《模拟电子技术》复习
一、选择题：
1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、
2.7V，则该BJT三个电极
分别是 C 。
（A）B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B
2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电
极分别是 B 。
（A）B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B
3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在
A 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区
4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在
B 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区
5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿
6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大（B）减小（C）不变
7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）100
8. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射（B）共集（C）共基
9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真
10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真
11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移
12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低
13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。
（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强
（C）差模输入电阻增大
14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
（Ａ）差值（Ｂ）和值（Ｃ）平均值
15.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数
将 A 。
（A）不变（B）增大一倍（C）减小一半
16.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将
C 。
（A）不变（B）增大一倍（C）减小一半
17.为了放大变化缓慢的小信号，放大电路应采用____A 耦合方式。
（A）直接（B）阻容（C）变压器
18.为了抑制共模信号，输入级应采用____C_ 。
（A）共射放大电路（B）共集放大电路（C）差分放大电路
19.直流负反馈是指____C___。
（A）只存在于直接耦合电路中的负反馈（B）放大直流信号时才有的负反馈（C）直流通路中的负反馈
20.交流负反馈是指___A____。
（A）交流通路中的负反馈（B）放大正弦信号时才有的负反馈（C）只存在于阻容耦合及变压器耦合电路中的负反馈
21.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 B 。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈
22.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 C 。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈
23.要使放大器向信号源索取电流小，同时带负载能力强，应引入 A 。
（A）电压串联（B）电压并联（C）电流串联
24.振荡器的输出信号最初由 C 而来的。
（A）基本放大器（B）选频网络（C）干扰或噪声信号
25.从结构上来看，正弦振荡电路是一个 B 。
（A）有输入信号的负反馈放大器（B）没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器（C）没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器
26.正弦波振荡电路中正反馈网络的作用是 A 。
（A）保证电路满足相位平衡条件（B）提高放大器的放大倍数
（C）保证放大器满足幅值条件
27.在RC文氏桥正弦波振荡电路中，为了满足振荡的相位平衡条件，放大电路的输出信号与输入信号的相位差的适合值为 C 。
（A）90°（B）180°（C）360°
28.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2（C）2β
29.两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为 C 。（A）-200mv （B）-250mV （C）10V
30.一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器
的总增益为 C 。
（A）30dB （B）40dB （C）70dB
31.为了从信号中提取高频部分，应选用 C 。
（A）低通滤波器（B）带阻滤波器（C）高通滤波器
32.为防止50Hz电网电压干扰混入信号之中，应选用 B 。
（A）低通滤波器（B）带阻滤波器（C）高通滤波器
33.为获取信号中的直流成分，应选用 A 。
（A）低通滤波器（B）带阻滤波器（C）高通滤波器
34.收音机用于选台的滤波器应为 C 。
（A）低通滤波器（B）高通滤波器（C）带通滤波器
35.若电源变压器次级电压有效值为10V，其内阻和二极管的正向电阻可忽略不计，整流电
路后无滤波电路。若采用半波整流电路，则输出电压平均值()≈AV O U C 。 （A ）12V （B ）9V （C ）4.5V
36.若电源变压器次级电压有效值为10V ，其内阻和二极管的正向电阻可忽略不计，整流电路后无滤波电路。若采用桥式整流电路，则输出电压平均值()≈AV O U B 。 （A ）12V （B ）9V （C ）4.5V
37.桥式整流电路中二极管所承受的最大反向电压 B 半波整流电路中二极管所承受的最大反向电压。
