第六章 自由电子费米气体
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例题6.1 自由电子的费密能量(a) 导出绝对零度下金属自由电子费米能量的表达式;(b) 一个简单立方点阵的单价金属,已知点阵常数3a =Å,每个原子只贡献一个传导电子.试计算费密能量F ε、费密波矢F k 、费密温度F T 及费密面上电子的波长;(c) 计算简单立方点阵第一布里渊区中放电子填充的状态所占的分数. [解](a) 金属中的电子浓度为()Fn g d εεε-∞=⎰其中()g ε是自由电子状态密度,()00,0g εεε=>=< 于是有12F n d εεε=()223232F n mεπ=(b)首先求出电子浓度n ,()22333811 3.70410cm 310n a --===⨯⨯ 于是费米波矢为()12813 1.03110cm F k n π-==⨯费米能量为22 4.05eV 2FF k mε==费米温度F T 为47,000K FF BT k ε==费米面上电子的波长为82 6.09410cm 6.094F Fk πλ-==⨯=Å (c)简单立方点阵的第一布里渊区是一个边长为2aπ的立方体,其体积为 33328BZa a ππ⎛⎫Ω== ⎪⎝⎭自由电子费密球的半径为()12132333F k n a ππ⎛⎫== ⎪⎝⎭费密球的体积为333443FSF k aππΩ== 第一布里渊区中被电子占据的状态所占的分数为33334182FS BZ a a ππΩ==Ω 第一布里渊区中有一半状态被电子占据.6.2 自由电子气体基态下的动能,压强和体弹性模量(a)证明三维自由电子气体基态下的动能为035F U N ε=N 是电子数,N nV =;(b)证明基态下电子气体的压强与体积的关系为023P U V =(c)证明基态下自由电子气体的体弹模量为0251093F B P U V n ε===(d)估计钾电子气体对B 的贡献. [解](a) 25220324210F Fk k V k Vk U dk m m ππ<==⎰电子费密波矢F k 为1323F N k V π⎡⎤⎛⎫= ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦于是自由电子气体基态下动能为22033105F F N k U N m ε== (1)(b) 0NU p V ∂⎛⎫=- ⎪∂⎝⎭, 由于035F U N ε=,F ε正比于2F k ,2F k 仅仅通过因子()23N V 依赖于体积V ,由此得到002233UU P VV ⎛⎫=--= ⎪⎝⎭ (2) (c) 体积弹性模量PB V V∂=-∂,由于230U V -∝,由式(2),压强P 正比于53V -,于是有05102393F U B P n V ε=== (3) 这里Nn V=是电子浓度,若用无量纲量s r 表示电子浓度,则有5926.1310N m s B r -⎛⎫=⨯⋅ ⎪⎝⎭(4)(d)钾的r s =4.86,代入式(4),得923.1810N m B -≈⨯⋅6.3 自由电子气体的热容和化学势试用费密分布函数证明白出电子气体的化学势μ随温度变化的关系为22112B F F k T πμεε⎡⎤⎛⎫⎢⎥≈- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦μ与F ε之差仅仅在2B F k T ε⎛⎫⎪⎝⎭的数量级,证明在有限温度下,自由电子气体能量密度的表达式为()()2206B F u u k T g πε=+证明自由电子的热容为22B V B F k T C Nk πε⎛⎫= ⎪⎝⎭这里F ε是自由电子的费密能量,0u 是基态下的能量密度,()F g ε是费密面附近的状态密度,()32F Fng εε=,N nV =是自由电子总数。
