下载文档原格式
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电⼦技术基础（第4版）课后习题答案（周良权）第2章半导体三极管及其基本放⼤电路⼀、填空题2．1 BJT ⽤来放⼤时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；⽽⼯作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2．2 温度升⾼时，BJT 的电流放⼤系数β，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。
2．3⽤两个放⼤电路A 和B 分别对同⼀个电压信号进⾏放⼤，当输出端开路时，OB OA U U =；都接⼈负载L R 电阻时，测得OB OA U U ?，由此说明，电路A 的输出电阻⽐电路B 的输出电阻。
2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放⼤电路，若希望电压放⼤倍数⼤，可选⽤组态；若希望带负载能⼒强，应选⽤组态；若希望从信号源索取电流⼩，应选⽤组态；若希望⾼频性能好，应选⽤组态。
2．5 FET 是通过改变来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是⼀个器件。
2．6 FET ⼯作在可变电阻区时，D i 与DS u 基本上是关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成⼀个由GS u 控制的。
2．7 FET 的⾃偏压电路只适⽤于构成的放⼤电路；分压式⾃偏压电路中的栅极电阻S R ⼀般阻值很⼤，这是为了。
⼆、选择正确答案填写(只需选填英⽂字母)2．8 BJT 能起放⼤作⽤的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．⾼，b 1．低，c 1．⼀般)；(2)基区杂质浓度⽐发射区杂质浓度 (a 2．⾼，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度 (a 3．⾼，b 3．窄，c 3．⼀般)；集电结⾯积⽐发射结⾯积 (a 4．⼤，b 4．⼩，c 4．相等)。
2．9 测得BJT I B =30µA 时，I C = mA ；I B =40µA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放⼤系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。
2．10⽤万⽤表判别放⼤电路中处于正常⼯作的某个BJT 的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时，以测出最为⽅便(a ．各极间电阻，b ．各极对地电位，c ．各极电流)。
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