（A ）大于 （B ）等于 （C ）小于
38.桥式整流电路输出电压的交流分量 C 半波整流电路输出电压的交流分量。 （A ）大于 （B ）等于 （C ）小于
39.理想二极管在半波整流电容滤波电路中的导通角为 A 。 （A ）小于180° （B ）等于180° （C ）大于180° 40.为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于 B 状态。 （A ）正反馈 （B ）负反馈 （C ）正反馈或无反馈 41.为了工作在非线性工作区，应使集成运放电路处于 C 状态。 （A ）正反馈 （B ）负反馈 （C ）正反馈或无反馈 42.关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是 A 。
（A ）输入电阻为∞，输出电阻为0 （B ）输入电阻为0，输出电阻为∞ （C ）输入电阻和输出电阻均为∞
二、判断题 ：
1. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (×)
2. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 (√)
3. 只要是共射极放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。 (×)
4. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 (×)
5. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路， 其电压放大倍数一定为10000。 (×)
6. 为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 (√)
7. 差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的差值，共模信号是两个输入端信号的平均值。 (√)
8. 共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。 (×)
9. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的差模放大倍数数值增大。 (×)
10.在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻R e 足够大，则R e 可视为开路。(√)
11.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。 (√) 12.在电压比较器电路中，集成运放不是工作在开环状态，就是只引入了正反馈。 （√） 13.对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻R e 一概可视为短路。 （√）
14.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压串联负反馈。 （√）
15.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入电流并联负反馈。（√）
16.在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用高通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用低通滤波器。 (×) 17.已知输入信号的频率为10kHz ~12kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用带通滤波电路。 （√）
18. RC 正弦波振荡电路的振荡频率较低，LC 正弦波振荡电路的振荡频率较高。 （√） 19.在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率fo=1/RC 。 (×)
20.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 （√）
三、运算放大器：
1、（1）试指出图示电路中各运放组成何种运算电路，写出输出电压O u 的表达式。 （2）若令m V 5I1=u 、5m V I2-=u 、10m V I3=u ，问?O =u
O
u I1A 2
A 3
A 1
u I3
25k Ω
20k Ω
u I2
30k Ω
120k Ω
u O1
u O2
100k Ω
20k Ω
R
10k Ω
10k Ω
14.7k Ω
1R 23R 4R P
R 4R 5
R 6
解：（1）A 1：反相求和运算 A 2：电压跟随器 A 3：减法运算
???? ??+-=I223
I113O1u R R u R R u I3O2u u =
O256O156O 1u R R u R R u ???? ?
?++-
=I356I223I113561u R R u R R u R R R R ????
??++???? ??=＋ （2）()m V 905464I3I2I1O =++=u u u u
2、由理想运放组成的电路如图所示。 （1）求O u 与的关系式。
(2) 若I1u 、I2u 分别如图所示之阶跃信号。且知t ＝0时()V 00=C u 。画出O u 在0～4s 期间的波形图。
O
u I2
u I1
0s
10
1
s
s
解：1． ()I2I11
3
O1u u R R u +-
= 1R = 2R ?
-
=t
t u C
R u 0
O14O d 1
()t u u C
R R R I2I14131
+?
=
6 2．O u 波形图
s 1~0=t 时，O u ＝0
s 2~0=t 时，O u = ()21I1?-t u s 3~0=t 时，O u ＝()()2
O
I2I122=+-+t u t u u
当 s 3=t 时，O u ＝()V 6212I2I1=+?+u u
2468t/s
1
3、如图所示积分运算电路中，A 为理想运算放大器，输入电压I u 波形如图所示。已知输出
电压O u 的起始值为0V 。 （1）试计算t ＝10ms 、20ms 时的O u ；
（2）画出输出电压O u （t ）的波形图，并标出幅值。
C
t/ms
t/ms
u I
O
解：（1）t RC
t u RC u t
1
d 1 0 I
O -=-
=? m s 101=t 时，O u ＝－1V ； m s 202=t 时，()()V 01O 12I
O =+--
=t u t t RC
u u （2）
0t/m s
1
1
4、图示运算电路中，A 1、A 2、A 3为理想运放，输出电压O u 的起始值为0V 。 （1）写出输出电压O u 与输入电压I1u 、I2u 的关系式。