第一章晶体结构⏹布拉菲点阵概念⏹惯用晶胞(单胞)概念⏹初基晶胞(原胞)概念⏹Wigner-Seize晶胞⏹晶体结构基元+点阵=晶体结构⏹简单的晶体结构(1)sc,bcc,fcc结构的特征(2)金刚石结构(3)六角密堆积结构(4)NaCl结构(5)CsCl结构⏹晶列, 晶向, 晶面, 晶面族, 晶面指数, 密勒指数, 晶面间距晶面指数(hkl)的定义和求法方向指数[abc]的定义和求法⏹对称操作⏹7种晶系和14种布拉菲点阵1以堆积模型计算由同种原子构成的同体积的简立方和面心立方晶体中的原子数之比。
2证明立方晶系的晶列[hkl]与晶面族(hkl)正交3某元素晶体的结构为体心立方布拉菲格子,试指出其格点面密度最大的晶面系的密勒指数,并求出该晶面系相邻晶面的面间距4在立方晶胞中画出(122),(001),(10),(210)晶面和[122]5晶体中可以独立存在的8种对称元素是:、、、、、、、。
⏹布拉格定理⏹倒易点阵初基矢量公式⏹布里渊区的求法(二维正方格子和长方格子)⏹实验衍射方法(劳厄法、转动晶体法和粉末法)⏹倒易点阵矢量和晶面指数间的关系1考虑晶体中一组互相平行的点阵平面(hkl),(a)证明倒易点阵矢量G(hkl)=hb1+kb2+lb3垂直于这组平面(hkl);(b)证明两个相邻的点阵平面间的距离d(hkl)为2从体心立方铁的(110)平面来的X-射线反射的布喇格角为22º,X-射线波长λ=1.54Å。
试计算铁的立方晶胞边长;(b)从体心立方结构铁的(111)平面来的反射的布喇格角是多少?答案:a)a=2.91Å;b)θ=27.28º3对于点阵常数为a的二维六角点阵,(a)写出正点阵的初基矢量;(b )计算倒易点阵的初基矢量;(c )画出第一、第二、第三布里渊区;(d )计算第一布里渊区的体积。
4半导体材料Si 和Ge 单晶的晶体点阵类型为 ,倒易点阵类型为 ,第一布里渊区的形状为 ,每个 原子的最近邻原子数为 。
一、填空题1. 在边长为L 的立方金属中,自由电子的能量可以用一组量子数表示为。
222222()2x y z n n n m L π⎛⎫=++ ⎪⎝⎭2. 在能量标度下,费米自由电子气系统的态密度N(E)=。
)(21CE E g =3. 自由电子气系统的费米能级为0F E ,k 空间费米半径,电子的平均能量。
22FmE4. 金属自由电子气的摩尔比热为。
5. 两块不同的金属相接触时,电子从化学势的金属流向化学势的金属。
高 低6. 电子在三维周期性晶格中波函数方程的解具有形式?式中在晶格平移下保持不变。
rk i k k e r u r⋅=)()(ψ,)(r u k7. 禁带出现在上,这表示在该处势场对电子存在。
布里渊区边界,强烈散射8. 在一维近自由电子近似中,根据非简并微扰理论,电子的能量为,电子的波函数为, 它表示电子波函数由和迭加而成。
平面波,散射波9. 晶体的第n 个禁带宽度E g 为。
n g V E 2=10. 在晶体中,能级越低的能带越,能级越高的能带越。
窄,宽11. 将电子看作是经典粒子时,电子的运动速度,电子的有效质量。
12. 能带顶部电子的有效质量为(填写正,或者负);能带底部电子的有效质量为(填写正,或者负)。
负,正13. 电子占据了一个能带中所有的状态,称该能带为,它对电导。
电子占据了一个能带中的部分状态,称该能带为,它对电导。
满带,没有贡献;不满带,有贡献。
二、简述题1. 画图简要说明:为什么温度较高时可以不考虑电子对固体热容量的贡献?为什么温度较低时必须考虑电子对固体热容量的贡献? 见课本P1482. 简述近自由电子近似模型、方法和所得到的主要结论。
答:考虑金属中电子受到离子(包括原子核和芯电子)周期性势场的作用,假定周期性势场的起伏较小。
作为零级近似,可以用势场的平均值代替离子产生的势场:()V V r =。
周期性势场的起伏量()V r V V -=∆作为微扰来处理。