半导体三极管与基本放大电路
- 格式:ppt
- 大小:4.08 MB
- 文档页数:43
三极管及放大电路基础教案章节一:三极管概述教学目标:1. 了解三极管的定义、结构和工作原理。
2. 掌握三极管的类型和符号。
教学内容:1. 三极管的定义:三极管是一种半导体器件,具有放大电信号的功能。
2. 三极管的结构:三极管由发射极、基极和集电极组成。
3. 三极管的工作原理:通过基极控制发射极和集电极之间的电流。
4. 三极管的类型:NPN型和PNP型。
5. 三极管的符号:NPN型三极管符号为“N”,PNP型三极管符号为“P”。
教学活动:1. 讲解三极管的定义、结构和工作原理。
2. 展示三极管的实物图和符号图。
3. 引导学生通过实验观察三极管的工作状态。
章节二:放大电路基础教学目标:1. 了解放大电路的定义和作用。
2. 掌握放大电路的基本组成和原理。
教学内容:1. 放大电路的定义:放大电路是一种通过反馈作用放大电信号的电路。
2. 放大电路的作用:放大微弱的信号,使其具有足够的功率驱动负载。
3. 放大电路的基本组成:电源、三极管、输入电阻、输出电阻和反馈电阻。
4. 放大电路的原理:通过三极管的放大作用,实现电信号的放大。
教学活动:1. 讲解放大电路的定义、作用和基本组成。
2. 展示放大电路的原理图和实际电路图。
3. 引导学生通过实验观察放大电路的工作状态。
章节三:三极管的放大特性教学目标:1. 了解三极管的放大特性。
2. 掌握三极管的放大原理。
教学内容:1. 三极管的放大特性:三极管的放大能力与基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系。
2. 三极管的放大原理:通过基极电流的控制,实现发射极和集电极之间电流的放大。
教学活动:1. 讲解三极管的放大特性和放大原理。
2. 分析三极管放大电路的输入和输出特性曲线。
3. 引导学生通过实验观察三极管的放大特性。
章节四:三极管放大电路的设计与应用教学目标:1. 了解三极管放大电路的设计方法。
2. 掌握三极管放大电路的应用。
教学内容:1. 三极管放大电路的设计方法:根据输入和输出信号的要求,选择合适的三极管、电阻等元件,设计合适的电路。
半导体三极管及放大电路基础知识讲解第一节学习要求第二节半导体三极管第三节共射极放大电路第四节图解分析法第五节小信号模型分析法第六节放大电路的工作点稳固问题第七节共集电极电路第八节放大电路的频率响应概述第九节本章小结第一节学习要求〔1〕把握差不多放大电路的两种差不多分析方法--图解法与微变等效电路法。
会用图解法分析电路参数对电路静态工作点的阻碍和分析波形失真等;会用微变等效电路法估算电压增益、电路输入、输出阻抗等动态指标。
〔2〕熟悉差不多放大电路的三种组态及特点;把握工作点稳固电路的工作原理。
〔3〕把握频率响应的概念。
了解共发射极电路频率特性的分析方法和上、下限截止频率的概念。
第二节半导体三极管〔BJT〕BJT是通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起的器件,由于PN结之间的相互阻碍,使BJT表现出不同于单个 PN结的特性而具有电流放大,从而使PN结的应用发生了质的飞跃。
本节将围绕BJT什么缘故具有电流放大作用那个核心问题,讨论BJT的结构、内部载流子的运动过程以及它的特性曲线和参数。
一、BJT的结构简介BJT又常称为晶体管,它的种类专门多。
按照频率分,有高频管、低频管;按照功率分,有小、中、大功率管;按照半导体材料分,有硅管、锗管;依照结构不同,又可分成NPN型和PNP型等等。
但从它们的外形来看,BJT 都有三个电极,如图3.1所示。
图3.1是NPN型BJT的示意图。
它是由两个 PN结的三层半导体制成的。
中间是一块专门薄的P型半导体(几微米~几十微米),两边各为一块N型半导体。
从三块半导体上各自接出的一根引线确实是BJT的三个电极,它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c,对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。
尽管发射区和集电区差不多上N型半导体,然而发射区比集电区掺的杂质多。
在几何尺寸上,集电区的面积比发射区的大,这从图3.1也可看到,因此它们并不是对称的。