（2）I1u 、I2u 的波形如图所示，画出O u 的波形，标明有关数值。
O
u I2
u I10
ms
10
t/ms
2
0t/ms
解：（1）()I1I21
2
O1u u R R u -=
?-
=t
t u C
R u 0 O1
3O d 1
()?-?-=t
t u u
C
R R R 0
I1I2
312d 1
（2）
m s
t/m s
5、图示电路中，A 为理想运算放大器。已知输入电压I1u 、I2u 的波形如图(b)所示，
试写出输出电压O u 的表达式，并画出u o 的波形。
u O
s
t s
( b )
( a )
u u u I2
V
解：I21
2
I12O d d u R R t u C
R u --= 当t ＝0～1s 时,
t u d d I1
=－1V ，V 0O =u 当t ＝1～2s 时, 0d d I1
=t u ，V 1O -=
u
当t ＝2～3s 时, V 1d d I1
=t
u ，V 2O -=u
O u 的波形如图所示。
四、基本放大电路：
1. 某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图所示，设晶体管的U BEQ ＝0.6V ，电容对交流信号可视为短路。
（1）在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点Q ； （2）确定静态时I CQ 和U CEQ 的值；
（3）当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？ （4）为了获得尽量大的不失真输出电压，b R 应增大还是减小？
R L
6
2
3
6
CE V
5
1
4
24
135
Ω
解：1．I BQ＝20μA，作图如下：
6
CE V
5
2．I CQ≈2mA，U CEQ≈3V
3．首先出现截止失真
4．减小R b
2. 已知图示电路中晶体管的β＝80，Ω
=
'
300
b b
r，U BEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。（
(1) 要求静态电流
CQ
I＝1mA，估算R e1的值；
(2) 求电压放大倍数
u
A&、输入电阻
i
R和输出电阻
o
R。
R L
10kΩ
解：（1）V 93.2b2b1b1
CC
B ≈+≈R R R V U Ω≈-=k 1.2-e2EQ
BEQ B e1R I U U R
（2）()
Ω≈++='k 38.2 1EQ
T
b b be I U βr r =u
A &()()28 1// e2be L c -≈++-R βr R R β i R ＝R b1 // R b2 // [be r +(1+β)R e2]≈4.6k Ω o R ＝c R ＝3Ωk
3. 某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其直流、交流负载线 如图所示。由此求出：
1．电源电压V CC ，静态电流I CQ ，静态电压U CEQ ；
2．电路参数b R 、c R 、L R ；
3．该电路此时的最大不失真输出电压幅值U om 。（本题18分）
R L
12
236CE V
514
4
8
2
6
10
解：（1）V CC ≈12V ， I CQ ≈3mA ， U CEQ ≈3V （2）R c ≈3k Ω
Ω=='k 1//L c L R R R R L ≈1.5k Ω
R b ≈188k Ω（取U BEQ ＝0.7V ） 或190k Ω（取U BEQ ＝0.6V ） （3）U om ＋≈3V
U Om －≈2.5V 取U om ≈2.5V
4. 某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及交流负载线、静态工作点Q 如图所示。设晶体管的U BE ＝0.7V ，U CES ＝0.5V 。 （1）确定c R 的数值，画出直流负载线（要标出关键点的数值）； （2）确定V CC 和b R 的值；
（3）在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？ （4）为了获得更大的不失真输出电压，b R 应增大还是减小？
R L 0
23CE V
514
4k Ω
解：（1）由图可知Ω=='k 2//L c L
R R R R c ＝4k Ω 直流负载线是过Q 点、斜率为Ω
-k 41
的直线，与u CE 轴交点为16V ，与i C 轴交点为 4mA 。
（2）V CC ＝16V ， R b ≈510k Ω （3）U om ＋≈6V ，U om －≈3.5V ∴取U om ＝3.5V （4）R b 应增大。
五、差分放大电路：
1. 单端输入、单端输出差分放大电路如图所示。设晶体管参数β1＝β2＝50，r be1＝r be2＝2k Ω，
U BE1＝U BE2＝0.6V 。试估算：
（1）静态工作点I C1、I C2、U CE1和U CE2；
（2）差模电压放大倍数d u A ，差模输入电阻R id 和输出电阻R o ； （3）共模电压放大倍数c u A 和共模抑制比K CMR 。
EE ( 12V)u O
解：（1）mA 57.02e
BE
EE E2E1C2C1=-=
=≈=R U V I I I I V 6.12E CC CE1=-=U V U
()V 75.3//E L c2C2c2
L L
CC
CE2=--+=U R R I R R R V U
（2）()5.622//be
L c2Id Od d ===
r R R u u A u β Ωk 42be id =≈r R Ωk 10c2o =≈R R （3） ()
()25.021//e
be L c2Ic Oc c -≈?++-==
R r R R u u A u ββ 250c
d
CMR ==u u A A K
2. 在图示放大电路中，各晶体管的参数相同，且β＝100，r bb ‘＝0，V 7.0BE =U ，
I B3可以忽略不计。R c1＝R c2＝R c3＝10k Ω，R e ＝9.3k Ω，R e3＝4.3k Ω，V CC ＝V EE ＝10V ，
设差分放大电路的共模抑制比K CMR 足够大，试估算： （1）静态时，U O ＝？
（2）总的电压放大倍数Au ＝？
（3）当u I ＝10mV 时，输出信号电压u O ＝？
解：（1）mA 5.02121e
BE
EE C2C1=-≈≈
=R U V I I I e R V 5c2C2c2=≈R I U R mA 1e3
BE3
E3C3c2=-=
≈R U U I I R
故静态时V 0EE c3C3O O =-==V R I U u
（2）Ωk 25.5be2be1≈=r r Ωk 63.2be3≈r
21812e3be3c33be2L2221-≈???? ?
