ppt课件
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３．反向不重复峰值电压VRSM
门极开路，加在SCR阳极反向电压上升到反向伏安特性曲线急 剧弯曲处所对应的电压值。不能重复，每次持续时间不大于10ms 的脉冲电压。
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②换向特性：
两个反并的晶闸管导通、关断相互影响——换向问题。
换向能力是晶闸管的一个特有参数，用换向电流临界下降率
来表示(di/dt)c，为可靠运行，要求双向晶闸管有很强的换向 能力。标准将(di/dt)c分为0.2、0.5、1、2四个等级。 如：200A的器件， 0.2级为(di/dt)c=200× 0.2%= 0.4A/us ③额定通态方均根电流：I T(RMS)
2．正向电流越大，关断时间toff越长；外加反向电压越高，反 向电流越大，关断时间可缩短；结温越高，关断时间越长。
3．关断时，过早施加正向电压，会引起误导通。
ppt课件
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三、参数
（一）电压参数
1．断态不重复峰值电压VDSM 门极开路，加在SCR阳极正向电压上升到正向伏安特性曲线
急剧弯曲处所对应的电压值。不能重复，每次持续时间不大于 10ms的脉冲电压。（转折电压，小于VBO) ２．断态重复峰值电压VDRM

半导体光电子器件课件

阈值电流的影响因素
主要有半导体材料的能带结构、载流子类型和浓度、光吸收系数等。
降低阈值电流的方法
优化材料和结构，提高材料的质量和纯度，采用多量子阱结构等。
响应速度
响应速度
指光电子器件对输入光信号的反应速度，即输出电流或电压对输 入光信号的响应时间。
响应速度的限制因素
主要包括载流子的寿命、扩散长度、载流子注入和收集的效率等。
发射极是半导体光电子器件中的重要 组成部分，负责产生光子。
详细描述
发射极通常由掺杂的半导体材料制成， 通过注入载流子并经过一系列物理过 程，产生光子。发射极的性能直接影 响器件的发光效率和光谱特性。
增益介 质
总结词
增益介质是半导体光电子器件的核心部分，提供光放大作用。
详细描述
增益介质是半导体光电子器件中用于放大光信号的部分，通 常由多种不同掺杂浓度的半导体材料组成。在光的激发下， 增益介质中的载流子发生跃迁，释放出光子，实现光信号的 放大。
03 半导体光电子器件的材料
直接带隙半导体材料
直接带隙半导体材料的特点是导带和价带之间的跃迁是允许的，因此可以直接吸 收光子产生电子-空穴对。常见的直接带隙半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、 硫化铅（PbS）等。
直接带隙半导体材料在光电子器件中应用广泛，如发光二极管（LED）、激光器 （LD）等。
02
宽禁带半导体材料在高温、高功 率光电子器件中具有优异性能， 如高亮度LED、高功率激光器等。
04 半导体光电子器件的制造 工艺
外延生长技术
总结词
外延生长技术是制造半导体光电子器 件的关键工艺之一，它通过在单晶衬 底上生长一层或多层具有所需晶体结 构和掺杂类型的单晶材料，实现器件 的制造。

半导体器件物理PPT课件


3)加反偏压时 耗尽层宽度为 W W
W
P
N
VR +
能量 （E ）
IR
（c ）
qy 0 VR
qVR
✓N区接正电位，在远离PN结空间电荷区的中性区，EFn 及诸能级相对P区 EFp下移 qVR 。
✓在空间电荷区由于载流子耗尽，通过空间电荷区时 EFn 和 EFp不变。
✓势垒高度增加至 q(y 0 VR ) ，增高的势垒阻挡载流子通过PN结扩散，通
1)热平衡时
耗尽层宽度为 W
P
2)加正向偏压时
能量 （E ）
N
W
（a ）
耗尽层宽度为 W W
PN结
W
P
NV+来自能量（E ）E Fn
E Fp
（b ）
qy 0 EC EF
qy0 V
qV EFn
2.2加偏压的PN结
加正向偏压时
W
P
N
能量
（E ）
E Fn
E Fp
qy0 V
qV EFn
V
+
（b ）
3)正确画出热平衡PN 结的能带图（图2-3a、b）。
4)利用中性区电中性条件导出空间电荷区内建电势差公式：
y0
y n
y
p
VT
ln
Nd Na ni2
（2-1-7）
5)解Poisson方程求解单边突变结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗
尽层宽度。
PN结
PN结
2.2加偏压的PN结
1.加偏压的PN结的能带图
(e)曝光后去掉扩散窗口 （f)腐蚀SiO2后的晶片 胶膜的晶片
PN结
引言
采用硅平面工艺制备PN结的主要工艺过程
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