《模拟电子技术基础》教学课件 2.1半导体三极管
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完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路
1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用
1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结 第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管
半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。 2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
半导体三极管及基本放大电路教案
电路分析教案 第1页,共26页
授课教师 上课时间:
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教学章节 第2章 半导体三极管及基本放大电路
2.1 双极型三极管 课型 理论课
对象
教学目标 1.掌握:双极型三极管的电流分配方程和输入、输出曲线(截止区、放大区、饱和区的特点);
2.理解:双极型三极管的放大条件和放大原理,三极管的直流参数和交流参数;
3.了解:双极型三极管的结构和电路符号,特殊三极管。
教学重点 1.双极型三极管的电流分配方程;
2.双极型三极管的输入、输出曲线(截止区、放大区、饱和区);
3.双极型三极管的放大条件和放大原理;
4.三极管的直流参数和交流参数。
教学1.双极型三极管的放大原理;
2.双极型三极管输入、输出曲线(截止区、
电路分析教案 第1页,共26页 难点 放大区、饱和区)。
教学方法 多媒体教学,讨论
教学课时 2学时
教学内容 2.1 双极型三极管
半导体三极管有两大类型,一是双极型三极管,二是单极型场效应管。由于它有空穴和自由电子两种载流子参与导电,故称为双极型。本讲讨论双极型半导体三极管,通常用BJT表示,以下简称三极管。
双极型三极管可以分为如下几种类型:
(1)按结构分——NPN管和PNP管
(2)按功率大小分——大、中、小功率管
(3)按材料分——硅管和锗管
(4)按频率分——高频管和低频管
电路分析教案 第1页,共26页 2.1.1 三极管的结构和符号
通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型,它们的结构示意图和符号图分别为:如图2.1所示。
(a)NPN管的结构及符号
(b)PNP管的结构及符号
图2.1 三极管的结构示意图和符号
不管是什麽样的三极管,它们均包含三个区:发射区,基区,集电区,同时相应的引出三个电极:发射极,基极,集电极。同时又在两两交界区形成PN结,分别是发射结和集电结。
[模电的教学课件]模电第六版课件
一、课程的性质、任务和教学目标
(一)课程性质:模拟电子技术基础课程是电气、电子信息类和部分非电类专业学生在电子技术方面入门性质的技术基础课,具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能,为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。
(二)课程任务:通过课堂讲授,课堂讨论、习题、电化教学、课程设计、实验等环节,使学生获得模拟电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术某些领域中的内容,以及为电子技术在专业中的应用打下良好的基础。
(三)通过本课程教学,学生应达到下列教学目标:
1、了解模拟电子技术方面的基本知识、基本理论;
2、掌握模拟电子技术方面的基本技能及应用;
3、培养学生分析问题和解决问题的能力。
二、课程内容和要求
本课程主要讲授内容有各类典型放大电路、运算电路、滤波电路、电源电路;要求学生掌握电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术某些领域中的内容,以及为电子技术在专业中的应用打下良好的基础。
(一)理论教学 1.半导体二极管及其应用
1)了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成。
2)掌握半导体二极管的基本应用。
3)理解普通二极管、稳压二极管、晶体管和场效应管的工作原理,掌握它们的特性和主要参数。
2.半导体三极管及其基本放大电路
1)理解晶体管和场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。
2)掌握放大电路静态工作点和动态参数()的分析方法。
3)理解多级放大电路动态参数的分析方法。
4)掌握放大电路频率响应的有关概念。
5)理解单管放大电路频率响应的分析方法。
6)了解多级放大电路的频率响应。
3.集成运算放大器电路基础
第二章基本放大电路
本章内容简介
本章首先讨论半导体三极管(BJT )的结构、工作原理、特性曲线和主要参 数。随后着重讨论BJT放大电路的三种组态,即共发射极、共集电极和共基极 三种放大电路。内容安排上是从共发射极电路入手,再推及其他两种电路,并将 图解法和小信号模型法,作为分析放大电路的基本方法。
(一) 主要内容:
◊半导体三极管的结构及工作原理,放大电路的三种基本组态
◊静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响
◊用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标
◊共集电极电路和共基极电路的工作原理
◊三极管放大电路的频率响应
(二) 教学要点:
从半导体三极管的结构及工作原理入手,重点介绍三种基本组态放大电路 的静态工作点、动态参数(电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻) 的计算方法,H参数等效电路及其应用。
(三) 基木要求:
◊ 了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数
◊ 了解半导体三极管放大电路的分类
◊掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况
◊理解放大电路的工作点稳定问题
◊掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响
2. 1半导体三极管(BJT)
2.1.1 BJT的结构简介:半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。
结构特点:发射区的掺杂浓度最高;集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;基 区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。
2.1.2 BJT的电流分配与放大原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
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1-a 2.三极管的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示。共基极接法,基极作为 公共电极,用CB表示。共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示。
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BJT的三种组态
4. 放大作用