?++-???? ??'=?=??? ??R r R r R A A A u u u βββ 其中[]
Ω=≈++='
??? ??
k 101//c2e3
be3c2L2R R r R R β （3） 故V 18.2I O -==u A u u
3. 双端输入、单端输出差分放大电路如图所示。VT 1、VT 2两管特性对称，β＝60，
U BE ＝0.6V ，r be ＝6.9K Ω，设V CC ＝V EE ＝15V ，R b ＝2 K Ω，R e ＝30 K Ω，R c ＝20K Ω，
负载电阻R L ＝20K Ω。 （1）估算VT 1的静态工作点I C1、U CE1；
（2）求差模电压放大倍数A ud1 = u c1/( u I1- u I2) ，共模电压放大倍数A uc1 = u c1/u Ic 和共模 抑制比K CMR1 =∣A ud11/A uc1∣；
（3）当u I1＝100mV ，u I2＝50mV
u O ＝u C1＝？
解：（1）m A 24.0C1≈I
V 7.5CE1≈U （2）()
()
7.332//be b L c d1-≈+-
=r R R R A u β
()
164.021//e be b L c c1-≈?+++-
=??
? ??R r R R R A u ββ
()46dB 5.205CMR1≈K （3）u ID =50mV
u IC =75mV
V 70.1IC c1ID d1C1O -=?+?==u A u A u u u u
4.恒流源式的差分放大电路如图所示。各晶体管的参数均相同，且β＝60，r bb’＝300Ω，
U BE ＝0.7V ，电源电压V CC ＝12V ，V EE ＝6V ，电阻R c ＝R L ＝10k Ω，R b1＝R b2＝R b ＝2k Ω， R 1＝1k Ω，R 2＝R 3＝4.3k Ω， R W ＝200Ω，且其滑动端位于中点。
试估算：
（1）静态时各管的I C 和VT 1、VT 2管的 V C ； （2）差模电压放大倍数d1u A ；
（3）差模输入电阻R id 和输出电阻R od ；
（4）共模电压放大倍数c1u A 和共模抑制比CMR K 。
解：
（1）mA 121BE EE C4C3≈+-≈
=R R U V I I mA 5.02
1
C3C2C1≈==I I I
()V 5.3//L c C1L
c L
CC
C1=-+=R R I R R R V U V 12CC C2==V U (4)
（2）()
Ωk 47.31C1
T
b b be be2be1≈++==='I U r r r r β ()
()
132
1//2
1w be b L c d1-≈+++-
=R r R R R A u ββ (4)
（3）()Ω23.14k 212w be b id ≈???
???+++=R r R R β Ωk 10c od =≈R R (4)
（4）0c1=u A ∞=CMR1K
六：反馈类型判别：
1.
( e )( f)
s
u
s
u
电压并联正反馈 电流并联负反馈 2.
( a )( b )
s
u
图(a) 电压串联负反馈 图(b) 电流并联负反馈
3.
O V CC
u
( b )
O
u ( a )
O
V CC
u ( c )
O
u ( d )
图（a ）：电压串联负反馈 图（b ）：电流串联正反馈 图（c ）：电流并联负反馈 图（d ）：电压并联正反馈
七．小功率整流电路：
在如图所示全波整流电容滤波电路中，变压器次级中心抽头接地，已知
-=21u () V 100sin 21022t πu =，电容C 的取值满足()2
5~3T
C R L =，T 为输
入交流电压的周期；R L =100Ω 。要求： 1．估算输出电压平均值()
AV O U ；
2．估算二极管的正向平均电流()AV D I 和反向峰值电压RM U ； 3．试选取电容C 的容量及耐压；
4．如果负载开路，()AV O U 将产生什么变化？
VD
解：1．()V 122.12AV O =≈U U 4 2．()()mA 6021L
AV o AV L ≈?=
R U I V 2.28222RM ≈=U U 3．()F 500~3002T 5~3L
μ==
R C
耐压大于V 1.14102≈?，选取16V 4．()V 1.1422AV O ≈=U U
《材料现代分析测试技术》思考题 1.电子束与固体物质作用可以产生哪些主要的检测信号？这些信号产生的原理是什么？它们有哪些特点和用途？ (1)电子束与固体物质产生的检测信号有：特征X射线、阴极荧光、二次电子、背散射电子、俄歇电子、吸收电子等。 (2)信号产生的原理：电子束与物质电子和原子核形成的电场间相互作用。 (3)特征和用途： ①背散射电子：特点：电子能量较大，分辨率低。用途：确定晶体的取向，晶体间夹角，晶粒度及晶界类型，重位点阵晶界分布，织 构分析以及相鉴定等。 ②二次电子：特点：能量较低，分辨率高。用途：样品表面成像。 ③吸收电子：特点：被物质样品吸收，带负电。用途：样品吸收电子成像，定性微区成分分析。 ④透射电子：特点：穿透薄试样的入射电子。用途：微区成分分析和结构分析。 ⑤特征X射线：特点：实物性弱，具有特征能量和波长，并取决于被激发物质原子能及结构，是物质固有的特征。