二、BJT的电流分配与放大作用1、BJT内部载流子的传输过程BJT工作于放大状态的差不多条件:发射结正偏、集电结反偏。
第2章半导体三极管及基本放大电路1.温度升高时,晶体管的电流放大系数和反向饱和电流I CBO______,正向结压降V BE______;共射输入特性曲线将______,输出特性曲线将______,而且输出特性曲线之间的间隔将______。
A.变大,变小,左移,上移,增大B.变大,变大,右移,上移,增大C.变大,变小,左移,下移,增大D.变小,变大,右移,上移,增大2.现有八种半导体器件,其型号分别是3AX22,2CZ11,3DG6,2AP9,3DJ13,2CP10,3DD1,2CW11。
说明哪些是普通硅二极管,哪些是普通锗二极管,哪些是硅稳压管。
A.2AP9 二极管,2CZ11锗二极管,2AP9硅稳压管B.2AP9硅二极管,2CP10锗二极管,2CW11硅稳压管C.2CW11硅二极管,2AP9锗二极管,2CP10硅稳压管D.2CP10硅二极管,2AP9锗二极管,2CW11硅稳压管3.三极管的极限参数P CM=150mW,I CM=100mA,V(BR)CEO=30V,若其工作电压V CE=10V,则工作电流不得超过______mA;若V CE=1V,则工作电流不得超过______mA;若工作电流I C=1mA,则工作电压V CE不得超过______V。
A.15;100;150B.15;150;150C.15;150;30D.15;100;304.对双极型晶体管下列说法正确的是( )A.发射极和集电极可以调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的结构对称B.发射极和集电极可以调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称,发射极掺杂浓度比集电极高D.发射极和集电极不能调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称,发射极掺杂浓度比集电极低5.晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数和在放大区工作时的关系是:A.饱和区的电流放大系数大于放大区工作时的电流放大系数B.饱和区的电流放大系数等于放大区工作时的电流放大系数C.饱和区的电流放大系数小于放大区工作时的电流放大系数D.饱和区的电流放大系数与放大区的电流放大系数的关系不能确定6.对于晶体基区的叙述下面正确是是。
半导体三极管及基本放大电路教案一、课程目标:1.了解半导体三极管的结构和工作原理;2.掌握基本放大电路的设计和分析方法;3.培养学生动手实验和分析实验结果的能力。
二、教学内容:1.半导体三极管的结构和工作原理;2.基本放大电路的设计和分析方法;3.实验:利用半导体三极管构建基本放大电路。
三、教学过程:1.导入(10分钟)引入半导体三极管的概念和作用,和学生一起思考半导体三极管在现代电子设备中的重要性和应用。
2.半导体三极管的结构和工作原理(20分钟)2.1.引入半导体三极管的结构和符号表示,解释其由三个半导体材料构成的特点;2.2.介绍半导体三极管的三个结:发射结、基极结和集电结;2.3.描述半导体三极管的工作原理,包括截止区、饱和区和放大区的区别。
3.基本放大电路的设计和分析方法(40分钟)3.1.介绍基本放大电路的概念和作用;3.2.引入电流放大倍数和电压放大倍数的概念;3.3.讲解共射放大电路和共集放大电路的基本原理和特点;3.4.教授基本放大电路的设计和分析方法,包括选择电阻值和计算放大倍数。
4.实验(30分钟)4.1.实验目的:通过实际操作半导体三极管和元器件,构建基本放大电路并测试其放大性能;4.2.实验步骤:a.准备实验所需材料:半导体三极管、电阻、电源等;b.按照电路图连接元器件;c.接通电源,调整电阻和电压,观察输出信号;d.测量输出信号的放大倍数;e.记录实验结果并分析。
五、小结(10分钟)总结本节课的重点和难点,并对实验结果进行分析和讨论,对半导体三极管及基本放大电路的原理和实际应用进行探讨。
六、作业(10分钟)布置作业:要求学生选择一个电子设备(如手机、电脑等),研究其中一个关键元器件的工作原理和作用,并写一份报告。
七、教学反思通过本节课的教学,学生能够了解半导体三极管的结构和工作原理,掌握基本放大电路的设计和分析方法,并通过实验加深对相关知识的理解。
同时,通过作业的布置,培养了学生自主学习和研究的能力。