第1章 半导体器件习题及答案综述
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1 第1章 半导体器件
一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)
1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）
2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ）
3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ）
4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）
5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ）
6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ）
7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ）
8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ）
9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ）
10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）
11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ）
13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ）
15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ）
16、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。（ ）
17、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。（ ）
18、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到
0.6060()100BEbeBUrkI （ ）
二、选择题
(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论)
. 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对
3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 2 4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
5、P型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有
很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷
7、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压
时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变
8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。（A1．15% B1．大于
15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）
9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A1．上移 B1．下移 C1．不变）说明此时反向电流________。（A2．减小 B2．增大 C2．不变）.
10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定
图1.10 图1.11 图1.13
11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温
度上生到为40OC时,则UD的大小将是[ ]
A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定
12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升
到40℃时，则I的大小将是 。 A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA
13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击
穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 [ ]
A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA
14、二极管的主要特性是 [ ]
A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮
的灯是_________。 A. b B. c C. a
16、二极管电路如下图1.16所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______。(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V 3
图1.15 图1.16 图1.17 图1.18
17、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V
18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______。(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V
19、电路如下图1.19所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降为0.7V。）
A. 6.7V B. 6V C. 5.7V D. 6.7V
20、已知如下图1.20所示电路中VA＝0V，VB＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定Vo
的值为_____。（设二极管的正向压降为0.7V。） A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V
图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b)
21、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图1.21(a)
中电路的输出电压Vo为_______；可求出图1.21(b)中电路的输出电压Vo为_______；可
求出图1.21(c)中输出电压Vo为_______；可求出图1.21(d)中输出电压Vo为_______。
A.0.7V B.1.4V C.5V D.7V E.8V G..13V H.17V F.11.6V
图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b)
22、已知DZ1、DZ2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中，
输出电压为_________；可求得图1.22(b)中输出电压为_________。
A. 1V B. 5V C. 6V D. 13V E. 7V 4 23、二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi为幅值大于 直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，二极管为理想器件。
则可画出vo的波形为_________。
A. a) B. b) C. c) D. d)
24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能
最好的是_________。
A. a) B. b) C. c
管号 加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的电流
a) 0.5mA 1μA
b) 5mA 0.1μA
c) 2mA 5μA
25、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%），
则电流ID 。 A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）；
C.约为100mA（增大到原先的10倍）； D.仍为10mA（基本不变）。
26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三
个电极时以测出 最为方便。
A.中极间电阻 B.各极对地电位 C.各极电流
27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β ，反向饱和电流ICBO ，正向结电压
UBE 。 A.变大 B.变小 C.不变
28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性
曲线之间的间隔将 。
A.上移 B.下移 C.左移 D.右移 E.增大 F.减小 G.不变
29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 。
A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏
C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏
30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30图所示，该晶体管的类型
是 。 A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管 5 31、某三极管各个电极的对地电位如图1.37所示，可判断其工作状态是 。
A.饱和 B.放大 C.截止 D.已损坏
2V 6V
1.3V
图1.30 图1.31