用途：微区元素定 性分析。 ⑥俄歇电子：特点：实物性强，具有特征能量。用途：表层化学成分分析。 ⑦阴极荧光：特点：能量小，可见光。用途：观察晶体内部缺陷。 ①电子散射：当高速运动的电子穿过固体物质时，会受到原子中的电子作用，或受到原子核及周围电子形成的库伦电场的作用，从而 改变了电子的运动方向的现象叫电子散射 ②相干弹性散射：一束单一波长的电子垂直穿透一晶体薄膜样品时，由于原子排列的规律性，入射电子波与各原子的弹性散射波不但 波长相同，而且有一定的相位关系，相互干涉。 ③不相干弹性散射：一束单一波长的电子垂直穿透一单一元素的非晶样品时，发生的相互无关的、随机的散射。 ④电子衍射的成像基础是弹性散射。 3.电子束与固体物质作用所产生的非弹性散射的作用机制有哪些？ 非弹性散射作用机制有：单电子激发、等离子激发、声子发射、轫致辐射 ①单电子激发：样品内的核外电子在收到入射电子轰击时，有可能被激发到较高的空能级甚至被电离，这叫单电子激发。 ②等离子激发：高能电子入射晶体时，会瞬时地破坏入射区域的电中性，引起价电子云的集体振荡，这叫等离子激发。 ③声子发射：入射电子激发或吸收声子后，使入射电子发生大角度散射，这叫声子发射。 ④轫致辐射：带负电的电子在受到减速作用的同时，在其周围的电磁场将发生急剧的变化，将产生一个电磁波脉冲，这种现象叫做轫 致辐射。 1）二次电子产生：单电子激发过程中，被入射电子轰击出来并离开样品原子的核外电子。应用：样品表面成像，显微组织观察，断口形貌观察等 2）背散射电子：受到原子核弹性与非弹性散射或与核外电子发生非弹性散射后被反射回来的入射电子。应用：确定晶体的取向，晶体间夹角，晶粒度及晶界类型，重位点阵晶界分布，织构分析以及相鉴定等。 3）成像的相同点：都能用于材料形貌分析成像的不同点：二次电子成像特点：（1）分辨率高（2）景深大，立体感强（3）主要反应形貌衬度。背散射电子成像特点：（1）分辨率低（2）背散射电子检测效率低，衬度小（3）主要反应原子序数衬度。 5.特征X射线是如何产生的，其波长和能量有什么特点，有哪些主要的应用？ 特征X-Ray产生：当入射电子激发试样原子的内层电子，使原子处于能量较高的不稳定的激发态状态，外层的电子会迅速填补到内层电子空位上，并辐射释放一种具有特征能量和波长的射线，使原子体系的能量降低、趋向较稳定状，这种射线即特征X射线。 波长的特点：不受管压、电流的影响，只决定于阳极靶材元素的原子序。 应用：物质样品微区元素定性分析
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
1.集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大器，他作为基本的电子器件，可以实现多种功能电路，如电子电路中的比例，积分，微分，求和，求差等模拟运算电路。 2.运算放大器工作在两个区域：在线性区，他放大小信号；输入为大信号时，它工作在非线性区，输出电压扩展到饱和值om V 。 3.同向放大电路和反相放大电路是两种最基本的线性应用电路。由此可推广到求和，求差，积分，和微分等电路。这种由理想运放组成的线性应用电路输出与输入的关系（电路闭环特性）只取决于运放外部电路的元件值，而与运放内部特性无关。 4.对含有电阻、电容元件的积分和微分电路可以应用简单时间常数RC 电路的瞬态相应，并结合理想运放电路的特性进行分析。 5.PN 结是半导体二极管和组成其他半导体器件的基础，它是由P 型半导体和N 型半导体相结合而形成的。绝对纯净的半导体掺入受主杂质和施主杂质，便可制成P 型半导体和N 型半导体。空穴参与导电是半导体不同于金属导电的重要特点。 6.当PN 结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄，有电流流过；而外加反向电压时，耗尽区变宽，没有电流流过或电流极小，这就是半导体二极管的单向导电性，也是二极管最重要的特性。 7.二极管的主要参数有最大整流电流，最高反向工作电压，和反向击穿电压。在高频电路中，还要注意它的结电容，反向恢复时间，最高工作频率。 8.由于二极管是非线性器件，所以通常采用二极管的简化模型来分析设计二极管电路。主要有理想模型，恒压降模型，折线模型，小信号模型等。在分析电路的静态或大信号情况时，根据信号输入的大小，选用不同的模型，只有当信号很微小，且有一静态偏置时，才采用小信号模型。指数模型主要在计算机模拟中使用。 9.齐纳二极管是一种特殊的二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性，来构成简单的稳压电路，要特别注意稳压电路限流电阻的选取。齐纳二极管的正想特性和普通二极管相近。 10.其他非线性二段器件，如变容二极管，肖特基二极管，光电、激光、发光二极管等均具有非线性的特点，其中光电子器件在信号处理，存储和传输中获得了广泛的应用。 11.BJT 是由两个PN 结组成的三段有源器件，分NPN 和PNP 两种类型，它的三个端子分别成为发射机e ，基极b 和集电极c 。由于硅材料的热稳定性好，因而硅BJT 得到广泛应用。 12.表征BJT 性能的有输入和输出特性，均称之为V-I 特性，其中输出特性用得较多。从输出特性上可以看出，用改变基极电流的方法可以控制集电极电流，因而BJT 是一种电流控制器件。 13.BJT 的电流放大系数是它的主要参数，按电路组态的不同有共射极电流放大系数β和共基极电流放大系数α之分。为了保证器件的安全运行，还有几项极限参数，如集电极最大允许功率损耗CM P 和若干反向击穿电压，如CER BR V )(等，使用时应予注意。 14.BJT 在放大电路中有共射，共集，共基三种组态，根据相应的电路的输入量和输出量的大小和相位之间的关系，分别将他们称为反向电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。三种组态的中的BJT 都必须工作在发射结正偏，集电结反偏的状态。 15.放大电路的分析方法有图解法和小信号模型分析法。前者是承认电子器件的非线性，后者是将非线性特性的局部线性化。通常使用图解法求Q 点，而用小信号模型法求电压增益，输入电阻和输出电阻。 16.放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受温度的影响。常用的稳定静态工作点的电路有射极偏置电路等，它是利用反馈原理来实现的
《材料分析测试技术》试卷（答案） 一、填空题：（20分，每空一分） 1. X射线管主要由阳极、阴极、和窗口构成。 2. X射线透过物质时产生的物理效应有：散射、光电效应、透射X射线、和热。 3. 德拜照相法中的底片安装方法有：正装、反装和偏装三种。 4. X射线物相分析方法分：定性分析和定量分析两种；测钢中残余奥氏体的直接比较法就属于其中的定量分析方法。 5. 透射电子显微镜的分辨率主要受衍射效应和像差两因素影响。 6. 今天复型技术主要应用于萃取复型来揭取第二相微小颗粒进行分析。 7. 电子探针包括波谱仪和能谱仪成分分析仪器。 8. 扫描电子显微镜常用的信号是二次电子和背散射电子。 二、选择题：（8分，每题一分） 1. X射线衍射方法中最常用的方法是（ b ）。 a．劳厄法；b．粉末多晶法；c．周转晶体法。 2. 已知X光管是铜靶，应选择的滤波片材料是（b）。 a．Co ；b. Ni ；c. Fe。 3. X射线物相定性分析方法中有三种索引，如果已知物质名时可以采用（c ）。 a．哈氏无机数值索引；b. 芬克无机数值索引；c. 戴维无机字母索引。4. 能提高透射电镜成像衬度的可动光阑是（b）。 a．第二聚光镜光阑；b. 物镜光阑；c. 选区光阑。 5. 透射电子显微镜中可以消除的像差是（ b ）。 a．球差；b. 像散；c. 色差。 6. 可以帮助我们估计样品厚度的复杂衍射花样是（a）。 a．高阶劳厄斑点；b. 超结构斑点；c. 二次衍射斑点。 7. 电子束与固体样品相互作用产生的物理信号中可用于分析1nm厚表层成分的信号是（b）。 a．背散射电子；b.俄歇电子；c. 特征X射线。 8. 中心暗场像的成像操作方法是（c）。 a．以物镜光栏套住透射斑；b．以物镜光栏套住衍射斑；c．将衍射斑移至中心并以物镜光栏套住透射斑。 三、问答题：（24分，每题8分） 1.X射线衍射仪法中对粉末多晶样品的要求是什么 答：X射线衍射仪法中样品是块状粉末样品，首先要求粉末粒度要大小 适中，在1um-5um之间；其次粉末不能有应力和织构；最后是样品有一 个最佳厚度（t =
一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人
《模拟电子技术》 ??一、判断题（每小题1.5分，共15分。） 1.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（） 2.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 3.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（） 4.可以说任何放大电路都有功率放大作用。（） 5.只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6.在运算电路中，集成运放的反向输入端均为虚地。（） 7.凡是运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 8.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗愈大。（） 9.若为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。（） 10.在电源电压相同的情况下，功率放大电路比电压放大电路的最大不失真输出电压大。（） 二.填空题（每空1分，共15分。） 1. PN结在没有外电场作用时，当扩散运动和漂移运动达到（）时，两侧间没有电流，空间电荷区（）不变。 2.三极管放大电路中，（）、（）和三者决定了三极管的安全工作区。 3.（）比列运算电路的输入电流等于零，而（）比列运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 4.LC正弦波振荡电路的（）很高，多采用（）电路。 5.要使N沟道JFET工作在放大状态，其漏极应加( )电压，栅极应加( )电压。（正、负）。 6.测得某放大电路中的BJT三个电极X、Y、Z的电位分别是：-9V、-6V、-6.7V，则该管是（）型三极管；X、Y、Z分别为（）极、（）极和（）极。 7.放大器产生频率失真的原因是（）。（三极管的非线性；电抗元件） 三、器件及电路判别题（共小题，总计20分）： 2．（12分）若测得BJT各电极电位如下图，请判别其工作状态（饱和，截止，放大）。 3．（8分）若FET的转移特性如下图，请判别其类型（图中所标电流方向为实际方向），画出其电路符号。 四．综合分析计算题（共3小题，总计50分） 1．（12分）已知图(a)和图(b)中所有运算放大器均为理想运算放大器。 写出图中以下变量间的关系式： (1) vo~vo1 (2) vo3~vo (3) vo~vi
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )
习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB
《材料分析测试技术》试卷（答案) 一、填空题：(20分，每空一分) 1．X射线管主要由阳极、阴极、和窗口构成。 2．X射线透过物质时产生的物理效应有：散射、光电效应、透射X 射线、和热。 3．德拜照相法中的底片安装方法有: 正装、反装和偏装三种。 4. X射线物相分析方法分: 定性分析和定量分析两种；测钢中残余奥氏体的直接比较法就属于其中的定量分析方法。 5．透射电子显微镜的分辨率主要受衍射效应和像差两因素影响。 6.今天复型技术主要应用于萃取复型来揭取第二相微小颗粒进行分析。 7. 电子探针包括波谱仪和能谱仪成分分析仪器。 ８．扫描电子显微镜常用的信号是二次电子和背散射电子。 二、选择题:（8分，每题一分） 1.X射线衍射方法中最常用的方法是( b ）。 a．劳厄法；b．粉末多晶法;ｃ.周转晶体法。 2. 已知X光管是铜靶，应选择的滤波片材料是(b)。 ａ．Co;b. Nｉ;c.Fe。 3.X射线物相定性分析方法中有三种索引,如果已知物质名时可以采用( c )。 a．哈氏无机数值索引;b. 芬克无机数值索引；ｃ. 戴维无机字母索引。 4.能提高透射电镜成像衬度的可动光阑是(b)。 a．第二聚光镜光阑；b．物镜光阑;c. 选区光阑。 5. 透射电子显微镜中可以消除的像差是( b )。 a.球差; b. 像散; c. 色差。 6．可以帮助我们估计样品厚度的复杂衍射花样是( a)。 ａ．高阶劳厄斑点；ｂ．超结构斑点;c. 二次衍射斑点。 7. 电子束与固体样品相互作用产生的物理信号中可用于分析1nｍ厚表层成分的信号是（b)。 a.背散射电子; b.俄歇电子；ｃ. 特征Ｘ射线。 8. 中心暗场像的成像操作方法是（ｃ)。 a．以物镜光栏套住透射斑;b．以物镜光栏套住衍射斑；c．将衍射斑移至中心并以物镜光栏套住透射斑。 三、问答题：(2４分,每题8分） 1.X射线衍射仪法中对粉末多晶样品的要求是什么？ 答: X射线衍射仪法中样品是块状粉末样品，首先要求粉末粒度要大小适 中,在1ｕｍ－5uｍ之间;其次粉末不能有应力和织构;最后是样品有一个 最佳厚度(t =
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）
a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10
课程《模拟电子技术》 一、填空题（1分×30=30分） 1、在掺杂半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。 2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。 3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和 4、晶体三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生 失真；静态工作点设置太高，将产生 失真。 5、理想集成运放组成的基本运算电路，它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ，这称为 。运放的两个输入端电流为 ，这称为 。 6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值，共模输入电压信号是两个输入信号的 值。u i1=20mV ，u i2=18mV 时， u id = mV ，u ic = mV 。 7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号称为 信号。 使放大电路净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 反馈；使放大电 路净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 反馈。 8、正弦波振荡器的振荡条件中，幅值平衡条件是指 ，相位平衡条件是 指 ，后者实质上要求电路满足 反馈。 9、电路如图所示，已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ，Ucc=15V ，RL=8欧。则最大输出功率Pom 为 。 10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。 二、选择题（2分×10=20分） 1、某晶体管的极限参数为：I CM =100mA ，U BR(CEO)=20V ，P CM =100mW ，则该器件正常工作状态为（ ） A I C =10mA U CE =15V B I C =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9V D I C =100mA U C E =15V 2、测得晶体管在放大状态的参数时，当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。则晶体管交流放大系数β为（ ） A 80 B 60 C 75 D 90 3、射极输出器的输出电阻小，说明电路的（ ） A 带负载能力差 B 带负载能力强 C 减轻前级或信号源的负荷 D 增加前级或信号源的负荷 4、放大电路产生零点漂移的主要原因是： （ ） A 电压增益过大 B 环境温度变化 C 采用直接耦合 D 采用阻容耦合
word 资料 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章 半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器
主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 - 71 -
word 资料 第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即
图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
材料分析测试技术复习参考资料（注：所有的标题都是按老师所给的“重点”的标题，） 第一章x射线的性质 射线的本质：X射线属电磁波或电磁辐射，同时具有波动性和粒子性特征，波长较为可见光短，约与晶体的晶格常数为同一数量级，在10-8cm左右。其波动性表现为以一定的频率和波长在空间传播；粒子性表现为由大量的不连续的粒子流构成。 2，X射线的产生条件：a产生自由电子；b使电子做定向高速运动；c在电子运动的路径上设置使其突然减速的障碍物。 3，对X射线管施加不同的电压，再用适当的方法去测量由X射线管发出的X射线的波长和强度，便会得到X射线强度与波长的关系曲线，称为X射线谱。在管电压很低，小于某一值（Mo阳极X射线管小于20KV）时，曲线变化时连续变化的，称为连续谱。在各种管压下的连续谱都存在一个最短的波长值λo，称为短波限，在高速电子打到阳极靶上时，某些电子在一次碰撞中将全部能量一次性转化为一个光量子，这个光量子便具有最高的能量和最短的波长，这波长即为λo。λo=V。 4，特征X射线谱： 概念：在连续X射线谱上，当电压继续升高，大于某个临界值时，突然在连续谱的某个波长处出现强度峰，峰窄而尖锐，改变管电流、管电压，这些谱线只改变强度而峰的位置所对应的波长不变，即波长只与靶的原子序数有关，与电压无关。因这种强度峰的波长反映了物质的原子序数特征、所以叫特征x射线，
由特征X射线构成的x射线谱叫特征x射线谱，而产生特征X射线的最低电压叫激发电压。 产生：当外来的高速度粒子(电子或光子)的动aE足够大时，可以将壳层中某个电子击出去，或击到原于系统之外，或使这个电子填到未满的高能级上。于是在原来位置出现空位，原子的系统能量因此而升高，处于激发态。这种激发态是不稳定的，势必自发地向低能态转化，使原子系统能量重新降低而趋于稳定。这一转化是由较高能级上的电子向低能级上的空位跃迁的方式完成的，电子由高能级向低能级跃迁的过程中，有能量降低，降低的能量以光量子的形式释放出来形成光子能量，对于原子序数为Z的确定的物质来说，各原子能级的能量是固有的，所以．光子能量是固有的，λ也是固有的。即特征X射线波长为一固定值。 能量：若为K层向L层跃迁，则能量为： 各个系的概念：原于处于激发态后，外层电子使争相向内层跃迁，同时辐射出特征x射线。我们定义把K层电子被击出的过程叫K系激发，随之的电子跃迁所引起的辐射叫K系辐射，同理，把L层电子被击出的过程叫L系激发，随之的电子跃迁所引起的辐射叫L系辐射，依次类推。我们再按电子跃迁时所跨越的能级数目的不同把同一辐射线系分成几类，对跨 越I，2，3．．个能级所引起的辐射分别标以α、β、γ等符号。电子由L—K，M—K跃迁(分别跨越1、2个能级)所引起的K系辐射定义为Kα，Kβ谱线；同理，由M—L，N—L电子跃迁将辐射出L系的Lα，Lβ谱线，以此类推还有M线系等。 莫赛莱定律：特征X射线谱的频率或波长只取决于阳极靶物质的原子能级结构，
自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)
例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。